【技术实现步骤摘要】
一种用于监测晶线的生长的监测系统和监测方法
[0001]本专利技术涉及硅片生产领域，尤其涉及一种用于监测晶线的生长的监测系统和监测方法。
技术介绍
[0002]对于比如用于生产集成电路等半导体电子元器件的硅片而言，主要通过将直拉法(Czochralski)拉制的单晶硅棒切片而制造出。Czochralski法包括使由石英制成的坩埚中的多晶硅熔化以获得硅熔体，将单晶晶种浸入硅熔体中，以及连续地提升晶种移动离开硅熔体表面，由此在移动过程中在固液界面处生长出单晶硅棒。
[0003]在拉晶过程中，晶棒的外周表面会形成在径向上凸出并且沿着轴向延伸的晶线，比如沿晶向<100>生长的晶棒会生成4条隆起的晶线。通常晶线从微观上来看的话是硅晶体的一个晶面，晶线的存在表明晶体内部是以单晶形式在生长，当晶线消失说明晶体的晶面发生了偏转，产生了不同方向的晶体，内部必然已经以多晶的形式在生长，由此，晶线断开可以用来表征晶棒从单晶方式生长转变为了多晶方式生长，这一现象也称之为晶棒断线。
[0004]目前，晶线连...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种用于监测晶线的生长的监测系统，其特征在于，所述监测系统包括：数据获取单元，用于获取正被拉制的晶棒上生长出的晶线的实时状态信息；判定单元，用于将所述实时状态信息与正常状态信息进行对比，并且当所述实时状态信息与所述正常状态信息不一致时判定所述晶线的生长出现异常，其中，所述正常状态信息为所述晶棒满足品质要求时生长出的晶线的状态信息并且与所述实时状态信息的属性相同，报警单元，用于当所述判定单元判定出所述晶线的生长出现异常时发出晶线异常警报，以对所述晶棒的拉制操作进行干涉。2.根据权利要求1所述的监测系统，其特征在于，所述实时状态信息为实时宽度值，并且所述正常状态信息为正常宽度值。3.根据权利要求2所述的监测系统，其特征在于，所述判定单元还用于将每一时刻获取到的实时宽度值与前一时刻获取到的实时宽度值进行对比，并且当所述实时宽度值在设定的时间段内持续减小时判定所述晶线有断开的趋势，所述报警单元还用于当所述判定单元判定出所述晶线有断开的趋势时发出晶线断开预警，以对拉晶参数进行调整。4.根据权利要求3所述的监测系统，其特征在于，所述判定单元还用于当所述实时宽度值等于零时判定所述晶线已经断开，所述报警单元还用于当所述判定单元判定出所述晶线已经断开时发出晶线断开警报，以对所述晶棒执行回熔或提断的操作。5.根据权利要求2至4中任一项所述的监测系统，其特征在于，所述晶棒为用于生产300mm硅片的COP Free晶棒，并且所述正常宽度值介于0.5mm至1.5mm之间，或者所述晶棒为用于生产300mm硅片的EPI轻掺晶棒，并且所述正常宽度值介于1.5mm至2.3m...
【专利技术属性】
技术研发人员：杨文武，
申请(专利权)人：西安奕斯伟材料科技有限公司，
类型：发明
国别省市：
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