温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。

本发明涉及薄膜形成用生长抑制剂、利用其的薄膜形成方法以及由此制造的半导体基板，具体涉及作为由化学式1表示的化合物的薄膜形成用生长抑制剂、利用其的薄膜形成方法以及由此制造的半导体基板，[化学式1]AnB
...
该专利属于秀博瑞殷株式公社所有，仅供学习研究参考，未经过秀博瑞殷株式公社授权不得商用。

详细技术文档下载地址

温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。