一种纺织电控系统用双向MOS管导通延时检测装置制造方法及图纸

一种纺织电控系统用双向MOS管导通延时检测装置，包括MCU控制模块，栅极驱动芯片，双向MOS管栅极驱动电路，示波器；MCU控制模块，用于交替发送两种PWM控制信号；栅极驱动芯片，和MCU控制模块电连接，具有信号输入端一INH、信号输入端二INL、电平输出端一DRVH、电平输出端二DRVL；双向MOS管栅极驱动电路包括栅极驱动子电路一以及栅极驱动子电路二，栅极驱动子电路一的电流输入端与电平输出端一DRVH相连接，栅极驱动子电路二的电流输入端与电平输出端二DRVL相连接，栅极驱动子电路一的电流输出端和MOS管N1的栅极相连接，栅极驱动子电路二的电流输出端和MOS管N2的栅极相连接。本实用新型专利技术，实现了对双向MOS管的延时检测。实现了对双向MOS管的延时检测。实现了对双向MOS管的延时检测。

【技术实现步骤摘要】
一种纺织电控系统用双向MOS管导通延时检测装置


[0001]本技术涉及纺织电控系统领域，尤其涉及一种纺织电控系统用双向MOS管导通延时检测装置。

技术介绍

[0002]在纺织电控系统中，通常会应用到双向MOS管来控制纺织机械中各种电机的启停。
[0003]双向 MOS管是将两个独立的MOS整合在一个芯片上，参见图1所示。每一个单独的MOS管的输入端相当于一个很小的电容器，输入开关激励信号的过程，实际上是对这个电容反复充电、放电的过程，在充放电的过程中，双向 MOS管中的两个独立的MOS管导通和关闭均会产生滞后或者延时，所以，需要测试或者验证这种延时是否符合设计要求，以防止双向MOS管应用到纺织电控系统中后严重影响到纺织电控系统的稳定性与安全性。另外，MOS管测试时还需要考虑到MOS管高温条件下的延时情况，并且，对于在高温条件下的测试延时，需要避免高温烫伤等风险。

