用于制备薄层的工艺制造技术

本发明专利技术涉及一种制备薄层(1)的工艺，该工艺包括以下步骤：弱化步骤(S2)，该弱化步骤用于在供体基板(2)的中央部分(2c)中形成弱化区(3)，该弱化区(3)不延伸到供体基板(2)的外围部分(2p)中；接合步骤(S3)，该接合步骤将供体基板(2)的主面(2a)接合至受体基板(5)以便形成待分割组件；以及分离步骤(S4)，该分离步骤分离待分割组件，该分离步骤包括热处理，所述热处理导致薄层(1)仅从供体基板(2)的中央部分(2c)处释放。该工艺在分离步骤之后还包括拆开步骤(S6)，该拆开步骤包括处理待分割组件，以便将供体基板(2)的外围部分从受体基板(5)拆开。拆开。拆开。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】用于制备薄层的工艺


[0001]本专利技术涉及通过应用Smart Cut
TM
技术来制备向载体基板转移的薄层的工艺。

技术介绍

[0002]在Smart Cut
TM
技术的一些实现中，通过将轻物质引入通过供体基板的主面以形成埋置的弱化区来制备薄层。这样，在该供体基板中，将薄层限定在埋置的弱化区与基板的主面之间。然后，将供体基板接合至被称为“受体”基板的第二基板，并且潜在地通过机械应力的辅助来向该组件应用分离热处理，以导致在埋置的弱化区处引发并传播分割波，从而释放薄层，该薄层因此被转移至受体基板。
[0003]分离热处理的作用是促进微腔的生长和加压，微腔的发展是由于弱化区中轻物质的存在。这种作用是引发并传播分割波的源，从而导致薄层的释放。
[0004]被转移至受体基板的薄层的暴露表面的状态是不规则的，这通常不完全令人满意。因此，实现Smart Cut技术的工艺通常设想附加的精加工步骤，目的在于减少这些表面不规则。这可能意味着在该精加工步骤中，在将薄层的暴露表面暴露于还原或中性气氛的同时，通过化学本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】1.一种制备薄层(1)的工艺，所述工艺包括以下步骤：
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弱化步骤(S2)，所述弱化步骤包括将轻物质引入通过供体基板(2)的主面(2a)，所述步骤用于在所述供体基板(2)的中央部分(2c)中形成弱化区(3)，以便利用所述供体基板(2)的所述主面(2a)限定所述薄层(1)，所述弱化区(3)不延伸到所述供体基板(2)的外围部分(2p)中；
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接合步骤(S3)，所述接合步骤将所述供体基板(2)的所述主面(2a)接合至受体基板(5)以便形成待分割组件，所述供体基板(2)的所述主面(2a)的所述中央部分(2c)和所述外围部分(2p)与所述受体基板(5)的面相接触；所述工艺的特征在于，所述工艺还包括：
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分离步骤(S4)，所述分离步骤分离所述待分割组件，所述分离步骤包括热处理，所述热处理导致在所述弱化区中引发并传播分割波以便使所述薄层(1)仅从所述供体基板(2)的所述中央部分(2c)处释放，所述分割波未完全传播通过所述外围部分(2p)，使得所述供体基板(2)和所述受体基板(5)在所述供体基板(2)的所述外围部分(2p)处保持彼此附接；
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拆开步骤(S6)，所述拆开步骤与所述分离步骤(S4)不同并且被应用于该分离步骤之后，所述拆开步骤包括处理所述待分割组件，以便将所述供体基板(2)的所述外围部分从所述受体基板(5)拆开，并由此将所述薄层(1)转移至所述受体基板(5)。2.根据前述权利要求所述的制备薄层(1)的工艺，所述工艺包括精加工步骤(S5)，该精加工步骤包括热处理，所述热处理用于使所述待分割组件达到比所述分离步骤(S4)的所述热处理的温度更高的温度，以便使所述薄层(1)的已释放表面平滑。3.根据前述权利要求所述的制备薄层(1)的工艺，其中，所述精...

【专利技术属性】
技术研发人员：F，
申请(专利权)人：索泰克公司，
类型：发明
国别省市：