一种碳化硅单晶生长装料装置制造方法及图纸

本实用新型专利技术公开一种碳化硅单晶生长装料装置，涉及半导体生产设备技术领域，主要结构包括支撑平台、固定机构、加料机构、垂直压料机构、夹紧机构和震动机构；支撑平台用于支撑固定机构，固定机构内底部设置有用于盛放碳化硅原料的石墨坩埚；加料机构设置于固定机构顶部，且加料机构的底部出口延伸至石墨坩埚的上方；垂直压料机构设置于固定机构上且位于石墨坩埚正上方；夹紧机构设置于固定机构侧部，夹紧机构用于固定石墨坩埚；震动机构设置于固定机构底部。通过震动和气动压紧，装料量由之前的2000g

【技术实现步骤摘要】
一种碳化硅单晶生长装料装置


[0001]本技术涉及半导体生产设备
，特别是涉及一种碳化硅单晶生长装料装置。

技术介绍

[0002]半导体芯片结构分为衬底、外延和器件结构。衬底通常起支撑作用，外延为器件所需的特定薄膜，器件结构即利用光刻刻蚀等工序加工出具有一定电路图形的拓扑结构。第三代半导体材料主要分为碳化硅(SiC)和氮化镓(GaN)，相比于第一、二代半导体，其具有更高的禁带宽度、高击穿电压、电导率和热导率，在高温、高压、高功率和高频领域将替代前两代半导体材料。氮化镓因缺乏大尺寸单晶，第三代半导体材料的主要形式为碳化硅基碳化硅外延器件、碳化硅基氮化镓外延器件，碳化硅应用更为广泛。碳化硅的热导率是氮化镓热导率的约3倍，具有更强的导热能力，器件寿命更长，可靠性更高，系统所需的散热系统更小。
[0003]长晶过程中，碳化硅生长时在石墨坩埚墙体内实现的。晶体生长模块由石墨坩埚、籽晶与碳化硅粉料三部分构成，在一定的温度和压力条件下，碳化硅颗粒发生分解升华，生产各种形式的气相组分，同时碳化硅粉体内部发生烧结，形成含有大量孔道的陶瓷体，气相组分本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种碳化硅单晶生长装料装置，其特征在于，包括支撑平台、固定机构、加料机构、垂直压料机构、夹紧机构和震动机构；所述支撑平台用于支撑所述固定机构，所述固定机构内底部设置有用于盛放碳化硅原料的石墨坩埚；所述加料机构设置于所述固定机构顶部，且所述加料机构的底部出口延伸至所述石墨坩埚的上方；所述垂直压料机构设置于所述固定机构上且位于所述石墨坩埚正上方；所述夹紧机构设置于所述固定机构侧部，所述夹紧机构用于固定所述石墨坩埚；所述震动机构设置于所述固定机构底部。2.根据权利要求1所述的碳化硅单晶生长装料装置，其特征在于，所述支撑平台与所述固定机构之间设置有减震机构。3.根据权利要求2所述的碳化硅单晶生长装料装置，其特征在于，所述减震机构包括弹簧。4.根据权利要求1所述的碳化硅单晶生长装料装置，其特征在于，所述垂直压料机构包括碳化硅压块、垂直压杆和垂直驱动部件...

【专利技术属性】
技术研发人员：贺秀山，罗烨栋，浩瀚，赵新田，杨弥珺，赵子惠，
申请(专利权)人：宁波合盛新材料有限公司，
类型：新型
国别省市：