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本申请提供一种过滤层的制备方法及晶体生长装置，晶体生长装置包括坩埚和过滤层，坩埚具有生长腔；过滤层设置于生长腔内，且将生长腔分隔形成相互连通的原料腔和晶体腔；其中，过滤层包括疏松层和嵌设于疏松层内的多个圆球结构，疏松层的材料为金属碳化物，疏...
该专利属于湖南三安半导体有限责任公司所有，仅供学习研究参考，未经过湖南三安半导体有限责任公司授权不得商用。

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