将原子物种注入到压电衬底中的方法技术

本发明专利技术涉及一种将原子物种注入到压电衬底中的方法，该方法包含以下步骤：I)提供包括压电部分(112、210、310)和导电部分(122、320)的衬底(100、200、300)；III)将具有导电部分(122、320)的衬底(100、200、300)安装在卡盘(140)上方；以及IV)将原子物种(170)注入到压电部分(112、210、310)中。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】

技术介绍

技术实现思路

【技术保护点】

1.一种将原子物种注入到压电衬底中的方法，所述方法包括以下步骤：

2.根据权利要求1所述的方法，其中，步骤b)包括在所述卡盘(140)与所述衬底(100、200、300)的所述导电部分(122、320)之间提供弹性体层(150)。

3.根据权利要求1或2所述的方法，其中，步骤a)包括将形成所述压电部分(112、210)的压电衬底(110)附接到形成所述衬底(100、200)的所述导电部分(122)的导电衬底(120)。

4.根据权利要求33所述的方法，其中，所述步骤a)进一步包括减薄所述压电衬底(110)以获得压电层(210)，特别是厚度在1μm至10...

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】

1.一种将原子物种注入到压电衬底中的方法，所述方法包括以下步骤：

2.根据权利要求1所述的方法，其中，步骤b)包括在所述卡盘(140)与所述衬底(100、200、300)的所述导电部分(122、320)之间提供弹性体层(150)。

3.根据权利要求1或2所述的方法，其中，步骤a)包括将形成所述压电部分(112、210)的压电衬底(110)附接到形成所述衬底(100、200)的所述导电部分(122)的导电衬底(120)。

4.根据权利要求33所述的方法，其中，所述步骤a)进一步包括减薄所述压电衬底(110)以获得压电层(210)，特别是厚度在1μm至100μm之间的压电层(210)。

5.根据权利要求3或4中的任一项所述的方法，其中，所述压电衬底(110、310)和所述导电衬底(120)被选择为使得热膨胀系数之差小于50*10-6k-1，优选地小于20*10-6k-1。

6.根据权利要求3至5中的任一项所述的方法，其中，使用所述压电衬底(110)与所述导电衬底(120)之间的接合层(130)来实现将所述导电衬底(120)与所述压电衬底(110)附接的步骤。

7.根据权利要求6所述的方法，其中，所述接合层(130)是导...

【专利技术属性】
技术研发人员：C·查尔斯艾尔弗雷德，
申请(专利权)人：索泰克公司，
类型：发明
国别省市：