一种过滤层的制备方法及晶体生长装置制造方法及图纸

本申请提供一种过滤层的制备方法及晶体生长装置，晶体生长装置包括坩埚和过滤层，坩埚具有生长腔；过滤层设置于生长腔内，且将生长腔分隔形成相互连通的原料腔和晶体腔；其中，过滤层包括疏松层和嵌设于疏松层内的多个圆球结构，疏松层的材料为金属碳化物，疏松层具有连通原料腔和晶体腔的微孔。具体的，该过滤层在晶体生长前中后期均不受生长气氛侵蚀，且其组成成分为金属碳化物，在高温下结构稳定，不会产生碳颗粒，从而使得利用该过滤层进行晶体生长能有效降低晶体上的碳包裹物，提高产品良率。产品良率。产品良率。

【技术实现步骤摘要】
一种过滤层的制备方法及晶体生长装置


[0001]本专利技术涉及半导体领域，尤其涉及一种过滤层的制备方法及晶体生长装置。

技术介绍

[0002]碳化硅晶体(SiC)材料因其自身宽禁带、高热导率、高击穿电场、高抗辐射能力等特点，其制成的半导体器件能够满足对当今对高功率和强辐射器件的需求，是制备高温、高频、高功率和抗辐射器件的理想衬底材料，并在混合动力汽车、高压输电、LED照明和航天航空等领域崭露头角。
[0003]目前碳化硅晶体的生产方法主要有物理气相传输法、高温化学气相沉积法、液相外延法等。
[0004]然而，现有工艺生产的碳化硅晶体，碳化硅晶体内的碳包裹物密度大，导致产品良率低。

技术实现思路

[0005]本申请提供一种滤层的制备方法及晶体生长装置，能够解决碳化硅晶体内的碳包裹物密度大，导致产品良率低的问题。
[0006]为解决上述技术问题，本申请采用的一个技术方案是：提供一种晶体生长装置，包括：坩埚和和过滤层，所述坩埚具有生长腔；所述过滤层设置于所述生长腔内，且将所述生长腔分隔形成相互连通的原料腔和晶体本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种晶体生长装置，其特征在于，包括：坩埚，具有生长腔；过滤层，设置于所述生长腔内，且将所述生长腔分隔形成相互连通的原料腔和晶体腔；其中，所述过滤层包括疏松层和嵌设于所述疏松层内的多个圆球结构，所述疏松层的材料为金属碳化物，所述疏松层具有连通所述原料腔和所述晶体腔的微孔。2.根据权利要求1所述的晶体生长装置，其特征在于，所述圆球结构为金属球和/或石墨球。3.根据权利要求2所述的晶体生长装置，其特征在于，所述圆球结构的直径为0.1mm
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3mm，所述疏松层的厚度为5mm
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20mm；和/或，所述圆球结构为金属球，或者，所述为圆球结构为金属球和石墨球，所述金属球的材料为钽、铌、钼以及钨中的一种或多种。4.根据权利要求1
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3任一项所述的晶体生长装置，其特征在于，多个所述圆球结构在所述疏松层内的排布方式为多层堆叠。5.根据权利要求4所述的晶体生长装置，其特征在于，多个所述圆球结构呈多层堆叠排布的高度与所述疏松层的厚度相同。6.根据权利要求1所述的晶体生长装置，其特征在于，还包括：至少一个平衡调整环，层叠设置于所述过滤层靠近所述晶体腔的一侧，所述平衡调整环上具有多个均匀分布的通孔，沿着从所述平衡调整环的圆心至圆边的方向，多个所述通孔的半径逐渐减小。7.根据权利要求6所述的晶体生长装置，其特征在于，多个所述通孔中的一个所述通孔设置于所述平衡调整环的中心，其他所述通孔在所述平衡调整环上分布形成多个同心环，同一环内的多个所述通孔的半径相同。8.根据权利要求7所述的晶体生长装置，其特征在于，所述平衡调整环的数量为2，且层叠设置；其中，两个平衡调整环上的通孔数量相同，且一一对应设置。9.根据权利要求1所述的晶体生长装置，其特征在于，所述坩埚包括坩埚本体和坩埚盖，所述坩埚本体与所述坩埚盖配合界定形成所述生长腔；所述坩埚盖上设置有籽晶层，且所述籽晶层位于所述晶体腔；所述晶体生长装置还包括：导流环，设置于所述晶体腔内且靠近所述坩埚盖设置，所述导流环具有导气通道，所述导...

【专利技术属性】
技术研发人员：陈泽斌，
申请(专利权)人：湖南三安半导体有限责任公司，
类型：发明
国别省市：