半导体结构的处理方法技术

本申请实施例涉及一种半导体结构的处理方法，应用于半导体制造领域，包括：提供衬底，衬底上具有特征部，特征部的深宽比大于预设深宽比，特征部顶部设置有阻挡层，特征部的侧壁设置有亲水层，亲水层的侧壁存在颗粒杂质；对衬底进行至少一次清洗处理，清洗处理包括：向特征部的侧壁通入初始水蒸气，并进行降温处理，使附着在亲水层表面的初始水蒸气液化为水，水携带颗粒杂质流入沟槽中；进行升温处理，使水气化为水蒸气，水蒸气携带颗粒杂质逸出；通过对水的状态变化进行沟槽侧壁的清洗，减小高深宽比结构在清洗过程中表面张力对结构的影响，从而避免了高深宽比结构在清洗过程中发生倾斜的问题。生倾斜的问题。生倾斜的问题。

【技术实现步骤摘要】
半导体结构的处理方法


[0001]本申请涉及半导体制造领域，涉及一种半导体结构的处理方法。

技术介绍

[0002]在半导体制造过程中通常需要多重处理工序，例如材料沉积、平坦化、特征图案化、蚀刻、清洗等。随着集成电路制程持续缩小，制造工艺日益复杂，高深宽比结构愈发重要。由于制程的缩小，特征部深度不变且宽度变小，或特征部深度变深且宽度变小，从而导致了特征部的深宽比变大。
[0003]高深宽比结构(HAR)在湿法清洗过程中由于压力影响极易产生侧向弯曲、顶部特征尺寸和底部特征尺寸的变化、颈缩、倾斜及图形扭曲等问题。如何提高对HAR结构的清洗质量，防止HAR结构倾斜是当前一个亟待解决的问题。

技术实现思路

[0004]本申请实施例涉及一种半导体结构的处理方法，避免了高深宽比结构在清洗过程中发生倾斜的问题。
[0005]本申请实施例提供了一种半导体结构的处理方法，包括：提供衬底，衬底上具有特征部，特征部的深宽比大于预设深宽比，特征部顶部设置有阻挡层，特征部的侧壁设置有亲水层，亲水层的侧壁存在颗粒杂质；对衬底进行至少一次清洗处本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种半导体结构的处理方法，其特征在于，包括：提供衬底，所述衬底上具有特征部，所述特征部的深宽比大于预设深宽比，所述特征部顶部设置有阻挡层，所述特征部的侧壁设置有亲水层，所述亲水层的侧壁存在颗粒杂质；对所述衬底进行至少一次清洗处理，所述清洗处理包括：向所述特征部的侧壁通入初始水蒸气，并进行降温处理，使附着在所述亲水层表面的所述初始水蒸气液化为水；进行升温处理，使所述水气化为水蒸气，所述水蒸气携带所述颗粒杂质逸出。2.根据权利要求1所述的半导体结构的处理方法，其特征在于，形成所述亲水层的方法包括：对所述特征部的侧壁进行亲水性处理，生成所述亲水层。3.根据权利要求2所述的半导体结构的处理方法，其特征在于，在形成所述亲水层后，且在进行所述清洗处理前，还包括：去除所述阻挡层，通入吹扫气体。4.根据权利要求3所述的半导体结构的处理方法，其特征在于，所述去除所述阻挡层与所述对所述特征部的侧壁进行亲水性处理于同一工艺步骤中实现。5.根据权利要求4所述的半导体结构的处理方法，其特征在于，所述对所述特征部的侧壁进行亲水性处理，包括：向所述特征部的侧壁通入所述水蒸气和气体载体；在通入所述水蒸气的过程中，对所述水蒸气进行等离子体处理。6.根据权利要求5所述的半导体结构的处理方法，其特征在于，包括：通入所述水蒸气的气体流量范围为10sccm～300sccm；通入所述气体载体的流量为100sccm～5000sccm。7.根据权利要求5所述的半导体结构的处理方法，其特征在于，在去除所述阻挡层的过程中：反应所处环境的压力范围为0mTorr～10000mTorr；所述衬底的温度范围为20℃～100℃；通入所述水蒸气的温度的范围为100℃～250℃。8.根据权利要求1所述的半导体结构的处理方法，其特征在于，所述预设深宽比不小于10。9.根据权利要求1所述的半导体结构的处理方法，其特征在于，在所述清洗处理过程中：通入所述初始水蒸气的流量...

【专利技术属性】
技术研发人员：郗宁，
申请(专利权)人：长鑫存储技术有限公司，
类型：发明
国别省市：