一种芯片封装结构及芯片模组制造技术

本实用新型专利技术涉及芯片封装技术领域，具体提供一种芯片封装结构及芯片模组。本实用新型专利技术的芯片封装结构包括基板、第一芯片装置、第二芯片装置以及填充料，基板设有具有至少两个开窗的第一承载结构，第一芯片装置与第二芯片装置分别通过凸块倒装在开窗内，填充料覆盖第一芯片装置、第二芯片装置以及第一承载结构，第一芯片装置与基板之间形成第一空腔，填充料填充至第二芯片装置与基板之间的区域并形成第二空腔。本实用新型专利技术的芯片封装结构中，填充料填充至芯片装置与基板之间并形成有空腔，从而能够避免填充料受热膨胀导致封装结构不稳定，提高芯片封装结构的稳定性。高芯片封装结构的稳定性。高芯片封装结构的稳定性。

【技术实现步骤摘要】
一种芯片封装结构及芯片模组


[0001]本技术涉及芯片封装
，尤其涉及一种芯片封装结构及芯片模组。

技术介绍

[0002]随着电子设备的小型化，市场对芯片的集成度要求越来越高，通常是将不同功能的芯片集成在一起，倒装在基板上。通常地，滤波功能的芯片如声表面波(Surface Acoustic Wave，SAW)滤波器芯片以及体声波(Bulk Acoustic Wave，BAW)滤波器芯片等，在封装过程中要求与基板之间具有空腔结构，以满足其功能、性能或者其他特殊的要求，非滤波功能的芯片也倒装设置在基板上。在实践中发现，温度的变化会导致芯片的封装结构出现不稳定的情况。

