一种智能模块超快速放电电路制造技术

本发明专利技术公开了一种智能模块超快速放电电路，包括MOS管Q14、MOS管Q15、二极管Z4、电阻R79、电阻R80、电阻R81、电阻R82、电阻R84，电阻R80的一端与二极管Z4的正极连接，另一端与电阻R81的一端连接，MOS管Q14的G极与电阻R80和电阻R81之间的公共连接点连接，D极与电阻R79的一端连接，电阻R79的另一端与二极管Z4的负极连接，MOS管Q15的G极分别与MOS管Q14的D极和电阻R82的一端连接，D极与电阻R84的一端连接；电阻R84连接到3.3V进行超快速放电，可以在超短的时间内将其3.3V剩余电量放完，满足智能电源模块对供电的放电的时间和电量的要求。源模块对供电的放电的时间和电量的要求。源模块对供电的放电的时间和电量的要求。

【技术实现步骤摘要】
一种智能模块超快速放电电路


[0001]本专利技术涉及电源快速放电的
，具体为一种智能模块超快速放电电路。

技术介绍

[0002]目前，智能电子产品在不使用关闭电源的情况下，也会有残余的电量存在，使智能电子产品还处于待电状态，长期处于这种状态对智能电子产品的使用寿命造成很大的影响，所以大多数的智能电子产品都有放电模块，对部分储能元器件进行放电。
[0003]普通的智能电源模块只须短暂放电就能达到模块的复位作用，但功能较为庞大智能电源模块对供电的放电有特殊要求（须在0.08S内放电低于0.6V)，目前的快速放电电路约在0.5
‑
1秒内放电至1.5V以下，无法达到智能电源模块对供电的放电的时间和电量的要求。

