抗刻蚀密封圈制造技术

本实用新型专利技术涉及半导制备造技术领域，特别涉及一种抗刻蚀密封圈。其中，一种抗刻蚀密封圈，包括本体，为环状结构，作为附着基材；抗刻蚀膜层，附着于所述本体表面，所述抗刻蚀膜层厚度为50nm～30000nm。本实用新型专利技术提供的抗刻蚀密封圈，通过在无涂覆密封圈基材上增加抗刻蚀膜层，使得抗刻蚀密封圈在获得优秀的物理强度的同时，具备抗刻蚀能力。同时，通过调整抗刻蚀膜层的类型，使抗刻蚀密封圈获得抗氧或导电能力，进一步提高抗刻蚀密封圈的应用环境，增强了适应性。强了适应性。强了适应性。

【技术实现步骤摘要】
抗刻蚀密封圈


[0001]本技术涉及半导制备造
，特别涉及一种抗刻蚀密封圈。

技术介绍

[0002]在半导体制造过程中，需要在半导体设备工作腔室内形成高真空，并充入氟、氯、溴等腐蚀性气体作为半导体元件的加工的环境。通常情况下，半导体设备工作腔室使用密封圈进行密封，同时采用gasket垫片进行接地填充。但是，随着加工的进行，密封圈被刻蚀，导致漏气，同时存在微粒污染的问题。
[0003]现在，半导体制备领域出现了金属密封圈及全氟密封圈的改进技术。当是金属密封圈仍存在被刻蚀后微粒污染腔体的问题。而全氟密封圈不仅成本高昂，而且抗刻蚀能力不够好，寿命延长不够久，导致生产成本大幅上升。

技术实现思路

[0004]为解决上述现有改进密封圈成本高、刻蚀能力不足的问题，本技术提供一种抗刻蚀密封圈，包括
[0005]本体，为环状结构，作为附着基材；
[0006]抗刻蚀膜层，附着于本体表面，抗刻蚀膜层厚度为50nm～30000nm。
[0007]在一实施例中，抗刻蚀膜层包括第一膜层及第二膜层，第一膜层设置于本体的正反本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种抗刻蚀密封圈，其特征在于：包括本体，为环状结构，作为附着基材；抗刻蚀膜层，附着于所述本体表面，所述抗刻蚀膜层厚度为50nm～30000nm。2.根据权利要求1所述的抗刻蚀密封圈，其特征在于：所述抗刻蚀膜层包括第一膜层及第二膜层，所述第一膜层设置于所述本体的正反两侧，所述第二膜层设置于所述第一膜层之间；所述第二膜层的厚度不大于所述第一膜层。3.根据权利要求2所述的抗刻蚀密封圈，其特征在于：所述第二膜层由与所述第一膜层接触位置向所述第二膜层中部厚度逐渐减小。4.根据权利要求2所述的抗刻蚀密封圈，其特征在于：所述第一膜层的厚度与所述第二膜层最薄处的厚度之比为1：0.6～1。5.根据权利要求1所述的抗刻蚀...

【专利技术属性】
技术研发人员：蔡宗祐，张誉泷，
申请(专利权)人：艾希纳半导体科技苏州有限公司，
类型：新型
国别省市：