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用于制备薄层的工艺制造技术
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文档序号:36492145
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本发明涉及一种制备薄层(1)的工艺,该工艺包括以下步骤:弱化步骤(S2),该弱化步骤用于在供体基板(2)的中央部分(2c)中形成弱化区(3),该弱化区(3)不延伸到供体基板(2)的外围部分(2p)中;接合步骤(S3),该接合步骤将供体基板(...
该专利属于索泰克公司所有,仅供学习研究参考,未经过索泰克公司授权不得商用。
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