技术实现思路

[0003]本技术实施例提供一种芯片封装结构及芯片模组，能够提高芯片封装结构的稳定性。
[0004]本技术实施例第一方面提供了一种芯片封装结构，包括：
[0005]基板，其一面设有第一承载结构，所述第一承载结构具有至少两个开窗；
[0006]第一芯片装置，包括第一芯片和多个第一凸块，所述第一芯片装置通过所述多个第一凸块倒装于所述至少两个开窗的第一开窗内；
[0007]第二芯片装置，包括第二芯片和多个第二凸块，所述第二芯片装置通过所述多个第二凸块倒装于所述至少两个开窗的第二开窗内；
[0008]填充料，覆盖所述第一芯片装置、第二芯片装置以及所述第一承载结构，使得所述第一芯片装置与所述基板之间形成第一空腔，所述填充料填充至所述第二芯片装置与所述基板之间的区域，并形成第二空腔。
[0009]可选的，所述第一芯片装置在朝向所述基板的第一正投影的中间区域位于所述第一开窗内，所述第一正投影的边缘区域位于所述第一承载结构上；
[0010]可选的，所述第二芯片装置在朝向所述基板的第二正投影位于所述第二开窗内。
[0011]可选的，所述第二芯片装置在朝向所述基板的第二正投影的中间区域位于所述第二开窗内，所述第二正投影的边缘区域位于所述第一承载结构上。
[0012]可选的，所述填充料包括含有颗粒物的密封树脂。
[0013]可选的，所述第二芯片装置与所述第一承载结构之间的距离h2大于所述颗粒物的最大粒径。
[0014]可选的，所述第一芯片装置与所述第一承载结构之间的距离h1小于或等于所述颗粒物的最大粒径。
[0015]可选的，所述第一芯片装置与所述第一承载结构之间的距离h1小于5um。
[0016]可选的，所述基板还设有第二承载结构；
[0017]所述第二承载结构位于所述第一开窗内；和/或，
[0018]所述第二承载结构位于所述第二开窗内。
[0019]可选的，所述第一芯片为滤波功能芯片，所述第二芯片为非滤波功能芯片。
[0020]可选的，所述芯片封装结构还包括保护层，所述保护层贴合所述第一芯片装置的外表面，并铺设至所述第一承载结构上，以隔离所述第一空腔与所述填充料。
[0021]可选的，所述第一芯片装置的外表面包括远离所述基板的第一正面，贴合于所述第一正面的保护层具有一开口。
[0022]可选的，所述第一正面暴露于所述开口的区域与所述填充料接触。
[0023]可选的，所述保护层还贴合所述第二芯片装置的外表面，并与位于所述第一承载结构上的保护层之间不连续，以在所述第二芯片装置与所述第一承载结构之间形成使所述填充料进入的通道。
[0024]可选的，所述第二芯片装置的外表面包括侧面以及远离所述基板的第二正面，所述第二正面贴合有所述保护层，所述侧面的至少一部分未贴合有所述保护层。
[0025]可选的，所述第二空腔在朝向所述基板的正投影面积为s，所述第二芯片装置在朝向所述基板的正投影面积S，0.2S≤s≤0.8S。
[0026]可选的，1/3S≤s≤2/3S。
[0027]本技术实施例第二方面提供了一种芯片封装结构，其特征在于，包括：
[0028]基板，其一面设有承载结构，所述承载结构具有至少两个开窗；
[0029]第一芯片装置，倒装于所述至少两个开窗的第一开窗内；
[0030]第二芯片装置，倒装于所述至少两个开窗的第二开窗内；
[0031]第一填充料，填充至所述第二芯片装置与所述基板之间的区域，并形成第二空腔；
[0032]第二填充料，覆盖所述第一芯片装置、所述第二芯片装置、所述第一填充料以及所述承载结构，使得所述第一芯片装置与所述基板之间形成第一空腔。
[0033]本技术实施例第三方面提供了一种芯片封装结构，其特征在于，包括：
[0034]基板，包括第一表面；
[0035]第一芯片装置，倒装于所述基板的第一表面上；
[0036]第二芯片装置，倒装于所述基板的第一表面上；
[0037]保护层，贴合所述第一芯片装置的外表面和所述第二芯片装置的外表面，并铺设至所述基板上，使得所述第一芯片装置与所述基板之间形成第一空腔；
[0038]填充料，覆盖所述保护层，并填充至所述第二芯片装置与所述基板之间的区域，所述第二芯片装置与所述基板之间形成第二空腔。
[0039]可选的，所述第二芯片装置包括多个第二凸块，所述第二芯片装置通过所述多个第二凸块倒装于所述基板的第一表面上，所述填充料至少部分覆盖所述多个第二凸块中的至少一个第二凸块。
[0040]本技术实施例第四方面提供了一种芯片模组，包括上述任一芯片封装结构。
[0041]本技术实施例中，芯片封装结构包括基板、第一芯片装置、第二芯片装置以及填充料，基板设有具有至少两个开窗的第一承载结构，第一芯片装置与第二芯片装置分别通过凸块倒装在开窗内，填充料覆盖第一芯片装置、第二芯片装置以及第一承载结构，第一芯片装置与基板之间形成第一空腔，填充料填充至第二芯片装置与基板之间的区域并形成第二空腔。本技术的芯片封装结构中，填充料填充至芯片装置与基板之间并形成有空
腔，从而能够避免填充料受热膨胀导致封装结构不稳定，提高芯片封装结构的热稳定性。
附图说明
[0042]为了更清楚地说明本技术实施例的技术方案，下面将对本技术实施例的描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本技术的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动性的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。
[0043]图1是本技术实施例提供的一种芯片封装结构的示意图；
[0044]图2是本技术实施例提供的另一种芯片封装结构示意图；
[0045]图3是本技术实施例提供的又一种芯片封装结构的示意图；
[0046]图4是本技术实施例提供的又一种芯片封装结构的示意图；
[0047]图5是本技术实施例提供的又一种芯片封装结构的示意图；
[0048]图6A是本技术实施例提供的第一芯片装置的一俯视图；
[0049]图6B是本技术本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种芯片封装结构，其特征在于，包括：基板，其一面设有第一承载结构，所述第一承载结构具有至少两个开窗；第一芯片装置，包括第一芯片和多个第一凸块，所述第一芯片装置通过所述多个第一凸块倒装于所述至少两个开窗的第一开窗内；第二芯片装置，包括第二芯片和多个第二凸块，所述第二芯片装置通过所述多个第二凸块倒装于所述至少两个开窗的第二开窗内；填充料，覆盖所述第一芯片装置、第二芯片装置以及所述第一承载结构，使得所述第一芯片装置与所述基板之间形成第一空腔，所述填充料填充至所述第二芯片装置与所述基板之间的区域，并形成第二空腔。2.根据权利要求1所述的芯片封装结构，其特征在于，所述第一芯片装置在朝向所述基板的第一正投影的中间区域位于所述第一开窗内，所述第一正投影的边缘区域位于所述第一承载结构上。3.根据权利要求1或2所述的芯片封装结构，其特征在于，所述第二芯片装置在朝向所述基板的第二正投影位于所述第二开窗内。4.根据权利要求1或2所述的芯片封装结构，其特征在于，所述第二芯片装置在朝向所述基板的第二正投影的中间区域位于所述第二开窗内，所述第二正投影的边缘区域位于所述第一承载结构上。5.根据权利要求1所述的芯片封装结构，其特征在于，所述填充料包括含有颗粒物的密封树脂。6.根据权利要求5所述的芯片封装结构，其特征在于，所述第二芯片装置与所述第一承载结构之间的距离h2大于所述颗粒物的最大粒径。7.根据权利要求5或6所述的芯片封装结构，其特征在于，所述第一芯片装置与所述第一承载结构之间的距离h1小于或等于所述颗粒物的最大粒径。8.根据权利要求1所述的芯片封装结构，其特征在于，所述第一芯片装置与所述第一承载结构之间的距离h1小于5um。9.根据权利要求1所述的芯片封装结构，其特征在于，所述基板还设有第二承载结构；所述第二承载结构位于所述第一开窗内；和/或，所述第二承载结构位于所述第二开窗内。10.根据权利要求1所述的芯片封装结构，其特征在于，所述第一芯片为滤波功能芯片，所述第二芯片为非滤波功能芯片。11.根据权利要求1所述的芯片封装结构，其特征在于，所述芯片封装结构还包括保护层，所述保护层贴合所述第一芯片装置的外表面，并铺设至所述第一承载结构上，以隔离所述第一空腔与所述填充料。12.根据权利要求11所述的芯片封装结构，其特征在于，所述第一芯片装置的外表面包括远离所述基板的...

【专利技术属性】
技术研发人员：倪建兴，王华磊，
申请(专利权)人：锐石创芯重庆科技有限公司，
类型：新型
国别省市：