【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及半导体材料制备，特别是涉及一种修复晶圆锯纹的研磨减薄方法。
技术介绍
1、锗(ge)是一种重要的间接跃迁型半导体材料，被广泛应用于航天航空领域。相比传统的硅和砷化镓衬底上外延的太阳能电池，锗单晶衬底上外延的砷化镓太阳能电池具有耐高温、抗太空辐射能力强、光电转换效率高、可靠性强和寿命长等优势。
2、然而，在锗衬底晶棒加工过程中，若出现跳线、断线等异常切割状况，会导致最终得到的晶片表面存在严重的锯纹或厚度不均匀问题。这种情况对后续加工环节的影响颇大，会直接造成大量不合格产品及低良品率的问题。
3、锗片传统工艺加工为对切割后的晶片使用研磨液进行研磨，达到去除切割过程中的锯纹和损伤，使晶片ttv降低到一定范围，对于高ttv(total thickness variation，即总厚度偏差)的锗晶片而言，使用传统的研磨工艺难以有效去除锯纹与厚度不均现象，研磨时需损耗大量原材料才能完成对晶片表面的修复，且研磨时也会造成新的的损伤层。研磨时损耗过多会影响后道加工工艺的进行，造成晶片成品率的大幅降低，甚至全部报废，...
【技术保护点】
1.一种修复晶圆锯纹的研磨减薄方法，其特征在于，包括如下步骤：
2.根据权利要求1所述的修复晶圆锯纹的研磨减薄方法，其特征在于，对切割后的晶圆进行测厚，以获得第一总厚度偏差包括：
3.根据权利要求1所述的修复晶圆锯纹的研磨减薄方法，其特征在于，获取所述减薄量，并对所述晶圆的主面、背面进行逐步多次机械减薄至第一预设厚度包括：
4.根据权利要求3所述的修复晶圆锯纹的研磨减薄方法，其特征在于，所述第一次减薄的减薄量不小于5μm，所述第二次减薄的减薄量不小于3μm，所述第三次减薄的减薄量不小于2μm。
5.根据权利要求1所述的修...
【技术特征摘要】
1.一种修复晶圆锯纹的研磨减薄方法，其特征在于，包括如下步骤：
2.根据权利要求1所述的修复晶圆锯纹的研磨减薄方法，其特征在于，对切割后的晶圆进行测厚，以获得第一总厚度偏差包括：
3.根据权利要求1所述的修复晶圆锯纹的研磨减薄方法，其特征在于，获取所述减薄量，并对所述晶圆的主面、背面进行逐步多次机械减薄至第一预设厚度包括：
4.根据权利要求3所述的修复晶圆锯纹的研磨减薄方法，其特征在于，所述第一次减薄的减薄量不小于5μm，所述第二次减薄的减薄量不小于3μm，所述第三次减薄的减薄量不小于2μm。
5.根据权利要求1所述的修复晶圆锯纹的研磨减薄方法，其特征在于，对所述晶圆的背面进行减薄，以至所述晶圆达到第二预设厚度之前还包括...
【专利技术属性】
技术研发人员：刘瑞雄，曾琦，廖彬，周铁军，王驭辉，翁吉露，
申请(专利权)人：广东先导微电子科技有限公司，
类型：发明
国别省市：
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