技术实现思路

[0004]针对现有技术的不足之处，本技术提供一种纺织电控系统用双向MOS管导通延时检测装置。
[0005]一种纺织电控系统用双向MOS管导通延时检测装置，包括MCU控制模块，栅极驱动芯片，双向MOS管栅极驱动电路，示波器；
[0006]所述MCU控制模块，用于交替发送两种PWM控制信号；
[0007]所述栅极驱动芯片，和所述MCU控制模块电连接，具有信号输入端一INH、信号输入端二INL、电平输出端一DRVH、电平输出端二DRVL，所述信号输入端一INH、信号输入端二INL分别用于接收来自MCU控制模块的两种PWM控制信号，并且，所述电平输出端一DRVH在信号输入端一INH接收到PWM控制信号时输出高电平，电平输出端二DRVL在信号输入端二INL接收到PWM控制信号时输出高电平；
[0008]所述双向MOS管栅极驱动电路包括栅极驱动子电路一以及栅极驱动子电路二，栅极驱动子电路一的电流输入端与电平输出端一DRVH相连接，栅极驱动子电路二的电流输入端与电平输出端二DRVL相连接，栅极驱动子电路一的电流输出端和MOS管N1的栅极相连接，栅极驱动子电路二的电流输出端和MOS管N2的栅极相连接；
[0009]所述示波器，用于测试MOS管N1以及MOS管N2的导通延时。
[0010]优选的，所述栅极驱动子电路一中设置有限流电阻R1。
[0011]优选的，所述栅极驱动子电路一中还设置有分压电阻R3，所述分压电阻R3的一端连接到栅极驱动芯片中的开关控制脚SW，另一端连接于限流电阻R1和MOS管N1的栅极相连接的连接点。
[0012]优选的，所述栅极驱动子电路二中设置有限流电阻R2。
[0013]优选的，所述栅极驱动子电路二中设置有分压电阻R4。
[0014]综上所述，本技术具有以下有益效果：
[0015]1：本技术， 实现了对双向MOS管的延时检测。
[0016]2：本技术，通过设置温箱，实现了对双向MOS管的高温延时检测，并大幅降低高温烫伤的风险。
[0017]3：通过MCU控制配合栅极驱动芯片以及双向MOS管栅极驱动电路，能对MOS管的开关频率精确控制，能够方便地试出MOS管的导通延时。
附图说明
[0018]图1为双向MOS管导通延时检测装置的连接图；
[0019]图2为
技术介绍
中双向 MOS管的结构示意图。
具体实施方式
[0020]下面将结合附图，通过具体实施例对本技术作进一步说明。
[0021]实施例：如图1所示，一种纺织电控系统用双向MOS管导通延时检测装置，首先，该双向MOS管中，MOS管N1的漏极连接到供电电压VDD上，MOS管N2的源极连接电阻R5后接地，MOS管N2的漏极与MOS管N1的源极相连。该延时检测装置包括MCU控制模块，栅极驱动芯片，双向MOS管栅极驱动电路，示波器；
[0022]其中，所述MCU控制模块用于交替发送两种PWM控制信号；所述栅极驱动芯片，和所述MCU控制模块电连接，以MP1907AGQ型号的芯片为例，栅极驱动芯片具有信号输入端一INH、信号输入端二INL、电平输出端一DRVH、电平输出端二DRVL，所述信号输入端一INH、信号输入端二INL分别用于接收来自MCU控制模块的两种PWM控制信号，在信号输入端一INH接收到其中一种PWM控制信号时，电平输出端一DRVH输出高电平，电平输出端二DRVL输出低电平，在信号输入端二INL接收到另一种PWM控制信号时，电平输出端二DRVL输出高电平，电平输出端一DRVH输出低电平；
[0023]所述双向MOS管栅极驱动电路包括栅极驱动子电路一以及栅极驱动子电路二，其中，栅极驱动子电路一的电流输入端与电平输出端一DRVH相连接，栅极驱动子电路一的电流输出端和MOS管N1的栅极相连接，栅极驱动子电路二的电流输入端与电平输出端二DRVL相连接，栅极驱动子电路二的电流输出端和MOS管N2的栅极相连接；
[0024]所述示波器，用于测试MOS管N1以及MOS管N2的导通延时，示波器采用两通道示波器，其具有两个探头。
[0025]使用示波器对MOS管N1进行延时检测时，将其中一个探头连接到MOS管N1的栅极，另一个探头连接到MOS管N1的漏极，当电平输出端一DRVH输出高电平、电平输出端二DRVL输出低电平时，电平输出端一DRVH输出大电流，快速给MOS管N1的栅极G充电，促使MOS管N1导通，并在MOS管N1导通后，电压VDD能通过MOS管N1驱动后极电路运行，此时，示波器形成有图像，可通过示波器记录的图像判定MOS管N1的导通延时。
[0026]使用示波器对MOS管N2进行延时检测时，将其中一个探头连接到MOS管N2的栅极，另一个探头连接到MOS管N2的漏极，当电平输出端二DRVL输出高电平、电平输出端一DRVH输出低电平时，电平输出端二DRVL输出大电流，快速给MOS管N2的栅极G充电，促使MOS管N2导通，此时，可通过示波器记录的图像判定MOS管N2的导通延时。
[0027]上述方案，实现了对双向MOS管的延时检测，且，通过MCU控制配合栅极驱动芯片以及双向MOS管栅极驱动电路，能对MOS管的开关频率精确控制，能够方便地试出MOS管的导通延时。
[0028]较佳地，所述栅极驱动子电路一中设置有限流电阻R1，通过限流电阻R1的作用，使得MOS管N1的栅极的充电电压不至于过大，从而对MOS管N1起到保护作用。更进一步地，所述栅极驱动子电路一中还设置有分压电阻R3，所述分压电阻R3的一端连接到栅极驱动芯片中的开关控制脚SW，另一端连接于限流电阻R1和MOS管N1的栅极相连接的连接点，分压电阻R3的设置，可进一步防止MOS管N1的栅极的充电电压过大。
[0029]较佳地，所述栅极驱动子电路二中设置有限流电阻R2，通过限流电阻R2的作用，使得MOS管N2的栅极的充电电压不至于过大，从而对MOS管N2起到保护作用。更进一步地，所述栅极驱动子电路二中设置有分压电本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种纺织电控系统用双向MOS管导通延时检测装置，其特征在于，包括MCU控制模块，栅极驱动芯片，双向MOS管栅极驱动电路，示波器；所述MCU控制模块，用于交替发送两种PWM控制信号；所述栅极驱动芯片，和所述MCU控制模块电连接，具有信号输入端一INH、信号输入端二INL、电平输出端一DRVH、电平输出端二DRVL，所述信号输入端一INH、信号输入端二INL分别用于接收来自MCU控制模块的两种PWM控制信号，并且，所述电平输出端一DRVH在信号输入端一INH接收到PWM控制信号时输出高电平，电平输出端二DRVL在信号输入端二INL接收到PWM控制信号时输出高电平；所述双向MOS管栅极驱动电路包括栅极驱动子电路一以及栅极驱动子电路二，栅极驱动子电路一的电流输入端与电平输出端一DRVH相连接，栅极驱动子电路二的电流输入端与电平输出端二DRVL相连接，栅极驱动子电路一的电流输出端和MOS管N1的栅极相连接，栅极驱动子电路二的电...

【专利技术属性】
技术研发人员：高国敬，潘志高，曾志发，王博平，胡军祥，
申请(专利权)人：浙江恒强科技股份有限公司，
类型：新型
国别省市：