一种下研磨盘和研磨机制造技术

本实用新型专利技术实施例公开的一种下研磨盘，下研磨盘的上盘面为研磨面，且该研磨面设有用于排放研磨液的溢流槽，溢流槽至少包括沿第一方向延伸的第一溢流槽和沿第二方向延伸的第二溢流槽，第一溢流槽和第二溢流槽至少有一者是渐深槽，渐深槽沿靠近下研磨盘的中心至边缘的方向上，深度增加。本实用新型专利技术提供的下研磨盘可以减少研磨时研磨液的堆积，减少晶片划伤、裂纹、碎片等情况的发生，同时延长下研磨盘的使用寿命。本实用新型专利技术还公开了一种研磨机。本实用新型专利技术还公开了一种研磨机。本实用新型专利技术还公开了一种研磨机。

【技术实现步骤摘要】
一种下研磨盘和研磨机


[0001]本技术涉及研磨机
，更具体地说，涉及一种下研磨盘和研磨机。

技术介绍

[0002]目前最常用的化合物半导体材料有GaAs、GaN以及SiC等，因化合物半导体材料在高功率、高频率等方面特有的优势，其在信息通信、光电应用以及新能源汽车等产业中有着不可替代的地位。化合物半导体的前期加工过程包括晶体生长、切片、研磨、抛光等工序，其中，双盘研磨机是研磨半导体晶片的高精研磨工件的专用机种，上、下研磨盘为其主要工作部件，直接主导着研磨产品的品质和技术参数。上研磨盘安装在垂直升降的支架上，下研磨盘设置在与上研磨盘相对应的机座上。
[0003]现有的双盘研磨机的下研磨盘一般为铸铁研磨盘，如图1所示，下研磨盘上的溢流槽为深度a的等深槽，在长期作业下研磨盘的研磨面被磨掉一定的厚度后，研磨面上的溢流槽变浅，容易使研磨液堆积，造成研磨时晶片划伤、裂纹、碎片等情况的发生，影响下研磨盘的使用寿命。
[0004]因此，需要一种研磨时不易造成研磨液堆积的研磨盘以及研磨机，以减少晶片划伤、裂纹、碎片等情况的发生，同时延长下研磨盘和研磨机的使用寿命。

