一种智能模块超快速放电电路制造技术

本发明专利技术公开了一种智能模块超快速放电电路，包括MOS管Q14、MOS管Q15、二极管Z4、电阻R79、电阻R80、电阻R81、电阻R82、电阻R84，电阻R80的一端与二极管Z4的正极连接，另一端与电阻R81的一端连接，MOS管Q14的G极与电阻R80和电阻R81之间的公共连接点连接，D极与电阻R79的一端连接，电阻R79的另一端与二极管Z4的负极连接，MOS管Q15的G极分别与MOS管Q14的D极和电阻R82的一端连接，D极与电阻R84的一端连接；电阻R84连接到3.3V进行超快速放电，可以在超短的时间内将其3.3V剩余电量放完，满足智能电源模块对供电的放电的时间和电量的要求。源模块对供电的放电的时间和电量的要求。源模块对供电的放电的时间和电量的要求。

【技术实现步骤摘要】
一种智能模块超快速放电电路


[0001]本专利技术涉及电源快速放电的
，具体为一种智能模块超快速放电电路。

技术介绍

[0002]目前，智能电子产品在不使用关闭电源的情况下，也会有残余的电量存在，使智能电子产品还处于待电状态，长期处于这种状态对智能电子产品的使用寿命造成很大的影响，所以大多数的智能电子产品都有放电模块，对部分储能元器件进行放电。
[0003]普通的智能电源模块只须短暂放电就能达到模块的复位作用，但功能较为庞大智能电源模块对供电的放电有特殊要求（须在0.08S内放电低于0.6V)，目前的快速放电电路约在0.5
‑
1秒内放电至1.5V以下，无法达到智能电源模块对供电的放电的时间和电量的要求。

技术实现思路

[0004]基于此，有必要提供一种结构简单、成本低廉的智能模块超快速放电电路。
[0005]一种智能模块超快速放电电路，包括MOS管Q14、MOS管Q15、二极管Z4、电阻R79、电阻R80、电阻R81、电阻R82、电阻R84，电阻R80的一端与二极管Z4的正极连接，另一端与本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种智能模块超快速放电电路，其特征在于：包括MOS管Q14、MOS管Q15、二极管Z4、电阻R79、电阻R80、电阻R81、电阻R82、电阻R84，电阻R80的一端与二极管Z4的正极连接，另一端与电阻R81的一端连接，MOS管Q14的G极与电阻R80和电阻R81之间的公共连接点连接，D极与电阻R79的一端连接，电阻R79的另一端与二极管Z4的负极连接，MOS管Q15的G极分别与MOS管Q14的D极和电阻R82的一端连接，D极...

【专利技术属性】
技术研发人员：陈道波，
申请(专利权)人：惠州市安规电子有限公司，
类型：发明
国别省市：