碳化硅晶体制造设备、其控制装置及生成学习模型和控制其的方法制造方法及图纸

控制装置具有学习模型，该学习模型从在制造SiC晶体的条件下能观测的第一物理量输出在制造SiC晶体的条件下不能观测的第二物理量的估计值。控制装置使用基于SiC晶体制造设备的结构数据的模拟模型的模拟结果作为教师数据通过机械学习生成基础学习模型。控制装置获取所述第一物理量和在不能制造SiC晶体但能观测第二物理量的条件下测量的第二物理量的测量值，并生成基于测量值对基础学习模型的输出进行校正的学习模型。行校正的学习模型。行校正的学习模型。

【技术实现步骤摘要】
碳化硅晶体制造设备、其控制装置及生成学习模型和控制其的方法


[0001]本公开涉及一种碳化硅(SiC)晶体制造设备、一种SiC晶体制造设备的控制装置、以及一种生成学习模型和控制SiC晶体制造设备的方法。

技术介绍

[0002]在制造SiC晶体时，SiC晶体生长的腔室内(特别是晶体生长表面)需要被加热到非常高的温度(晶体生长表面上2000℃或更高)，并且腔室的内壁需要利用不透明的隔热材料覆盖。另外，由于与向晶体生长表面供给原料的路径的位置干涉，因此不可能在腔室中的晶体生长表面等上安装传感器来测量制造SiC晶体时的状态。JP 2018
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169818 A公开了一种技术，用于通过仅使用基于理论公式的模拟结果作为教师数据并仅将手动指令信号设定为输入值的机器学习来生成预测模型，并使用预测模型显示腔室中理论预测状态的图像。在JP 2018
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169818 A公开的技术中，从半导体晶体制造设备输出的第一状态被输入到机器学习的预测模型中。基于从预测模型输出的第二状态生成的图像显示在制造设备的外部。第一状态是制造设备的内部状态本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种碳化硅(SiC)晶体制造设备，包括：腔室，在所述腔室中由原料生成SiC晶体；执行器，其配置为控制用于生成所述SiC晶体的制造条件；第一传感器，其配置为测量在所述腔室中制造所述SiC晶体的条件下能观测的第一物理量；和控制装置，其具有学习模型，所述学习模型从所述第一传感器的测量值输出第二物理量的估计值，所述第二物理量在制造所述SiC晶体的条件下不能被观测，所述控制装置配置为对所述执行器进行反馈控制，使得在制造所述SiC晶体时从所述学习模型输出的估计值与所述第二物理量的目标值之间的差变小，其中所述控制装置包括基础模型生成模块，其配置为使用第一模拟结果作为教师数据通过机械学习生成基础学习模型，所述第一模拟结果是使用基于所述SiC晶体制造设备的结构数据的模拟模型生成的一组第一物理量和第二物理量的多个模拟结果，实验结果获取模块，其配置为获取一组第一传感器测量值和第二传感器测量值的多个实验结果，所述第一传感器测量值是所述第一传感器的测量值，并且所述第二传感器测量值是第二传感器的测量值，所述第二传感器配置为在不能制造SiC晶体但能观测所述第二物理量的条件下驱动所述执行器时，在附接有所述第一传感器和所述第二传感器的SiC晶体制造设备中测量所述第二物理量，相关性数据获取模块，其配置为获取第二模拟结果，所述第二模拟结果是当所述第一物理量与所述第一传感器测量值匹配时，从所述模拟模型输出的所述第二物理量的模拟结果，相关性确定模块，其配置为确定所述第二模拟结果与所述第二传感器测量值之间的相关性，以及模型校正模块，其配置为生成所述学习模型，所述学习模型将利用所述相关性校正所述基础学习模型的输出的结果作为估计值输出。2.根据权利要求1所述的SiC晶体制造设备，其中在所述腔室中制造所述SiC晶体的所述条件包括所述腔室内的温度超过所述第二传感器的耐热温度，不能制造SiC晶体但能观测所述第二物理量的所述条件包括所述腔室内的温度低于所述第二传感器的耐热温度，所述第一传感器布置在即使在所述腔室中制造所述SiC晶体的条件下温度仍比所述第一传感器的耐热温度低的位置处，并且在不能制造SiC晶体但能观测所述第二物理量的条件下驱动所述执行器并且所述实验结果获取模块获取所述多个实验结果时，所述第二传感器附接在所述腔室内。3.根据权利要求2所述的SiC晶体制造设备，还包括传感器固定部，其布置在所述腔室内，并且配置为在不能制造SiC晶体但能观测所述第二物理量的条件下驱动所述执行器并且所述实验结果获取模块获取所述多个实验结果时与所述第二传感器附接。4.根据权利要求3所述的SiC晶体制造设备，还包括
基座，其布置在所述腔室内并配置为支撑用于生长所述SiC晶体的衬底，其中所述传感器固定部布置在所述基座的表面上，并且所述第二物理量包括所述基座的表面温度。5.一种用于控制碳化硅(SiC)晶体制造设备的控制装置，所述SiC晶体制造设备包括：腔室，在所述腔室内由原料生成SiC晶体；执行器，其配置为控制用于生成所述SiC晶体的制造条件；以及第一传感器，其配置为测量在所述腔室中制造所述SiC晶体的条件下能观测的第一物理量，所述控制装置包括：主控制模块，其具有学习模型，所述学习模型从所述第一传感器的测量值输出第二物理量的估计值，所述第二物理量在制造所述SiC晶体的条件下不能被观测，所述主控制模块配置为对所述执行器进行反馈控制，使得在制造所述SiC晶体时从所述学习模型输出的估计值与所述第二物理量的目标值之间的差变小；基础模型生成模块，其配置为使用第一模拟结果作为教师数据通过机械学习生成基础学习模型，所述第一模拟结果是使用基于所述S...

【专利技术属性】
技术研发人员：植松大辅，
申请(专利权)人：丰田自动车株式会社未来瞻科技株式会社，
类型：发明
国别省市：