声表面波器件制造技术

提供改善一对平衡信号端子间的平衡度的声表面波器件。该器件在压电基片上沿声表面波传播方向分别配置叉指换能器（１０３～１０５、１０３Ａ～１０５Ａ）中的至少一个，并且具有输入信号端子（１１０）和输出信号端了（１１１、１１２）。输出信号端子（１１０、１１２）是第１、第２平衡信号端子。在第１平衡信号端子（１１１）或第２平衡信号端子（１１２）附加压电基片上形成的容抗分量（１１８）。（*该技术在2022年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及例如频带滤波器等之中采用的声表面波器件，尤其涉及输入侧和/或输出侧具有一对平衡信号端子的声表面波器件。
技术介绍
近年来，移动电话机的小型化和轻型化不断进步。因此，移动电话机正在不断减少组件部件数，进行部件小型化和功能复合化。鉴于上述状况，提出种种方案，使移动电话机射频段用的声表面波滤波器具有称为平衡转换器功能的平衡—不平衡转换功能。图24是表示含已有平衡—不平衡变换功能的声表面波器件的电极结构的模式性平面图。这里，沿声表面波传播方向配置第1～第3叉指换能器(以下简称为IDT，interdigital transducer)601～603。在设置IDT601～603的区域的声表面波传播方向两侧配置反射器604和605。IDT601～603的电极指间距所规定的波长为λI时，使得IDT601与IDT602的间隔以及IDT602与IDT603的间隔均为0.75λI。通过加粗IDT602两端的电极指609、610，可减小IDT与IDT之间的空隙部分，降低体波辐射造成的损耗。在图23中，端子606、607是平衡信号端了，端子608是不平衡信号端子。在具有平衡—不平衡变换功能的声表面波滤波器中，要求不平衡信号端子608与平衡信号端子606之间以及不平衡信号端子608与平衡端子607之间各自的通带内传输特性在振幅特性上相等而且相位翻转180度。将该振幅特性相等的条件称为振幅平衡度，相位翻转180度的程度则称为相位平衡度。设具有平衡—不平衡变换功能的声表面波滤波器为3端口的装置，例如，当设不平衡输入端子为端口1、平衡输出端子分别为端口2、端口3时，如下述这样定义上述振幅平衡度以及相位平衡度。振幅平衡度＝|A|，其中A＝|20 logS21|-|20 logS31|，相位平衡度＝|B-180|，其中B＝|∠S21-∠S31|。又，S21和S31分别表示从端口1到端口2的传递系数、从端口1到端口3的传递系数。理想的情况下，需要滤波器通带内振幅平衡度为0dB，相位平衡度为0度。然而，在图24所示的结构中，要取得具有平衡—不平衡变换功能的滤波器，要取得具有平衡—不平衡变换功能的滤波器，则IDT602的电极指根数为奇数，因而与平衡信号端子606连接的电极指的数量比与平衡信号端子607连接的电极指的数量要多一根，而存在平衡度差的问题。此问题随滤波器中心频率变高尤其为显著，对于DCS和PCS所用那样1.9GHz附近成为中心频率的滤波器，则不能得到足够的平衡度。本专利技术的目的在于解决上述已有技术的缺点，提供改善一对平衡信号端子间的平衡度的声表面波器件。
技术实现思路
本专利技术第1方面声表面波器件具有压电基片、在所述压电基片上沿表面波传播方向配置的至少一个叉指换能器以及输入信号端子和输出信号端子；所述输入信号端子和输出信号端子中的至少一方具有第1、第2平衡信号端子，所述声表面波器件还具有附加在所述第1平衡信号端子或第2平衡信号端子上且形成在所述压电基片上的电抗分量。本专利技术第2方面的声表面波器件具有压电基片、在所述压电基片上沿表面波传播方向配置的至少一个叉指换能器以及输入信号端子和输出信号端子；输入信号端子和输出信号端子中的至少一方具有第1、第2平衡信号端子，所述声表面波器件还具有分别附加在所述第1、第2平衡信号端子上且形成在所述压电基片上的第1、第2电抗分量，并且第1、第2电抗分量不同。在本专利技术的第1、第2方面中，声表面波器件具有3个以上的叉指换能器，由该3个以上的叉指换能器构成纵向耦合谐振子型声表面波滤波器。又，在本专利技术的另一方面中，所述电抗分量是容抗分量，而且与所述平衡信号端子并联。所述容抗分量最好用形成压在电基片上形的电容电极构成。