本申请涉及一种薄膜厚度确定方法、装置、计算机设备和存储介质。所述薄膜厚度确定方法包括：获取待检测芯片的薄膜材料信息；根据薄膜材料信息、实时温度信息和预先设置的电阻率数据库，确定待检测芯片对应的电阻率信息；电阻率数据库记载薄膜材料、温度值和电阻率值之间的关系；根据电阻率信息，确定待检测芯片的薄膜厚度，通过该种设置，能够省去繁琐的人工计算工作，并同时加快了薄膜厚度的计算速度、提升了薄膜厚度的计算准确性。提升了薄膜厚度的计算准确性。提升了薄膜厚度的计算准确性。
【技术实现步骤摘要】
薄膜厚度确定方法、装置和计算机设备
[0001]本申请涉及半导体量测
，特别是涉及一种薄膜厚度确定方法、装置、计算机设备和存储介质。
技术介绍
[0002]在半导体集成电路制造工艺中，经常需要对薄膜的厚度进行量测，而目前薄膜的量测方法主要包括以下几种：直接量测：对薄膜进行断面制样，通过电子显微镜将断面切片放大，直接读出薄膜厚度，但是这种测量方法存在测量误差大，测量结果随机的缺点；光学量测：利用椭偏仪等光学原理，通过复杂的光路和公式计算得出膜厚，但是这种测量方法的光路设计和结果推导过程复杂；成分测量换算：利用X射线荧光光谱仪测出薄膜中原子的特征X射线，通过计算原子的数量换算成膜厚，但是这种测量方法这需要通过原子显微镜等其它量测方法进行标定。
[0003]综上所述，常见的测量薄膜的方法不仅测量结果误差大，且参考的因素较少，实际得出的薄膜厚度不够准确。
技术实现思路
[0004]基于此，有必要针对上述技术问题，提供一种能够准确测量薄膜厚度的薄膜厚度确定方法、装置、计算机设备和存储介质。
[0005]第一方面，本申请提供了一种薄膜厚度确定方法，包括：获取待检测芯片的薄膜材料信息；根据所述薄膜材料信息、实时温度信息和预先设置的电阻率数据库，确定所述待检测芯片对应的电阻率信息；所述电阻率数据库记载薄膜材料、温度值和电阻率值之间的关系；根据所述电阻率信息，确定所述待检测芯片的薄膜厚度。
[0006]在其中一个实施例中，所述确定所述待检测芯片对应的电阻率信息之前，还包括：采集多种薄膜材料在预设温度范围内每个温度值所对应的电阻率值，形成所述电阻率数据库。
[0007]在其中一个实施例中，所述电阻率信息包括电阻率值和量测电阻值；所述根据所述薄膜材料信息、实时温度信息和预先设置的电阻率数据库，确定所述待检测芯片对应的电阻率信息，包括：获取所述待检测芯片的量测电阻值；根据所述薄膜材料信息和所述实时温度信息，从所述电阻率数据库中匹配到所述待检测芯片对应的电阻率值；所述根据所述电阻率信息，确定所述待检测芯片的薄膜厚度，包括：根据所述量测电阻值和所述电阻率值，确定所述薄膜厚度。
[0008]在其中一个实施例中，所述根据所述电阻率信息，确定所述待检测芯片的薄膜厚
度，包括：当根据所述薄膜材料信息和所述实时温度信息，无法从所述电阻率数据库中匹配到所述待检测芯片对应的电阻率值时，根据接收到的补充电阻率值和所述量测电阻值，确定所述待检测芯片的薄膜厚度。
[0009]在其中一个实施例中，所述方法还包括：将所述薄膜材料信息、实时温度信息和所述补充电阻率值添加至所述电阻率数据库中。
[0010]在其中一个实施例中，所述根据所述薄膜材料信息、实时温度信息和预先设置的电阻率数据库，确定所述待检测芯片对应的电阻率信息，还包括：当确定所述实时温度信息所表示的实时温度值不符合所述预设温度范围时，发出告警。
[0011]第二方面，本申请还提供了一种薄膜厚度确定装置，包括：获取模块，用于获取待检测芯片的薄膜材料信息；第一确定模块，用于根据所述薄膜材料信息、实时温度信息和预先设置的电阻率数据库，确定所述待检测芯片对应的电阻率信息；所述电阻率数据库记载薄膜材料、温度值和电阻率值之间的关系；第二确定模块，用于根据所述电阻率信息，确定所述待检测芯片的薄膜厚度。
[0012]第三方面，本申请还提供了一种计算机设备。所述计算机设备包括存储器和处理器，所述存储器存储有计算机程序，所述处理器执行所述计算机程序时实现上述任一实施例所述的薄膜厚度确定方法。
[0013]第四方面，本申请还提供了一种计算机可读存储介质。所述计算机可读存储介质，其上存储有计算机程序，所述计算机程序被处理器执行时实现上述任一实施例所述的薄膜厚度确定方法。
[0014]上述薄膜厚度确定方法、装置、计算机设备和存储介质，能够根据待检测芯片的薄膜材料信息和实时温度信息，从电阻率数据库包含的薄膜材料、温度值和电阻率值之间的对应关系中匹配到对应的电阻率值，并根据电阻率值确定电阻率信息，随后自动根据电阻率信息计算出待检测芯片的薄膜厚度，从而省去繁琐的人工计算工作，并同时加快了薄膜厚度的计算速度、提升了薄膜厚度的计算准确性。
