功率半导体器件电阻电容一体化单机测试仪及测试方法技术

本发明专利技术涉及一种功率半导体器件电阻电容一体化单机测试仪及测试方法，用于实现功率半导体器件的输入电阻、输入电容、输出电容、反向电容在不同直流偏置电压条件下的多通道扫描测试，包括控制电路、LCR测试电路、栅极偏压电路、漏极偏压电路及多通道隔离开关矩阵电路。该功率半导体器件电阻电容一体化单机测试仪及测试方法将控制电路、LCR测试电路、栅极偏压电路、漏极偏压电路及多通道隔离开关矩阵电路集成于单台仪器中，操作简单、维护方便，制作成本更低，大大提高了测试精度及测试效率。大大提高了测试精度及测试效率。大大提高了测试精度及测试效率。

【技术实现步骤摘要】
功率半导体器件电阻电容一体化单机测试仪及测试方法


[0001]本专利技术主要应用于功率半导体器件(例如MOSFET、IGBT等)的输入电阻Rg、输入电容Ciss、输出电容Coss、反向电容Crss在直流偏置电压下多通道扫描测试，尤其涉及一种功率半导体器件电阻电容一体化单机测试仪，以及基于该一体化单机测试仪的测试方法。

技术介绍

[0002]随着我国新能源汽车、光伏发电储能行业的飞速发展，功率半导体器件(MOSFET，IGBT等)的应用越来越广，需求越来越大，性能越来越高。功率半导体器件的小型化和高功率密度是发展的主要方向，要求功率半导体器件工作在更高的频率上。由于功率半导体器件的电阻电容参数会影响到产品的频率特性，因此越来越受到重视。以MOSFET为例，输入电阻Rg、输入电容Ciss、输出电容Coss、反向电容Crss会直接影响到功率半导体器件的开关特性。
[0003]目前市场上的电阻电容测试设备均由独立功能单机通过上位机软件进行系统集成。功能单机主要包括：LCR测试仪、栅极偏压电源、漏极偏压电源，隔离开关矩阵、工业电脑等。系统集成方案本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种功率半导体器件电阻电容一体化单机测试仪，其特征在于：用于实现功率半导体器件的输入电阻、输入电容、输出电容、反向电容在不同直流偏置电压条件下的多通道扫描测试，包括控制电路、LCR测试电路、栅极偏压电路、漏极偏压电路及多通道隔离开关矩阵电路；控制电路分别与LCR测试电路、栅极偏压电路、漏极偏压电路、多通道隔离开关矩阵电路相连接，多通道隔离开关矩阵电路分别与LCR测试电路、栅极偏压电路、漏极偏压电路、被测功率件相连接。2.根据权利要求1所述的功率半导体器件电阻电容一体化单机测试仪，其特征在于：所述LCR测试电路用于在设定的测试电平、测试频率、偏置电压下实现功率半导体器件输入电阻、输入电容、输出电容、反向电容的参数测试。3.根据权利要求1所述的功率半导体器件电阻电容一体化单机测试仪，其特征在于：所述栅极偏压电路用于提供一组宽范围可调的正负直流电源，施加于功率半导体器件的栅极和源极之间，实现对半导体功率器件的通断控制。4.根据权利要求1所述的功率半导体器件电阻电容一体化单机测试仪，其特征在于：所述漏极直流电压偏置电路用于提供一组宽范围可调的直流电源，施加于功率半导体器件的漏极和源极之间，作为功率器件的漏极和源极之间的偏置电压。5.根据权利要求1所述的功率半导体器件电阻电容一...

【专利技术属性】
技术研发人员：高志齐，武胜强，李春生，周剑，
申请(专利权)人：常州同惠电子股份有限公司，
类型：发明
国别省市：