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本申请实施例涉及一种半导体结构的处理方法，应用于半导体制造领域，包括：提供衬底，衬底上具有特征部，特征部的深宽比大于预设深宽比，特征部顶部设置有阻挡层，特征部的侧壁设置有亲水层，亲水层的侧壁存在颗粒杂质；对衬底进行至少一次清洗处理，清洗处理...
该专利属于长鑫存储技术有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过长鑫存储技术有限公司授权不得商用。

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