附图说明
[0015]图1为一个实施例中薄膜厚度确定方法的应用环境图；图2为一个实施例中薄膜厚度确定方法的流程示意图；图3为一个实施例中薄膜厚度确定方法的流程示意图；图4为一个实施例中薄膜厚度确定方法中确定电阻率信息的流程示意图；图5为一个实施例中薄膜厚度确定装置的结构框图；图6为一个实施例中薄膜厚度确定装置的结构框图；图7为一个实施例中薄膜厚度确定装置中第一确定模块的结构框图；图8为一个实施例中计算机设备的内部结构图。
具体实施方式
[0016]为了使本申请的目的、技术方案及优点更加清楚明白，以下结合附图及实施例，对本申请进行进一步详细说明。应当理解，此处描述的具体实施例仅仅用以解释本申请，并不用于限定本申请。
[0017]本申请实施例提供的薄膜厚度确定方法，可以应用于如图1所示的应用环境中。
[0018]例如，薄膜厚度确定方法应用于终端102，终端102通过人机交互界面获取待检测芯片的薄膜材料信息；随后终端102根据薄膜材料信息、实时温度信息和服务器104存储的预先设置的电阻率数据库，确定待检测芯片对应的电阻率信息；电阻率数据库记载薄膜材料、温度值和电阻率值之间的关系；终端102根据电阻率信息，确定待检测芯片的薄膜厚度。其中，终端102可以但不限于是各种个人计算机、笔记本电脑、智能手机、平板电脑、物联网设备和便携式可穿戴设备。服务器104可以用独立的服务器或者是多个服务器组成的服务器集群来实现。终端102和服务器104可以通过有线或无线通信方式进行直接或间接的连接，例如通过网络连接。
[0019]又例如，薄膜厚度确定方法应用于服务器104，终端102通过人机交互界面获取待检测芯片的薄膜材料信息，随后终端102将薄膜材料信息发送给服务器104，服务器104根据薄膜材料信息、实时温度信息和存储的预先设置的电阻率数据库，确定待检测芯片对应的电阻率信息；电阻率数据库记载薄膜材料、温度值和电阻率值之间的关系；服务器104根据电阻率信息，确定待检测芯片的薄膜厚度。可以理解的是，数据存储系统可为独立的存储设备，或者该数据存储系统位于服务器上，或者该数据存储系统位于另一终端上。
[0020]在一个实施例中，提供了一种薄膜厚度确定方法，本实施例以该薄膜厚度确定方法应用于处理器进行举例说明，可以理解的是，该处理器可位于终端或服务器上。如图2所示，该薄膜厚度确定方法包括：步骤202、获取待检测芯片的薄膜材料信息。
[0021]待检测芯片指的是半导体芯片。
[0022]薄膜材料信息指的是半导体芯片上的导电膜的材料成分，半导体芯片的导电膜包括外延膜，多晶硅薄膜，离子注入膜，金属膜等。
[0023]处理器可以预先存储半导体芯片的芯片信息和薄膜材料信息的一一对应关本文档来自技高网...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种薄膜厚度确定方法，其特征在于，包括：获取待检测芯片的薄膜材料信息；根据所述薄膜材料信息、实时温度信息和预先设置的电阻率数据库，确定所述待检测芯片对应的电阻率信息；所述电阻率数据库记载薄膜材料、温度值和电阻率值之间的关系；根据所述电阻率信息，确定所述待检测芯片的薄膜厚度。2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述确定所述待检测芯片对应的电阻率信息之前，还包括：采集多种薄膜材料在预设温度范围内每个温度值所对应的电阻率值，形成所述电阻率数据库。3.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，所述电阻率信息包括电阻率值和量测电阻值；所述根据所述薄膜材料信息、实时温度信息和预先设置的电阻率数据库，确定所述待检测芯片对应的电阻率信息，包括：获取所述待检测芯片的量测电阻值；根据所述薄膜材料信息和所述实时温度信息，从所述电阻率数据库中匹配到所述待检测芯片对应的电阻率值；所述根据所述电阻率信息，确定所述待检测芯片的薄膜厚度，包括：根据所述量测电阻值和所述电阻率值，确定所述薄膜厚度。4.根据权利要求3所述的方法，其特征在于，所述根据所述电阻率信息，确定所述待检测芯片的薄膜厚度，包括：当根据所述薄膜材料信息和所述实时温度信息，无法从所述电阻率数据库中匹配到所述待检测芯片对应的电阻率值时，根据接...
【专利技术属性】
技术研发人员：岑海霞，薛英武，
申请(专利权)人：广州粤芯半导体技术有限公司，
类型：发明
国别省市：
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