由单晶硅制成的半导体晶片及其生产方法技术

半导体晶片及其生产方法。半导体晶片由单晶硅制成，单晶硅具有根据新ASTM的不低于5.0x10

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】由单晶硅制成的半导体晶片及其生产方法
[0001]本专利技术涉及一种由包含氧和氮的单晶硅制成的半导体晶片，其中该半导体晶片的正面覆盖有由硅制成的外延层。具有沉积的外延层的半导体晶片也称为外延半导体晶片。
[0002]当根据切克劳斯基法(CZ法)从石英坩埚中所含的熔体中提拉用于生产半导体晶片的单晶时，坩埚材料形成掺入单晶以及由单晶所衍生的半导体晶片中的氧源。例如可以借助于控制通过提拉装置的氩气的压力和流量，或者借助于在提拉单晶期间调节坩埚和晶种的旋转，或者借助于施加到熔体上的磁场，或者通过这些措施的组合而十分精确地控制掺入的氧的浓度。
[0003]氧在BMD缺陷(BMD，块体微缺陷)的形成中起着重要作用。BMD是在热处理过程中BMD晶种生长到其中的氧沉淀物。它们充当内部吸除剂，即充当杂质的能量槽(energy sink)，因此从根本上来说它们是有利的。一个例外是它们存在于计划用于容纳电子部件的位置。为了避免在这样的位置处形成BMD，可以在半导体晶片上沉积外延层，并设置为将电子部件容纳在外延层中。
[0004]WO 2019/011638A1公开了一种外延硅本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】1.由单晶硅制成的半导体晶片，所述半导体晶片具有根据新ASTM的不小于5.0x 10
17
原子/cm3且不大于6.5x 10
17
原子/cm3的氧浓度，根据新ASTM的不小于1x 10
13
原子/cm3且不大于1.0x 10
14
原子/cm3的氮浓度，其中所述半导体晶片的正面覆盖有由硅制成的外延层，其中在对该覆盖有外延层的晶片在780℃的温度下进行3小时时段的热处理并在600℃的温度下进行10小时时段的热处理之后，所述半导体晶片包含BMD，通过透射电子显微镜确定，所述BMD的平均尺寸不超过10nm，并且通过反应离子刻蚀确定，所述BMD在邻近所述外延层的区域中的平均密度不低于1.0x10
11
cm
‑3。2.根据权利要求1所述的晶片，其中所述半导体晶片具有至少95％的镍吸除效率。3.根据权利要求1和2任一项所述的晶片，其中BMD的平均密度在邻近所述外延层的区域中沿深度方向降低。4.根据权利要求1至3任一项所述的晶片，其中在与所述外延层和所述半导体晶片的正面之间的界面间隔不小于2μm且不大于7μm并且具有至少35μm深度的所述半导体晶片的区域中存在位错...

【专利技术属性】
技术研发人员：A，
申请(专利权)人：硅电子股份公司，
类型：发明
国别省市：