一种化合物半导体的离心晶体生长装置制造方法及图纸

一种化合物半导体的离心晶体生长装置，属于半导体材料制备领域，所述装置包括离心电机、旋转主轴、固定在旋转主轴上的支撑杆、连接支撑杆的离心轮、设置在离心轮边缘内侧石墨坩埚，经籽晶杆驱动设置在旋转主轴的籽晶杆、设置在离心轮上下两侧的磁场发生器。采用本实用新型专利技术提出的装置，加速了碳原子的传输，生长界面处碳原子源源不断的供应，可以有效避免夹杂物和多晶的形成，实现高效制备低缺陷、无夹杂的高品质碳化硅单晶。的高品质碳化硅单晶。的高品质碳化硅单晶。

【技术实现步骤摘要】
一种化合物半导体的离心晶体生长装置


[0001]本技术属于半导体材料制备领域，涉及一种化合物半导体的离心晶体生长装置。

技术介绍

[0002]碳化硅是重要的新一代化合物半导体材料，在制备大功率电力电子器件方面具有重要作用，广泛应用于航空航天、汽车等领域。
[0003]目前常用的生长方法有：物理气相沉积、熔体法等。物理气相沉积的能耗高、效率低且位错密度较高，熔体法可以制备低位错的碳化硅单晶，但是由于配比熔体的饱和蒸气压极高，很难实现，只能进行非配比度下熔体的生长，这就导致生长界面熔体配比度差，极易形成多晶和夹杂物。
[0004]这些方法存在要么能耗高，要么因为熔体配比度差，生长晶体的质量差等问题，很难实现高效制备低缺陷、高品质碳化硅单晶。

技术实现思路

[0005]为克服现有技术的缺陷，提出了本技术。
[0006]本技术采用的技术方案是：一种化合物半导体的离心晶体生长装置，所述装置包括连接离心电机的旋转主轴、固定在旋转主轴上的支撑杆、连接支撑杆的离心轮、设置在离心轮边缘内侧的坩埚槽、设置在坩埚槽中的陶瓷托、本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种化合物半导体的离心晶体生长装置，其特征在于，所述装置包括连接离心电机（14）的旋转主轴（12）、固定在旋转主轴（12）上的支撑杆（15）、连接支撑杆（15）的离心轮（1）、设置在离心轮（1）边缘内侧的坩埚槽（1
‑
1）、设置在坩埚槽（1
‑
1）中的陶瓷托（2）、设置在陶瓷托（2）中的石墨坩埚（3）、经籽晶杆驱动（11）设置在旋转主轴（12）的籽晶杆（10）、设置在离心轮（1）上下两侧的磁场发生器（13）。2.根据权利要求1所述的装置，其特征在于，所述离心轮（1）中部设置支撑杆插孔（1
‑
2），支撑杆插孔（1
‑
2）上方设置可移开的支撑杆压块（1
‑
3），支撑杆压块（1
‑
3）两侧设置贯通的安装孔（1
‑
4），安装孔（1
‑
4）对应离心轮（1）的位置上设置安装孔，支撑杆（15）两端的支撑杆插头（15
‑
2）通过支撑杆插孔（1
‑
2）实现支撑杆（15）的离心轮（1）的连接。3.根据权利要求1所述的装置，其特征在于，所述石墨坩埚（3）顶部设...

【专利技术属性】
技术研发人员：王书杰，孙聂枫，徐森锋，史艳磊，李晓岚，邵会民，刘峥，王阳，姜剑，康永，张鑫，谷伟侠，
申请(专利权)人：中国电子科技集团公司第十三研究所，
类型：新型
国别省市：