【技术实现步骤摘要】
光固化组合物及光刻胶
[0001]本专利技术涉及半导体制造领域,具体而言,涉及一种光固化组合物及光刻胶。
技术介绍
[0002]在半导体制造领域,LCD(液晶显示)、BUMP凸块、MEMS微机电系统及3D
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NAND存储器等芯片制造过程中均需要用到光刻胶。这些光刻胶经过涂膜、成型曝光、显影等操作形成细致图案,再进行相关的微加工操作,形成特定结构的电子器件。
[0003]目前,在许多光刻胶成型加工方法中,光刻胶涂膜厚度一般要求30微米以上,同时,其外观要求、附着效果及机械强度的要求也较高。SU
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8光刻胶作为常见的负型光刻胶,其一,其可以形成垂直侧壁和高深宽比的厚膜图形。其二,其具有良好的力学性能、耐化学腐蚀性和热稳定性等优异性能。其三,其可以形成台阶等结构复杂的图形,应用范围较广。但随着膜厚的增加,光刻胶完全固化变得困难,尤其是在最接近基板的胶膜底部,比胶膜顶部更容易出现固化不充分的现象,从而导致光刻胶显影过程中出现底部严重下切等问题,进而影响后续工段处理操作,导致胶膜易开裂、显影效果较差、良品率低。同时,上述光刻胶在胶膜固化过程中也容易出现开裂,断线等问题,进而影响其应用。
[0004]针对上述SU8光刻胶应用过程中存在的胶膜开裂,固化不完全等问题,人们做过很多尝试,诸如美国专利US 6210862提出,使用聚合型树脂稀释液添加到相关配方中,以改善光刻胶固化后的开裂问题。美国专利US5102772提出,在配方中添加小分子稀释剂,如CY179等,以改善涂膜交联性,提
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种光固化组合物,其特征在于,所述光固化组合物包括树脂A、树脂B及交联剂;其中,所述树脂A为含有环氧基团的树脂;所述树脂B为含有式I所示糠酯结构的丙烯酸酯聚合物;所述式I中,R9表示氢、取代或未取代的C1~C
20
烷基;R8表示氢、取代或未取代的C1~C
20
烷基,x表示1~20的整数。2.根据权利要求1所述的光固化组合物,其特征在于,按重量份数计,所述光固化组合物包括20~60份的所述树脂A、5~10份的所述树脂B及1~10份的所述交联剂。3.根据权利要求1或2所述的光固化组合物,其特征在于,x表示3~10的整数;优选地,R8表示氢或甲基,R9表示氢或甲基;优选地,所述树脂B经含聚合性双键的活性单体和丙烯酸糠酯类单体通过共聚反应形成;优选地,所述活性单体为苯乙烯、乙烯基甲苯、α
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甲基苯乙烯、对甲基苯乙烯、对乙基苯乙烯、对氯苯乙烯、(甲基)丙烯酸、α
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溴代(甲基)丙烯酸、α
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氯代(甲基)丙烯酸、β
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呋喃基(甲基)丙烯酸、β
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苯乙烯基(甲基)丙烯酸、(甲基)丙烯酸烷基酯、(甲基)丙烯酸苄酯、甲基丙烯酸苯氧基乙酯、(甲基)丙烯酸四氢糠基酯、(甲基)丙烯酸二甲基氨基乙酯、(甲基)丙烯酸二乙基氨基乙酯、(甲基)丙烯酸缩水甘油酯、2,2,2
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三氟乙基(甲基)丙烯酸酯、2,2,3,3
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四氟丙基(甲基)丙烯酸酯或(甲基)丙烯酸2
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乙基己酯中的一种或多种。4.根据权利要求3所述的光固化组合物,其特征在于,所述丙烯酸糠酯类单体为甲基丙烯酸糠酯、丙烯酸糠酯或2
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乙基丙烯酸糠酯中的一种或多种。5.根据权利要求1至3中任一项所述的光固化组合物,其特征在于,所述树脂B的重均分子量为6000~40000,优选为8000~30000。6.根据权利要求1至3中任一项所述的光固化组合物,其特征在于,所述树脂B的酸值为50~200mgKOH/g,优选为50~100mgKOH/g。7.根据权利要求1至3中任一项所述的光固化组合物,其特征在于,所述交联剂具有通式Ⅱ所示的结构:
其中,R表示取代或未取代的C2~C
20
烷基、环烷基、C2~C
30
烷氧基、取代或未取代的C6~C
30
芳香基,或者,R为碳原子被N、O、S杂原子取代的杂环烷基;a表示0~30的整数,b表示1~30的整数。8.根据权利要求7所述的光固化组合物,其特征在于,所述通式Ⅱ的交联剂为具有式A1至A32的化合物,其中,所述式A1至A32为:
9.根据权利要求8所述的光固化组合物,其特征在于,所述通式Ⅱ的交联剂为具有式A2、A3、A5、A6、A7、A9、A16、A26或A32的化合物。10.根据权利要求1至3中任一项所述的光固化组合物,其特征在于,所述光固化组合物还包括光引发剂,所述光引发剂选自碘鎓盐、硫鎓盐或芳基茂铁盐中的一种或多种;优选所述光引发剂为具有式Ⅲ和/或式Ⅳ所示结构的化合物:
其中,R1和R2各自独立地代表
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H、C1~C
20
的直链或支链烷基、C4~C
20
的环烷基烷...
【专利技术属性】
技术研发人员:钱晓春,张学龙,葛庆余,尹志兴,邱振宇,施大峰,
申请(专利权)人:常州强力电子新材料股份有限公司,
类型:发明
国别省市:
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