晶炉偏差校正方法、装置、计算机设备和存储介质制造方法及图纸

本申请涉及一种晶炉偏差校正方法、装置、计算机设备和存储介质。方法包括：获取当前时间段产出的实际晶棒参数，并将前一时间段产出的晶棒参数作为当前时间段的标准晶棒参数；基于晶炉在单位时间内的液面变化量与晶棒参数之间的对应关系，确定实际晶棒参数与标准晶棒参数之间差异所对应的液面偏差；根据液面偏差对晶炉的晶体生长控制进行校正。采用本方法能够准确地测量晶炉偏差，并基于晶炉偏差实现对晶体生长的控制进行修正，实现晶体生长的温度梯度的精准控制，保证晶体生长的品质。保证晶体生长的品质。保证晶体生长的品质。

【技术实现步骤摘要】
晶炉偏差校正方法、装置、计算机设备和存储介质


[0001]本申请涉及晶体生长炉
，特别是涉及一种晶炉偏差校正方法、装置、计算机设备和存储介质。

技术介绍

[0002]在单晶硅等晶棒的生长过程中，晶体品质易受晶体生长温度梯度的影响，其中，在直拉式拉晶过程中，随着晶体的生长，炉内硅料逐渐减少，材料液面逐渐下降，液口距发生变化，若不对硅液面进行位置控制，将会影响晶体生长的温度梯度，造成晶体品质下降，同时，坩埚中材料的温度也会直接影响晶体生长的温度梯度。
[0003]目前常用的液口距测量方法包括称重法，该称重法通过称重传感器来获取当前晶体重量，然后将其转换为锅炉内熔体的重量并计算出当前的液位，然而在实际生产过程中，坩埚随着使用时间的增加，也是会发生变形的，这就会影响液口距的测量精度，从而影响到晶体生长的温度梯度控制，同时，坩埚形变也会影响坩埚中材料的温度控制，从而影响到晶体生长的温度梯度控制。
[0004]因此，需要一种能够解决准确测量并校正晶炉偏差的技术方案。

