贴合晶圆用支撑基板制造技术

本发明专利技术提供一种贴合晶圆用支撑基板，其为用于将活性层用基板（13）与支撑基板（23）隔着绝缘膜（11）贴合而成的贴合晶圆（30）的支撑基板（23），具备支撑基板主体（20）和堆积在支撑基板主体（20）的贴合面侧的多晶硅层（22），多晶硅层（22）的晶粒尺寸为0.419μm以下。层（22）的晶粒尺寸为0.419μm以下。层（22）的晶粒尺寸为0.419μm以下。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】贴合晶圆用支撑基板


[0001]本专利技术涉及一种贴合晶圆用支撑基板，其用于将活性层用基板与支撑基板贴合而成的贴合晶圆。

技术介绍

[0002]以往，作为高频（RF：Radio Frequency：射频）器件用基板，使用SOI（Silicon On Insulator：绝缘体上硅）晶圆。SOI晶圆具有在支撑基板（例如，单晶硅晶圆）上依次形成有氧化硅（SiO2）等绝缘膜及活性层（例如，单晶硅）的结构。
[0003]作为制造SOI晶圆的方法的代表性方法之一，有贴合法。该贴合法是如下方法：在支撑基板及活性层用基板中的至少一方形成绝缘膜，接着，在将这些基板隔着绝缘膜贴合之后，在1200℃左右的高温下实施热处理，由此制造SOI晶圆（以下，将通过贴合法制造的SOI晶圆称为“贴合晶圆”。）。
[0004]在上述贴合晶圆中，通过支撑基板的高电阻化（例如，电阻率为3000Ω
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cm以上）来应对RF。然而，为了应对器件的进一步高速化，要求应对更高的频率，仅通过支撑基板的高电阻化是无法应对的。
[0005]因此，提出如下方案本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】1. 一种贴合晶圆用支撑基板，其为用于将活性层用基板与支撑基板隔着绝缘膜贴合而成的贴合晶圆的支撑基板，具备：支撑基板主体；及多晶硅层，堆积在所述支撑基板主体的贴合面侧，所述多晶硅层的晶粒尺寸为0.419μm以下。2.根据权利要求1所述的贴合晶圆用支撑基板，其中，在经研磨的所述多晶硅层的10μm
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10μm的面积区域中测定的均方根粗糙度Rq为0.364nm以下。3.根据权利要求1或2所述的贴合晶圆用支撑基板，其中，所述多晶硅层被研磨...

【专利技术属性】
技术研发人员：涩谷正太，稗田大辅，石崎宽章，
申请(专利权)人：胜高股份有限公司，
类型：发明
国别省市：