一种脉冲大电流工况下的半导体通态压降测试主电路拓扑及测量方法技术

本发明专利技术公开了一种脉冲大电流工况下的半导体通态压降测试主电路拓扑，包括低电压开通电路和脉冲大电流续流电路两个部分，低电压开通电路由低压电容C和电阻R组成，脉冲大电流续流电路由高压电容C0、控制开关S0、电感L0和二极管D0组成；本发明专利技术还公开了其测量方法，待测半导体在整个测量过程中均不承受高电压，可使用小量程的低压传感器测量，确保了测量的精度。本发明专利技术解决了脉冲大电流工况下，半导体通态压降的测量难题，可用于混合式断路器中半导体支路设计指导，以确保短路开断的成功。以确保短路开断的成功。以确保短路开断的成功。

【技术实现步骤摘要】
一种脉冲大电流工况下的半导体通态压降测试主电路拓扑及测量方法


[0001]本专利技术属于断路器
，具体涉及一种脉冲大电流工况下的半导体通态压降测试主电路拓扑，以及其测量方法。

技术介绍

[0002]混合式断路器综合了机械开关通态损耗低和半导体开关无弧关断的特性，是大容量直流电力系统故障保护较为理想的拓扑方案，也是中/高压直流断路器的重要发展方向。混合式断路器的主电路拓扑如图 1所示，包括机械开关支路、半导体支路和限压耗能支路。混合式断路器半导体支路的半导体器件，可分为半控制型器件（如晶闸管）和全控型器件（GTO、IGBT、IGET等）两类。无论哪种类型半导体器件，当发生短路故障后，混合式分断的第一步都是故障电流由机械开关支路转移到半导体支路。
[0003]短路故障发生后，机械开关打开，在电弧电压作用下，故障电流从机械开关支路转移到半导体支路中。由于机械开关打开后产生的电弧电压较低，半导体在脉冲大电流工况下的通态压降成为影响电流转移的关键因素，是混合式断路器设计过程中的重要参数。尤其是随着电力系统电压等级提升，混合式断路器中串联半导本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种脉冲大电流工况下的半导体通态压降测试主电路拓扑，其特征在于：包括低电压开通电路和脉冲大电流续流电路；所述低电压开通电路由低压电容C、电阻R串联组成，所述的脉冲大电流续流电路由串联的高压电容C0和控制开关S0与二极管D0并联后串联电感L0形成，低电压开通电路和脉冲大电流续流电路通过待测半导体T接入节点Q1和Q2连接，节点Q2接地，藉此与节点Q1构成测试回路；电阻R、待测半导体T断态阻值R1和控制开关S0阻值R
S0
满足R
S0
>>R1>>R，低压电容C的充电电压低于待测半导体T电压传感器的量程。2.一种如权利要求1所述脉冲大电流工况下的半导体通态压降测试主电路拓扑的测量方法，其特征在于，包括以下步骤：（1）将待测半导体T以及低压传感器通过节点Q1和Q2接入测试回路，低压电容C...

【专利技术属性】
技术研发人员：沙新乐，李杰，邹顺，杨晨光，李唯草，
申请(专利权)人：武汉船用电力推进装置研究所中国船舶重工集团公司第七一二研究所，
类型：发明
国别省市：