技术实现思路

[0005]基于此，有必要针对上述技术问题，提供一种能够准确测量并校正晶炉偏差的晶炉偏差校正方法、装置、计算机设备和存储介质。
[0006]第一方面，本申请提供了一种晶炉偏差校正方法，方法包括：获取当前时间段产出的实际晶棒参数，并将前一时间段产出的晶棒参数作为当前时间段的标准晶棒参数；基于晶炉在单位时间内的液面变化量与晶棒参数之间的对应关系，确定实际晶棒参数与标准晶棒参数之间差异所对应的液面偏差；根据液面偏差对晶炉的晶体生长控制进行校正。
[0007]在其中一个实施例中，获取当前时间段产出的实际晶棒参数包括：通过对当前时间段的晶棒进行测温，获取其温度值，并以温度值的变化速度作为实际晶棒参数。
[0008]在其中一个实施例中，获取当前时间段产出的实际晶棒参数包括：通过对当前时间段的晶棒进行投影，获取晶棒的气泡参数，作为实际晶棒参数，其中，气泡参数至少包括气泡数量、气泡大小、气泡间距中的其中一种或多种。
[0009]在其中一个实施例中，基于晶炉在单位时间内的液面变化量与晶棒参数之间的对应关系，确定实际晶棒参数与标准晶棒参数之间差异所对应的液面偏差包括：基于晶炉在单位时间内的液面变化量与晶棒参数之间的对应关系，确定实际晶棒参数对应的液面变化量和标准晶棒参数对应的液面变化量；基于实际晶棒参数对应的液面变化量和标准晶棒参数对应的液面变化量，确定液
面偏差。
[0010]在其中一个实施例中，根据液面偏差对晶炉的晶体生长控制进行校正包括：根据液面偏差对晶炉的晶体生长温度控制进行校正。
[0011]在其中一个实施例中，根据液面偏差对晶炉的晶体生长控制进行校正包括：根据液面偏差，对基于称重法测量得到的液口距进行校正；基于校正之后的液口距进行晶炉的液口距控制。
[0012]第二方面，本申请还提供了一种晶炉偏差校正装置，装置包括：获取模块，用于获取当前时间段产出的实际晶棒参数，并将前一时间段产出的晶棒参数作为当前时间段的标准晶棒参数；测量模块，用于基于晶炉在单位时间内的液面变化量与晶棒参数之间的对应关系，确定实际晶棒参数与标准晶棒参数之间差异所对应的液面偏差；校正模块，用于根据液面偏差对晶炉的晶体生长控制进行校正。
[0013]在其中一个实施例中，校正模块包括：温度修正模块和/或液口距修正模块；温度修正模块用于根据液面偏差对晶炉的晶体生长温度控制进行校正；液口距修正模块用于根据液面偏差，对基于称重法测量得到的液口距进行校正，并基于校正之后的液口距进行晶炉的液口距控制。
[0014]第三方面，本申请还提供了一种计算机设备，包括存储器和处理器，存储器存储有计算机程序，处理器执行计算机程序时实现上述任意一种实施例所述的晶炉偏差校正方法的步骤。
[0015]第四方面，本申请还提供了一种计算机可读存储介质，其上存储有计算机程序，计算机程序被处理器执行时实现上述任意一种实施例所述的晶炉偏差校正方法的步骤。
[0016]上述晶炉偏差校正方法、装置、计算机设备和存储介质，基于晶炉单位时间内的液面变化量与晶棒参数之间的对应关系，通过晶棒参数反映晶炉的液面偏差，其中，材料液面在单位时间内的变化量直接与晶棒生长相关联，可以反映在产出的晶棒参数上，相反地，通过例如晶棒温度、晶棒气泡等晶棒参数也就可以反映液面变化量，换而言之，晶棒参数相同的两次拉晶可以反映出对应的液面变化量是相同的，基于此，通过晶棒参数测量液面变化量，从而可以准确地得到液面偏差，进一步，基于液面偏差不仅可以修正晶炉温度控制，而且可以修正称重法得到的液口距，从而准确控制晶体生长，保证晶体生长的品质。
附图说明
[0017]为了更清楚地说明本申请实施例或传统技术中的技术方案，下面将对实施例或传统技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本申请的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。
[0018]图1为一个实施例中晶炉偏差校正方法的流程示意图；图2为一个实施例中晶炉偏差校正装置的结构框图；图3为一个实施例中计算机设备的内部结构图。
具体实施方式
[0019]为了使本申请的目的、技术方案及优点更加清楚明白，以下结合附图及实施例，对本申请进行进一步详细说明。应当理解，此处描述的具体实施例仅仅用以解释本申请，并不用于限定本申请。
[0020]除非另有定义，本文所使用的所有的技术和科学术语与属于本申请的
的技术人员通常理解的含义相同。本文中在本申请的说明书中所使用的术语只是为了描述具体的实施例的目的，不是旨在于限制本申请。
[0021]需要说明的是，当一个元件被认为是“连接”另一个元件时，它可以是直接连接到另一个元件，或者通过居中元件连接另一个元件。此外，以下实施例中的“连接”，如果被连接的对象之间具有电信号或数据的传递，则应理解为“电连接”、“通信连接”等。
[0022]在此使用时，单数形式的“一”、“一个”和“/该”也可以包括复数形式，除非上下文清楚指出另外的方式。还应当理解的是，术语“包括/包含”或“具有”等指定所陈述的特征、整体、步骤、操作、组件、部分或它们的组合的存在，但是不排除存在或添加一个或更多个其他特征、整体、步骤、操作、组件、部分或它们的组合的可能性。同时，在本说明书中使用的术语“和/或”包括相关所列项目的任何及所有组合。
[0023]本申请实施例提供的晶炉偏差校正方法，可以应用于单晶硅制备中对晶炉偏差校正，更为广泛地，还可以应用于其他晶体制备中对晶炉偏差校正。对于一般晶棒生长工序，需要经过引晶，放肩，转肩，等径，收尾等工序，其中，引晶为将晶种慢慢插入其中，接着将晶种慢慢往上提升，使其直径缩小到一定尺寸，维持此直径并拉长，以消除晶种内的晶粒排列取向差异，放肩和转肩为慢慢降低提升速度和温度，使颈部直径逐渐加大到所需尺寸，等径为晶体生长不断调整提升速度和融炼温度本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种晶炉偏差校正方法，其特征在于，所述方法包括：获取当前时间段产出的实际晶棒参数，并将前一时间段产出的晶棒参数作为当前时间段的标准晶棒参数；基于晶炉在单位时间内的液面变化量与晶棒参数之间的对应关系，确定所述实际晶棒参数与所述标准晶棒参数之间差异所对应的液面偏差；根据所述液面偏差对晶炉的晶体生长控制进行校正。2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述获取当前时间段产出的实际晶棒参数包括：通过对当前时间段的晶棒进行测温，获取其温度值，并以所述温度值的变化速度作为所述实际晶棒参数。3.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述获取当前时间段产出的实际晶棒参数包括：通过对当前时间段的晶棒进行投影，获取晶棒的气泡参数，作为所述实际晶棒参数，其中，所述气泡参数至少包括气泡数量、气泡大小、气泡间距中的其中一种或多种。4.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述基于晶炉在单位时间内的液面变化量与晶棒参数之间的对应关系，确定所述实际晶棒参数与所述标准晶棒参数之间差异所对应的液面偏差包括：基于晶炉在单位时间内的液面变化量与晶棒参数之间的对应关系，确定所述实际晶棒参数对应的液面变化量和所述标准晶棒参数对应的液面变化量；基于所述实际晶棒参数对应的液面变化量和所述标准晶棒参数对应的液面变化量，确定所述液面偏差。5.根据权利要求1至权利要求4任意一项所述的方法，其特征在于，所述根据所述液面偏差对晶炉的晶体生长控制进行校正包括：根据所...

【专利技术属性】
技术研发人员：曹建伟，傅林坚，朱亮，高宇，葛旭，周铮超，叶钢飞，
申请(专利权)人：浙江晶盛机电股份有限公司，
类型：发明
国别省市：