【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
技术介绍
技术实现思路
【技术保护点】
1.一种将原子物种注入到压电衬底中的方法，所述方法包括以下步骤：
2.根据权利要求1所述的方法，其中，步骤b)包括在所述卡盘(140)与所述衬底(100、200、300)的所述导电部分(122、320)之间提供弹性体层(150)。
3.根据权利要求1或2所述的方法，其中，步骤a)包括将形成所述压电部分(112、210)的压电衬底(110)附接到形成所述衬底(100、200)的所述导电部分(122)的导电衬底(120)。
4.根据权利要求33所述的方法，其中，所述步骤a)进一步包括减薄所述压电衬底(110)以获得压电层(210)，特别是厚度在1μm至100μm之间的压电层(210)。
5.根据权利要求3或4中的任一项所述的方法，其中，所述压电衬底(110、310)和所述导电衬底(120)被选择为使得热膨胀系数之差小于50*10-6K-1，优选地小于20*10-6K-1。
6.根据权利要求3至5中的任一项所述的方法，其中，使用所述压电衬底(110)与所述导电衬底(120)之间的接合层(130)来实现将所述导电衬底(120)与
7.根据权利要求6所述的方法，其中，所述接合层(130)是导电接合层，特别是金属层。
8.根据权利要求1所述的方法，其中，提供导电部分(320)的步骤包括在所述衬底(300)的面向所述卡盘(140)的侧面(314)中提供一个或更多个空腔(312)，并且用导电材料(316)填充所述一个或更多个空腔(312)，特别是用金属填充所述一个或更多个空腔(312)。
9.根据权利要求1至8中的任一项所述的方法，其中，所述压电衬底(110、310)是体压电衬底，特别是体压电晶片，优选地是具有大于20μm的厚度的体压电衬底，甚至更特别地是具有大于100μm的厚度的体压电衬底。
10.根据权利要求1至9中的任一项所述的方法，其中，所述衬底(100、200、300)具有10-4S/cm或更大的电导率。
11.根据权利要求1至10中的任一项所述的方法，其中，将所述衬底(100、200、300)安装在卡盘(140)上方的步骤b)被实现为使得所述导电部分(122、320)和/或接合层(130)与和所述卡盘(140)电连接的至少一个金属约束件(160)电接触(162)。
12.根据权利要求1至11中的任一项所述的方法，其中，在步骤c)期间，在所述压电部分(112、210、310)中提供预定分割区域(172)，并且
...【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】
1.一种将原子物种注入到压电衬底中的方法，所述方法包括以下步骤：
2.根据权利要求1所述的方法，其中，步骤b)包括在所述卡盘(140)与所述衬底(100、200、300)的所述导电部分(122、320)之间提供弹性体层(150)。
3.根据权利要求1或2所述的方法，其中，步骤a)包括将形成所述压电部分(112、210)的压电衬底(110)附接到形成所述衬底(100、200)的所述导电部分(122)的导电衬底(120)。
4.根据权利要求33所述的方法，其中，所述步骤a)进一步包括减薄所述压电衬底(110)以获得压电层(210)，特别是厚度在1μm至100μm之间的压电层(210)。
5.根据权利要求3或4中的任一项所述的方法，其中，所述压电衬底(110、310)和所述导电衬底(120)被选择为使得热膨胀系数之差小于50*10-6k-1，优选地小于20*10-6k-1。
6.根据权利要求3至5中的任一项所述的方法，其中，使用所述压电衬底(110)与所述导电衬底(120)之间的接合层(130)来实现将所述导电衬底(120)与所述压电衬底(110)附接的步骤。
7.根据权利要求6所述的方法，其中，所述接合层(130)是导...
【专利技术属性】
技术研发人员：C·查尔斯艾尔弗雷德，
申请(专利权)人：索泰克公司，
类型：发明
国别省市：
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