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本发明公开了一种脉冲大电流工况下的半导体通态压降测试主电路拓扑，包括低电压开通电路和脉冲大电流续流电路两个部分，低电压开通电路由低压电容C和电阻R组成，脉冲大电流续流电路由高压电容C0、控制开关S0、电感L0和二极管D0组成；本发明还公开了...该专利属于武汉船用电力推进装置研究所（中国船舶重工集团公司第七一二研究所）所有，仅供学习研究参考，未经过武汉船用电力推进装置研究所（中国船舶重工集团公司第七一二研究所）授权不得商用。