技术实现思路

[0004]基于此，有必要提供一种结构简单、成本低廉的智能模块超快速放电电路。
[0005]一种智能模块超快速放电电路，包括MOS管Q14、MOS管Q15、二极管Z4、电阻R79、电阻R80、电阻R81、电阻R82、电阻R84，电阻R80的一端与二极管Z4的正极连接，另一端与电阻R81的一端连接，MOS管Q14的G极与电阻R80和电阻R81之间的公共连接点连接，D极与电阻R79的一端连接，电阻R79的另一端与二极管Z4的负极连接，MOS管Q15的G极分别与MOS管Q14的D极和电阻R82的一端连接，D极与电阻R84的一端连接。
[0006]在其中一个实施例中，所述智能模块超快速放电电路还包括电容C23，电容C23的一端与输入端V0连接，另一端与地极连接。
[0007]在其中一个实施例中，所述MOS管Q14、MOS管Q15为N
‑
MOS管。
[0008]在其中一个实施例中，所述二极管Z4为稳压二极管。
[0009]上述智能模块超快速放电电路，通过MOS管Q14、MOS管Q15、二极管Z4、电阻R79、电阻R80、电阻R81、电阻R82、电阻R84的配合设置，当智能电源断电时，VO输入电压会突然降低，二极管Z4因得不到至高的电压从而截止，使电阻R80得不到分压，此时MOS管Q14停止工作不导通，电阻R79分压，电阻R82上的电压连接MOS管Q15的G极，使MOS管Q15导通，电阻R84连接到3.3V进行超快速放电，可以在超短的时间内将其3.3V剩余电量放完，满足智能电源模块对供电的放电的时间和电量的要求。
附图说明
[0010]图1为本专利技术一实施例智能模块超快速放电电路的电路图；图2为图1本专利技术一实施例智能模块超快速放电电路的智能模块电源的电路图；图3为图1本专利技术一实施例智能模块超快速放电电路的放电时间和电量的波形图。
[0011]如附图所示，MOS管Q14、MOS管Q15、二极管Z4、电阻R79、电阻R80、电阻R81、电阻R82、电阻R84、电容C23。
具体实施方式
[0012]为使本专利技术的上述目的、特征和优点能够更加明显易懂，下面结合附图对本专利技术的具体实施方式做详细的说明。在下面的描述中阐述了很多具体细节以便于充分理解本专利技术。但是本专利技术能够以很多不同于在此描述的其它方式来实施，本领域技术人员可以在不违背本专利技术内涵的情况下做类似改进，因此本专利技术不受下面公开的具体实施例的限制。
[0013]需要说明的是，当一个元件被认为是“连接”另一个元件，它可以是直接连接到另一个元件或者可能同时存在居中元件。相反，当元件被称作“直接”与另一元件连接时，不存在中间元件。
[0014]除非另有定义，本文所使用的所有的技术和科学术语与属于本专利技术的
的技术人员通常理解的含义相同。本文中在本专利技术的说明书中所使用的术语只是为了描述具体的实施方式的目的，不是旨在于限制本专利技术。本文所使用的术语“和/或”包括一个或多个相关的所列项目的任意的和所有的组合。
[0015]如图1所示，一种智能模块超快速放电电路，包括MOS管Q14、MOS管Q15、二极管Z4、电阻R79、电阻R80、电阻R81、电阻R82、电阻R84，电阻R80的一端与二极管Z4的正极连接，另一端与电阻R81的一端连接，MOS管Q14的G极与电阻R80和电阻R81之间的公共连接点连接，D极与电阻R79的一端连接，电阻R79的另一端与二极管Z4的负极连接，MOS管Q15的G极分别与MOS管Q14的D极和电阻R82的一端连接，D极与电阻R84的一端连接。
[0016]在其中一个实施例中，所述智能模块超快速放电电路还包括电容C23，电容C23的一端与输入端V0连接，另一端与地极连接。
[0017]在其中一个实施例中，所述MOS管Q14、MOS管Q15为N
‑
MOS管。
[0018]在其中一个实施例中，所述二极管Z4为稳压二极管。
[0019]如图2所示，当输入电源VO正常范围输入时，直流电穿过二极管Z4，通过电阻R80、电阻R81给MOS管Q14分压，使MOS管Q14导通致使Q15截止，3.3V正常工作，智能模块电源正常输出；当智能模块电源断电时，输入电源VO的电压会突然降低，二极管Z4因得不到至高的电压从而无法被击穿而截止，使电阻R80得不到分压，此时MOS管Q14停止工作不导通，电阻R79分压，电阻R82上的电压连接MOS管Q15的G极，使MOS管Q15导通，电阻R84连接到3.3V进行超快速放电，可以在超短的时间内将其3.3V剩余电量放完。在本实施例中电阻R84主要是针对智能模块电源中的电容C22进行放电，电阻R84和电容C22并联连接，智能模块电源断电时，可以快速存储在电容C22中的电量迅速放完。
[0020]这样，智能模块超快速放电电路，通过MOS管Q14、MOS管Q15、二极管Z4、电阻R79、电阻R80、电阻R81、电阻R82、电阻R84的配合设置，当智能电源断电时，VO输入电压会突然降低，二极管Z4因得不到至高的电压从而截止，使电阻R80得不到分压，此时MOS管Q14停止工作不导通，电阻R79分压，电阻R82上的电压连接MOS管Q15的G极，使MOS管Q15导通，电阻R84连接到3.3V进行超快速放电，可以在超短的时间内将其3.3V剩余电量放完，满足智能电源模块对供电的放电的时间和电量的要求。
[0021]如图3所示，例如，当智能电源断电时，经过31.1ms，电压可以下降到0.6V以下，满足智能电源模块对供电的放电的时间和电量的要求。
[0022]在其中一个实施例中，所述智能模块超快速放电电路还包括电容C23，电容C23的一端与输入端V0连接，另一端与地极连接。
[0023]这样，通过电容C23的设置，可以过滤掉电路中的高频杂波，减少干扰，保证电路的正常运行。
[0024]以上所述实施例的各技术特征可以进行任意的组合，为使描述简洁，未对上述实施例中的各个技术特征所有可能的组合都进行描述，然而，只要这些技术特征的组合不存在矛盾，都应当认为是本说明书记载的范围。
[0025]以上所述实施例仅表达了本专利技术的几种实施方式，其描述较为具体和本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种智能模块超快速放电电路，其特征在于：包括MOS管Q14、MOS管Q15、二极管Z4、电阻R79、电阻R80、电阻R81、电阻R82、电阻R84，电阻R80的一端与二极管Z4的正极连接，另一端与电阻R81的一端连接，MOS管Q14的G极与电阻R80和电阻R81之间的公共连接点连接，D极与电阻R79的一端连接，电阻R79的另一端与二极管Z4的负极连接，MOS管Q15的G极分别与MOS管Q14的D极和电阻R82的一端连接，D极...

【专利技术属性】
技术研发人员：陈道波，
申请(专利权)人：惠州市安规电子有限公司，
类型：发明
国别省市：