技术实现思路

[0005]有鉴于此，本技术的目的在于提供一种下研磨盘，以减少研磨时研磨液的堆积，减少晶片划伤、裂纹、碎片等情况，同时延长下研磨盘的使用寿命。
[0006]本技术的另一目的在于提供一种具有上述下研磨盘的研磨机。
[0007]为实现上述目的，本技术提供如下技术方案：
[0008]一种下研磨盘，所述下研磨盘的上盘面为研磨面，且所述研磨面设有用于排放研磨液的溢流槽，所述溢流槽至少包括沿第一方向延伸的第一溢流槽和沿第二方向延伸的第二溢流槽，所述第一溢流槽和所述第二溢流槽至少一者为渐深槽，所述渐深槽沿靠近所述下研磨盘的中心至边缘的方向上，深度逐渐增加。
[0009]可选地，在上述下研磨盘中，所述第一溢流槽和所述第二溢流槽均为所述渐深槽。
[0010]可选地，在上述下研磨盘中，所述第一溢流槽与所述第二溢流槽在相交处平缓过渡。
[0011]可选地，在上述下研磨盘中，所述第一方向与所述第二方向呈直角。
[0012]可选地，在上述下研磨盘中，所述溢流槽为等宽槽或扩口槽，所述扩口槽沿的顶部开口处的宽度大于底部宽度。
[0013]可选地，在上述下研磨盘中，所述第一溢流槽为平行间隔布置的多条，与所述下研磨盘1的中心孔连通的所述第一溢流槽为第一中心区域溢流槽，其余所述第一溢流槽为第一边缘区域溢流槽，所述第一中心区域溢流槽由所述下研磨盘的中心孔延伸至所述下研磨盘的边缘，所述第一边缘区域溢流槽的两端均延伸至所述下研磨盘的边缘；
[0014]所述第二溢流槽为平行间隔布置的多条，与所述下研磨盘1的中心孔连通的所述第二溢流槽为第二中心区域溢流槽，其余所述第二溢流槽为第二边缘区域溢流槽，所述第二中心区域溢流槽由所述下研磨盘的中心孔延伸至所述下研磨盘的边缘，所述第二边缘区域溢流槽的两端均延伸至所述下研磨盘的边缘。
[0015]可选地，在上述下研磨盘中，所述溢流槽的底壁截面为直线或曲线。
[0016]可选地，在上述下研磨盘中，所述渐深槽最浅处的深度为14
‑
16mm，最深处的深度为20
‑
25mm。
[0017]可选地，在上述下研磨盘中，所述下研磨盘为铸铁研磨盘。
[0018]一种研磨机，包括上研磨盘和上述任一项所述的下研磨盘，所述下研磨盘安装于机座上，所述上研磨盘安装于垂直升降的支架上，且与所述机座位置相对应。
[0019]本技术提供的下研磨盘，其上盘面为研磨面，在研磨面上开设有沿第一方向延伸的第一溢流槽和沿第二方向延伸的第二溢流槽，由于第一溢流槽和第二溢流槽之中至少一者是沿靠近下研磨盘的中心至边缘的方向上，深度逐渐增加的渐深槽，也即，第一溢流槽和第二溢流槽之中至少一者的深度在沿靠近下研磨盘的中心至边缘的方向上存在一定的落差。所以在下研磨盘进行研磨作业时，研磨面上的研磨液可以通过渐深槽的落差，由下研磨盘的边缘排出。相较于现有技术中，下研磨盘的溢流槽深度保持一致，本技术提供的下研磨盘的溢流槽具有沿靠近下研磨盘的中心至边缘的方向的落差，更加便于研磨液由下研磨盘的边缘流出，减少了研磨时晶片划伤、裂纹、碎片等情况的发生，延长下研磨盘的使用寿命。
[0020]本技术提供的研磨机，具有上述下研磨盘，所以同样具有上述优点；上研磨盘安装于垂直升降的支架上，且与机座的位置相对应，用于研磨作业时上研磨盘与下研磨盘相配合。
附图说明
[0021]为了更清楚地说明本技术实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本技术的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。
[0022]图1为现有技术中下研磨盘第一边缘区域溢流槽剖视图；
[0023]图2为本技术实施例提供的下研磨机的结构示意图；
[0024]图3为本技术实施例提供的下研磨盘俯视图；
[0025]图4为本技术实施例提供的下研磨盘第一边缘区域溢流槽剖视图。
[0026]其中，1为下研磨盘，2为第一溢流槽，3为第二溢流槽。
具体实施方式
[0027]本技术的核心在于提供一种下研磨盘和研磨机，以减少研磨时研磨液的堆积，减少晶片划伤、裂纹、碎片等情况的发生，同时延长下研磨盘的使用寿命。
[0028]以下，参照附图对实施例进行说明。此外，下面所示的实施例不对权利要求所记载的
技术实现思路
起任何限定作用。另外，下面实施例所表示的构成的全部内容不限于作为
权利要求所记载的技术的解决方案所必需的。
[0029]在长期作业时，下研磨盘的研磨面被磨掉一定的厚度后，研磨面上的溢流槽变浅，容易使研磨液堆积，造成研磨时晶片划伤、裂纹、碎片等情况的发生，影响下研磨盘的使用寿命。
[0030]本申请专利技术人经过研究发现，主要原因是，研磨液在溢流槽内的流速较低，使得研磨液内的杂质沉淀，导致溢流槽进一步变浅，阻碍了研磨液的流出。基于专利技术人的发现，本申请专利技术人提出了一种新型的下研磨盘结构，具体内容如下。
[0031]如图3所示，本技术公开了一种下研磨盘1，下研磨盘1通常为铸铁研磨盘，该下研磨盘1的上盘面为研磨面，且研磨面设有用于排放研磨液的溢流槽，溢流槽至少包括沿第一方向延伸的第一溢流槽2和沿第二方向延伸的第二溢流槽3，第一溢流槽2和第二溢流槽3至少有一者为渐深槽，即可以仅将第一溢流槽2设计为渐深槽，也可以仅将第二溢流槽3设计为渐深槽，还可同时将第一溢流槽2和第二溢流槽3均设计为渐深槽，沿靠近下研磨盘1的中心至边缘的方向上，渐深槽的深度逐渐增加，以增加渐深槽内研磨液的流速，从而减少研磨液因流速慢导致的杂质沉淀问题。
[0032]本实本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种下研磨盘，其特征在于，所述下研磨盘(1)的上盘面为研磨面，且所述研磨面设有用于排放研磨液的溢流槽，所述溢流槽至少包括沿第一方向延伸的第一溢流槽(2)和沿第二方向延伸的第二溢流槽(3)，所述第一溢流槽(2)和所述第二溢流槽(3)至少一者为渐深槽，所述渐深槽沿靠近所述下研磨盘(1)的中心至边缘的方向上，深度逐渐增加。2.如权利要求1所述的下研磨盘，其特征在于，所述第一溢流槽(2)和所述第二溢流槽(3)均为所述渐深槽。3.如权利要求2所述的下研磨盘，其特征在于，所述第一溢流槽(2)与所述第二溢流槽(3)在相交处平缓过渡。4.如权利要求3所述的下研磨盘，其特征在于，所述第一方向与所述第二方向呈直角。5.如权利要求1所述的下研磨盘，其特征在于，所述溢流槽为等宽槽或扩口槽，所述扩口槽的顶部开口处的宽度大于底部宽度。6.如权利要求1
‑
5任一项所述的下研磨盘，其特征在于，所述第一溢流槽(2)为平行间隔布置的多条，与所述下研磨盘(1)的中心孔连通的所述第一溢流槽(2)为第一中心区域溢流槽，其余所述第一溢流槽(2)为第一边缘区域溢流槽，所述第一中心区域溢流槽由所述下研磨盘...

【专利技术属性】
技术研发人员：毛伟文，罗贤伟，李奔，
申请(专利权)人：广东先导微电子科技有限公司，
类型：新型
国别省市：