薄膜形成用生长抑制剂、利用其的薄膜形成方法以及由此制造的半导体基板技术

本发明专利技术涉及薄膜形成用生长抑制剂、利用其的薄膜形成方法以及由此制造的半导体基板，具体涉及作为由化学式1表示的化合物的薄膜形成用生长抑制剂、利用其的薄膜形成方法以及由此制造的半导体基板，[化学式1]AnB

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】薄膜形成用生长抑制剂、利用其的薄膜形成方法以及由此制造的半导体基板


[0001]本专利技术涉及一种薄膜形成用生长抑制剂、利用其的薄膜形成方法以及由此制造的半导体基板，具体涉及能够抑制副反应，以适当地降低薄膜生长率，并去除薄膜内工艺副产物，从而防止腐蚀或劣化，即便在结构复杂的基板上形成薄膜，也能够大幅改善台阶覆盖性(step coverage)以及薄膜的厚度均匀度的薄膜形成用生长抑制剂、利用其的薄膜形成方法以及由此制造的半导体基板。

技术介绍

[0002]随着存储以及非存储半导体器件的集成度日益提高，且其结构变得越来越复杂，在将多种薄膜沉积到基板时，台阶覆盖性(step coverage)变得越来越重要。
[0003]所述半导体用薄膜由金属氮化物、金属氧化物、金属硅化物等形成。所述金属氮化物薄膜有氮化钛(TiN)、氮化钽(TaN)、氮化锆(ZrN)等，所述薄膜通常用作掺杂半导体的硅层与用作层间布线材料的铝(Al)、铜(Cu)等的防扩散膜(diffusion barrier)。只是，钨(W)薄膜在被沉积到基板时，用作粘合层(adhesion本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】1.一种薄膜形成用生长抑制剂，其特征在于，所述薄膜形成用生长抑制剂为由化学式1表示的化合物，[化学式1]A
n
B
m
X
o
Y
i
Z
j
其中，所述A为碳或硅；所述B为氢或碳原子数为1～3的烷基；所述X为键离解能为50～350KJ/mol的离去基团；所述Y与Z各自独立地为选自氧、氮、硫以及氟中的一种以上且彼此不同；所述n为1～15的整数；所述o为1以上的整数；所述m为0～2n+1；所述i和j分别为0～3的整数。2.根据权利要求1所述的薄膜形成用生长抑制剂，其特征在于，在所述化学式1中，所述o为1～5的整数。3.根据权利要求1所述的薄膜形成用生长抑制剂，其特征在于，由所述化学式1表示的化合物为支化型、环状或芳香族化合物。4.根据权利要求1所述的薄膜形成用生长抑制剂，其特征在于，由所述化学式1表示的化合物使用于ALD(原子层沉积)工艺。5.根据权利要求1所述的薄膜形成用生长抑制剂，其特征在于，由所述化学式1表示的化合物在常温22℃下为液体，密度为0.8～1.5g/cm3，在20℃下的蒸汽压为1～300mmHg，在25℃下的水中的溶解度为200mg/L以下。6.一种薄膜形成方法，其特征在于，包括以下步骤：将由化学式1表示的薄膜形成用生长抑制剂注入到ALD腔室内并使其吸附于所装载的基板的表面，[化学式1]A
n
B
m
X
o
Y
i
Z
j
其中，所述A为碳或硅；所述B为氢或碳原子数为1～3的烷基；所述X为键离解能为50～350KJ/mol的离去基团；所述Y与Z各自独立地为选自氧、氮、硫以及氟中的一种以上且彼此不同；所述n为1～15的整数；所述o为1以上的整数；所述m为0～2n+1；所述i和j分别为0～3的整数。7.根据权利要求6所述的薄膜形成方法，其特征在于，包括以下步骤：步骤i)，将所述薄膜形成用生长抑制剂进行汽化并使其吸附于装载到ALD腔室内的基板的表面；步骤ii)，利用吹扫气体对所述ALD腔室内部进行第一次吹扫；步骤iii)，将薄膜前体化合物进行汽化并使其吸附于装载到ALD腔室内...

【专利技术属性】
技术研发人员：延昌峰，金进喜，郑在善，金种文，李承铉，李锡宗，
申请(专利权)人：秀博瑞殷株式公社，
类型：发明
国别省市：