本发明专利技术涉及一种异形树脂孔的填镀方法，根据所要填充的树脂孔，在层压板上加工出通孔，之后沉铜，使层与层之间导通，对通孔进行选择性树脂塞孔填充，填充之后进行初固化，之后对通孔进行全板树脂塞孔填充，完成全板树脂塞孔填充，之后进行终固化，对层压板表面进行研磨以除去其表面的树脂，对树脂孔切片测量其凹陷度，依据凹陷度对层压板进行微蚀，对微蚀的层压板直接沉铜及电镀薄铜。本发明专利技术采用选择性树脂塞孔与全板树脂塞孔填平工艺，调整初固化参数，确保两次树脂的结合力和填平效果，确保孔内无裂纹和气泡，通过微蚀后对树脂孔进行加镀，树脂孔表面有薄铜保护在后续的加工流程不会凹陷进一步控制凹陷度，满足芯片贴装的需求。求。求。
【技术实现步骤摘要】
一种异形树脂孔的填镀方法及印制线路板
[0001]本专利技术涉及5G高速数据通信印制电路板的制作
，具体涉及一种异形树脂孔的填镀方法及印制线路板。
技术介绍
[0002]PCB(Printed Circuit Board)，中文名称为印制线路板，简称印制板，是电子工业的重要部件之一，是电子元器件的支撑体，电气连接的载体。随着工艺技术、产品设计、应用领域不断变化和发展，越来越多的金属基板需要在孔内做元器件直插封装工艺，这就要求金属基的孔壁必须进行绝缘化处理，也就是通常所说的树脂塞孔，以满足直插封装工艺使用要求。目前，树脂塞孔得到了广泛的应用与此同时对于其凹陷度有严格的要求，例如在5G高速数据通信印制电路板的制作中具有“葫芦型”的盘中孔需要树脂填平满足芯片贴装的需求，也有具有双面背钻或浅背钻工艺需要树脂填平后制作焊接面满足元器件的贴装的要求，现有技术采用干膜掩盖树脂孔来钻其它孔的方法改善树脂的凹陷度，这种工艺在贴干膜前需要磨板、去除干膜后和沉铜前处理需要磨板，存在工艺流程长耗费干膜物料，凹陷度得不到有效控制等不足。CN105430939A公开了一种印制电路板埋孔树脂塞孔方法，其不能很好控制树脂孔表面的凹陷度以及孔内气泡。
技术实现思路
[0003]为了解决上述问题，本专利技术提供了一种异形树脂孔的填镀方法，解决流程加工中的树脂凹陷，可保证产品凹陷和突起的质量可控制性、满足高精度HDI产品IC贴装的可靠性需求。
[0004]本专利技术采用如下方案实现：一种异性树脂孔的填镀方法，根据所要填充的树脂孔，在层压板上加工出需要进行树脂塞孔的通孔，进行第一次沉铜操作，使层与层之间导通，对通孔进行选择性树脂塞孔填充，对填充树脂后的通孔进行初固化，初固化后进行全板树脂塞孔填充，之后进行终固化，在终固化后对层压板表面进行研磨以除去其表面的树脂，对完成填充的树脂孔进行切片测量其凹陷度，依据凹陷度对层压板进行微蚀处理，对微蚀处理后的层压板直接第二次沉铜及电镀薄铜。本专利技术从流程设计及材料特性入手，通过分析铜与树脂的材料特性并开发全新的加工流程、技术和方法，解决流程加工中的树脂凹陷技术问题，工业要求的树脂塞孔凹陷度则是小于10μm，本专利技术可将平整度控制在0到
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5μm之间满足高精度HDI产品IC贴装的可靠性需求。通过对树脂孔进行切片测量，根据树脂塞孔的凹陷度对层压板进行微蚀处理，对微蚀的层压板直接第二次沉铜及电镀薄铜，能够依据产品质量要求对树脂孔的平整度进行控制。本专利技术即满足高性能芯片贴装的需求，也适用于树脂通孔塞孔和树脂盘中孔的常规产品加工。
[0005]进一步的，当所要填充的树脂孔具有台阶结构时，则在第一次沉铜操作之后对通孔进行背钻，并对钻孔精度进行控制，在背钻操作时，依设计选择背钻刀的直径，对背钻的深度进行计算，当背钻刀直径小于背钻深度时则正常加工，当背钻刀直径大于背钻深度时
则调整背钻刀与背钻深度的参数后进行加工，之后对加工出的首件进行切片测量，确认首件合格，对已背钻好的层压板进行蚀刻。通过对背钻孔精度的控制，进一步确保树脂孔填充的凹陷度，同时改善产品短路问题，满足生产需求。
