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本实用新型涉及半导制备造技术领域，特别涉及一种抗刻蚀密封圈。其中，一种抗刻蚀密封圈，包括本体，为环状结构，作为附着基材；抗刻蚀膜层，附着于所述本体表面，所述抗刻蚀膜层厚度为50nm～30000nm。本实用新型提供的抗刻蚀密封圈，通过在无涂覆...
该专利属于艾希纳半导体科技（苏州）有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过艾希纳半导体科技（苏州）有限公司授权不得商用。

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