【技术实现步骤摘要】
一种静电吸盘陶瓷功能层及静电吸盘
[0001]本技术涉及半导体加工
,特别涉及一种静电吸盘陶瓷功能层及静电吸盘。
技术介绍
[0002]静电吸盘(electrostatic chuck,简写为ESC)是等离子体处理装置(比如,等离子体刻蚀装置)的一个关键组件。
[0003]目前,随着半导体技术的发展,晶圆的尺寸逐渐变大,向大尺寸晶圆方向发展。而静电吸盘作为加工过程的重要配件,加工厂商对大尺寸的静电吸盘需求愈加旺盛。
[0004]而在现有技术中,静电吸盘主要依靠陶瓷烧结进行制备,目前有部分厂家直接在基底上直接沉积陶瓷膜,省略中间粘结层的技术。但是这种结果导致加工不便同时整体强度、陶瓷层整体均匀性、最终性能稳定性会受到影响。
[0005]同时,大尺寸的静电吸盘在进行烧结时,因要考虑中间电极以及整体材质的问题,烧结工艺难度大,其陶瓷层容易产生开裂报废的现象。
[0006]因此,如何对静电吸盘的陶瓷功能层进行结构改进,使其能够在满足大尺寸要求的情况下,改进整体的稳定性以及生产简易程度,成为改进的 ...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种静电吸盘陶瓷功能层,其特征在于:包括第一表层,具有相对的上表面及下表面;第二表层,布置于所述第一表层的上表面;金属层,设置于所述第一表层与所述第二表层之间;其中,所述第一表层及所述第二表层中的任意一层为烧结陶瓷板,另一层为陶瓷膜层;所述陶瓷膜层沉积于所述烧结陶瓷板上;所述金属层贴敷于所述第二表层;还包括附加功能单元,所述附加功能单元包括陶瓷介质层与附加功能层,所述陶瓷介质层设置于所述第一表层与所述金属层之间;所述附加功能层设置于所述陶瓷介质层远离所述金属层的一侧。2.根据权利要求1所述的静电吸盘陶瓷功能层,其特征在于:所述第一表层设有贯穿所述第一表层厚度方向的第一通孔,所述金属层通过所述第一通孔与外部电连接。3.根据权利要求2所述的静电吸盘陶瓷功能层,其特征在于:所述第一通孔贯穿所述陶瓷介质层;所述附加功能层通过第二通孔与外部电连...
【专利技术属性】
技术研发人员:蔡宗祐,梁忠华,张馨月,
申请(专利权)人:艾希纳半导体科技苏州有限公司,
类型:新型
国别省市:
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