【技术实现步骤摘要】
一种异质层状复合封盖及其加工方法
[0001]本专利技术涉及电子元器件封装领域,具体地说是涉及一种异质层状复合封盖及其加工方法。
技术介绍
[0002]混合、半导体集成电路是电子整机的基础电子元器件,是整机工作中不可或缺的元器件。随着电子信息技术的不断发展,此类元器件得到了越来越多的应用,尤其是高端、高可靠领域,如卫星系统、机载系统等。
[0003]为保混合、半导体电子元器件内部电路稳定、可靠的工作,封装后器件内部不允许有多余残留物或异物,否则,将影响器件的稳定性及可靠性,严重着造成整机报废。限于成本及技术水平等因素,传统此类产品封装外壳一般采用可伐合金(4J29)或冷轧钢作为基体材料进行制备,封盖工艺通常采用平行缝焊或热压储能焊进行封接。
[0004]使用储能焊时,需要在封盖与外壳接触的区域加设用于储能焊的三角形凸筋,才能满足封盖工艺实施要求。此种做法增加了封装外壳的加工难度,提高了加工成本,同时,凸筋占用了有限的封装空间,增大了器件的尺寸。更为致命的一点是,无论是储能焊还是平行缝焊,在封盖过程中都会产生多 ...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种异质层状复合封盖,该封盖(10)用于和玻璃绝缘子及金属导电柱(20)配合,形成电子器件的气密性封装,其特征在于,所述封盖(10)的尺寸和形状与金属导电柱相适配,封盖(10)基材由设置在外侧面(11)的无氧铜和设置在内侧面(12)的可伐合金复合构成,在封盖的内侧面(12),具有一个向外侧面(11)方向凸起的、用于容纳待封装器件的腔体结构(13),所述封盖(10)还包括环绕所述腔体结构(13)的边缘一体式设置的飞边(14),所述飞边(14)呈扁平状,飞边(14)的底面平行于金属导电柱(20)用于封装的顶面,以保证贴合;在所述封盖的腔体结构(13)的设定位置处,开设有用于穿插引线(41)的通孔(15)。2.如权利要求1所述的一种异质层状复合封盖,其特征在于,所述无氧铜为TU1,所述可伐合金为4J29或铁镍合金4J42。3.如权利要求2所述的一种异质层状复合封盖,其特征在于,如权利要求1所述的一种异质层状复合封盖,其特征在于,所述无氧铜和可伐合金复合后的总厚度为0.1~1.0mm,其中无氧铜和可伐合金的厚度比为7:3。4.一种包含如权利要求1
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3任一项所述的异质层状复合封盖的气密性封装。5.如权利要求4所述的气密性封装,其特征在于,所述异质层状复合封盖的高度不超过该封盖最大长度尺寸的10%。6.如权利要求4所述的气密性封装,其特征在于,还包括设置在异质层状复合封盖(...
【专利技术属性】
技术研发人员:赵飞,王吕华,黄志刚,张玉君,何素珍,于辰伟,
申请(专利权)人:合肥圣达电子科技实业有限公司,
类型:发明
国别省市:
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