本专利技术涉及的双工器具有按照本专利技术构成的声表面波器件以用作频带滤波器。本专利技术涉及的通信机具有按照本专利技术构成的声表面波器件以用作频带滤波器。附图说明图1是表示本专利技术实施例的声表面波器件的电极结构的模式性平面图。图2是表示图1所示实施例的声表面波器件在压电基片上的实际电极配置的模式性平面图。图3是表示已有技术例的声表面波器件电极结构的平面图。图4是表示实施例和已有技术例的声表面波器件的振幅对频率特性的曲线图。图5是表示实施例和已有技术例声表面波器件的振幅一S11 VSWR特性的曲线图。图6是表示实施例和已有技术例声表面波器件的振幅一S12 VSWR特性的曲线图。图7是表示实施例和已有技术例声表面波器件的振幅—振幅平衡度的曲线图。图8是表示实施例和已有技术例声表面波器件的频率—相位平衡度的曲线图。图9是表示实施例和比较例声表面波器件的频率一振幅特性的曲线图。图10是表示实施例和比较例的S11-VSWR特性的曲线图。图11是表示实施例和比较例的S12-VSWR特性的曲线图。图12是表示实施例和比较例的声表面波器件的频率—振幅平衡度的曲线图。图13是表示实施例和比较例的声表面波器件的频率—相位平衡度的曲线图。图14是表示实施例和比较例的声表面波器件在更宽频率范围的频率—振幅特性。图15是表示图2所示变换例的平面图，该变换例形成由梳形电极组成的电容电极以构成电抗分量。图16是表示具有采用本专利技术的平衡—不平衡变换功能的声表面波器件中电极结构变换例的模式性平面图。图17是表示具有采用本专利技术的平衡—不平衡变换功能的声表面波器件中电极结构另一变换例的模式性平面图。图18是表示具有采用本专利技术的平衡—不平衡变换功能的声表面波器件中电极结构再一变换例的模式性平面图。图19是表示具有采用本专利技术的平衡—不平衡变换功能的声表面波器件中电极结构另一变换例的模式性平面图。图20是表示具有采用本专利技术的平衡—不平衡变换功能的声表面波器件中电极结构再一变换例的模式性平面图。图21是表示具有采用本专利技术的平衡—不平衡变换功能的声表面波器件中电极结构又一变换例的模式性平面图。图22是说明具有采用本专利技术所涉及声表面波器件的双工器的通信机用的概略框图。图23是表示已有声表面波滤波器电极结构的模式性平面图。图24是尚未公知但将本专利技术作为前提的声表面波器件的概略框图。符号1为声表面波器件，2为压电基片，101、102为纵向耦合谐振子型声表面波滤波器，103～105、103A105A为IDT，106、107、106A、107A为反射器，110为不平衡信号端子，111、112为第1、第2平衡信号端子，113～117为信号线，118为容抗分量，119～112为接地端子，160为通信机，164、164A为声表面波滤波器，201～204为纵向耦合谐振子型声表面波滤波器，205、206为平衡信号端子，301为声表面波谐振子，302、303为平衡信号端子，311、312为纵向耦合谐振子型声表面波滤波器，313为声表面波谐振子，320为声表面波滤波器，321～325为IDT。具体实施例方式下面，通过参照附图说明本专利技术的具体实施例，由此可了解本专利技术。虽然尚未公知，但在日本专利申请2001-115642号公报中，作为具有平衡—不平衡变换功能的声表面波器件内改变平衡度的结构，揭示了在一对平衡信号端子的一方附加延迟线或电抗分量的结构。其中，上述延迟线或电抗分量附加在声表面波器件外部，或形成于收装声表面波器件的壳体内。例如，如图25所示，声表面波器件401具有一对本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种声表面波器件，具有压电基片、在所述压电基片上沿表面波传播方向配置的至少一个叉指换能器以及输入信号端子和输出信号端子，其特征在于， 所述输入信号端子和输出信号端子中的至少一方具有第１、第２平衡信号端子， 所述声表面波器件还具有附加在所述第１平衡信号端子或第２平衡信号端子上且形成在所述压电基片上的电抗分量。

【技术特征摘要】
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【专利技术属性】
技术研发人员：高峰裕一，泽田曜一，
申请(专利权)人：株式会社村田制作所，
类型：发明
国别省市：JP[日本]