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控制装置具有学习模型,该学习模型从在制造SiC晶体的条件下能观测的第一物理量输出在制造SiC晶体的条件下不能观测的第二物理量的估计值。控制装置使用基于SiC晶体制造设备的结构数据的模拟模型的模拟结果作为教师数据通过机械学习生成基础学习模型。...该专利属于丰田自动车株式会社未来瞻科技株式会社所有,仅供学习研究参考,未经过丰田自动车株式会社未来瞻科技株式会社授权不得商用。
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