【技术实现步骤摘要】
一种二级加热反应腔体装置
[0001]本技术涉及原子层沉积
,尤其涉及一种二级加热反应腔体装置。
技术介绍
[0002]近年来,随着集成电路、半导体装备制造的快速发展,原子层沉积装备(ALD)引起了广泛的关注。在原子层沉积过程中,一个完整的反应被打断成两个半反应,只有当表面的活性位点被消耗殆尽后,第一个半反应才会停止,然后进行另一个半反应,由于这样的自限制化学反应,不仅所制造薄膜的厚度能被精确控制,在复杂形貌基底上的薄膜的均匀性也能很好地被保持,同时由于对过量的前驱体不敏感,所以具有很高的可重复性。因此,原子层沉积在集成电路、半导体和传感器等领域,具有重要的应用价值。
[0003]原子层的沉积过程是通过循环次数控制的,每一个循环次数包括两个或多个前驱体源的反应和清洗,其中,反应过程需要高温来提供能量,清洗过程是不需要高温环境的。但是,传统的原子层沉积反应腔体,采用电加热的单级加热方式提供高温环境,由于电加热效率低,往往需要进行提前加热,并且由于一个原子层沉积的循环时长较短,一般几秒到几十秒,为了给下一个循环的反 ...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种二级加热反应腔体装置,其特征在于,所述装置的组成部分包括:进气端密封法兰(1)、第一级加热装置(2)、第二级加热装置(3)、压力表(4)、真空泵(5)、出气端密封法兰(6)、反应腔体(8)、气动阀Ⅱ(9)和气动阀Ⅰ(10);反应腔体(8)的出气端和进气端,分别安装有出气端密封法兰(6)和进气端密封法兰(1),进气端密封法兰(1)和出气端密封法兰(6)用于对反应腔体(8)进行密封;第一级加热装置(2)和第二级加热装置(3)构成二级加热结构,第二级加热装置(3)采用激光器;气动阀Ⅱ(9)和气动阀Ⅰ(10)安装于反应腔体(8)外,并分别通过输气管穿过进气端密封法兰(1)伸入反应腔体(8)。2.根据权利要求1所述的二级加热反应腔体装置,其特征在于,真空泵(5)通过输气管连接出气端密封法...
【专利技术属性】
技术研发人员:吕俊彦,黄亚洲,周雨轲,张云飞,訾豪,杨东方,
申请(专利权)人:南京工程学院,
类型:新型
国别省市:
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