对材料表面进行等离子体改性的方法及装置制造方法及图纸

本发明专利技术提供一种对材料表面进行等离子体改性的方法及装置。所述对材料表面进行等离子体改性的方法，包括如下步骤：提供一衬底；在所述衬底表面生长绝缘层；采用金属筛过滤后的等离子体对所述绝缘层的表面进行改性处理，所述金属筛过滤的方式能够消除等离子体中带电离子。上述技术方案，通过采用金属筛过滤等离子体中的带电离子，采用不带电的中性等离子体对绝缘层进行改性处理，使改性处理后的绝缘层不带电，从而改善绝缘层充电现象，获得阈值电压更稳定的晶体管。更稳定的晶体管。更稳定的晶体管。

【技术实现步骤摘要】
对材料表面进行等离子体改性的方法及装置


[0001]本专利技术涉及半导体领域，尤其涉及一种对材料表面进行等离子体改性的方法及装置。

技术介绍

[0002]晶体管栅极堆迭的组成是在衬底硅上方形成一绝缘栅，通常为二氧化硅，然后在绝缘栅上覆盖一层多晶硅作为电极。随着绝缘栅厚度降低，隧穿电流增大，经时介质击穿(time dependent dielectric breakdown，简称TDDB)以及硼穿透愈发严重。应用氮氧化硅替代二氧化硅，可有效改善隧穿效应和TDDB，但传统工艺掺杂氮分布在二氧化硅/硅的界面处，会增加界面缺陷，降低沟道迁移率。
[0003]现有技术中，采用解耦等离子体氮化(Decoupled plasma nitridation，简称DPN)工艺以及等离子体(Plasma)表面氮化技术将活性氮聚集在多晶硅/二氧化硅界面处，从而降低二氧化硅/硅的界面处的氮浓度。然而，由于DPN工艺是等离子体形式注入，等离子体中的带电离子会引起绝缘栅氧化层充电(charging)，因此采用DPN工艺制备的晶体管，其阈值电压会发生不稳定的现象。...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种对材料表面进行等离子体改性的方法，其特征在于，包括如下步骤：提供一衬底；在所述衬底表面生长绝缘层；采用金属筛过滤后的等离子体对所述绝缘层的表面进行改性处理，所述金属筛过滤的方式能够消除等离子体中带电离子。2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述金属筛包括：第一格栅层，所述第一格栅层包括多个第一通道；第二格栅层，所述第二格栅层包括多个第二通道，其中，所述第一通道与所述第二通道分布密度不同且交错平行排布；所述第一格栅层与所述第二格栅层之间具有与所述第一通道垂直的第三通道，以允许等离子体通过。3.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述金属筛表面设置有铝镀层。4.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述改性处理是将绝缘层表面氮化，所述等离子体为含氮等离子体。5.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述金属筛通过电学接地的方式消除等离子体中的带电离子。6.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述绝缘层的材料为二氧化硅，...

【专利技术属性】
技术研发人员：谷东光，常建光，孟宪宇，杨波，
申请(专利权)人：上海积塔半导体有限公司，
类型：发明
国别省市：