[0006]进一步的，异形树脂孔的填镀方法包括以下步骤：步骤A1，在层压板上加工出需要进行树脂塞孔的通孔；步骤A 2，对层压板进行第一次沉铜操作，使通孔内壁表面附着金属层；步骤A 3，对通孔进行选择性树脂塞孔填充；步骤A 4，初固化处理，使树脂内外失去流动性的同时又保持粘度；步骤A 5，对全板进行真空树脂塞孔填充；步骤A 6，按常规生产参数进行终固化操作；步骤A7，采用的陶瓷机对层压板进行研磨，将板面的树脂研磨平整；步骤A8，对树脂孔进行切片测量其凹陷度，依据凹陷度对层压板进行微蚀处理，确保树脂孔与铜面保持水平无凹陷；步骤A9，对层压板直接第二次沉铜；步骤A10，采用垂直连续电镀线对层压板加镀5
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8μm的薄铜；步骤A11，按照正常生产流程进行钻孔及后续常规流程。
[0007]进一步的，在步骤A3中，采用选择性树脂塞孔机进行第一次填充，在制作塞孔铝片时，当通孔孔径小于等于0.4mm，则塞孔铝片上圆孔的孔径比通孔孔径大0.1mm，当通孔孔径大于0.4mm，则塞孔铝片上圆孔的孔径与通孔孔径相同，当对不同尺寸通孔进行填充且两者的孔径差大于0.15mm时，需分开制作塞孔铝片；树脂塞孔过程使用的导气垫板选择2.0mm厚的环氧树脂板，依据制作塞孔铝片的资料，先在导气垫板钻0.5mm的通孔，再用1.5~2.5mm的钻刀控深钻孔，余厚留0.3~0.5mm。
[0008]进一步的，在步骤A4中，初固化使用分段预烤，先在低温60~90度固化20~30分钟，再在中温100~120度固化15~20分钟。
[0009]进一步的，在步骤A5中，采用真空全板树脂塞孔机进行填充，真空度调整到900Mbar以上，前后塞头的压力调整到5~6bar, 前后塞头移动速度调整到50~150mm/min进行印刷。
[0010]进一步的，在步骤A8中，用金相显微镜对树脂孔的凹陷度进行测量。
[0011]进一步的，对背钻的钻孔精度控制包括以下步骤：步骤B1，选择比背钻孔孔径大0.3mm的背钻刀；步骤B2，测量需要背钻板的实际板厚，计算出实际板厚与流程卡上理论板厚的差异，对照流程卡上背钻孔的下钻深度，与计算出的板厚差异数据进行增减计算出实际背钻深度；步骤B3，依据背钻刀的直径与实际的背钻深度进行对比进行计算，当选择的背钻刀的直径小于背钻深度时，则正常加工，当选择的背钻刀的直径大于背钻深度时，则调整背钻刀与背钻深度的参数，背钻刀的直径选择比背钻孔孔径大0.15~0.2mm，下钻深度再增大0.05~0.15mm；步骤B4，对背钻出的首件层压板进行切片分析，确认首件合格后进行量产；步骤B5，对完成背钻的层压板进行线路蚀刻，清除背钻残留的毛刺。
[0012]进一步的，在对需要树脂塞孔的通孔填充前，对层压板依设计数值进行烤板，清除板面及孔内水分。
[0013]本专利技术还提供了一种印制线路板，应用前述的异形树脂孔的填镀方法。
[0014]对比现有技术，本专利技术具有以下有益效果：1.本专利技术采用选择性树脂塞孔与全板树脂塞孔填平工艺，并对初固化参数进行优化，确保两次树脂的结合力和填平效果，陶瓷机磨刷使得铜面的树脂基本无凹陷和突起，平整度可控制在0到
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5μm之间，满足工业要求树脂塞孔凹陷度小于10μm的要求，保证芯片贴装的需求。
[0015]2.本专利技术通过在树脂孔陶瓷机磨板、微蚀后设计了树脂孔加镀流程，树脂孔表面被均匀地加镀了5~8μm的薄铜，使得树脂孔在后续的磨板、等离子除胶等加工流程中不会凹陷，进一步确保树脂塞孔的品质。
[0016]3.本专利技术加入微蚀工艺可进一步改善树脂凹陷度，异形树脂孔表面平整度可依据产品质量要求进行控制，调整微蚀量蚀刻后电镀可设计为树脂凸铜盖帽工艺，提高实用性。
附图说明
[0017]图1为本专利技术提供的一种异形树脂孔的填镀方法的步骤流程图。
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【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种异形树脂孔的填镀方法，其特征在于，根据所要填充的树脂孔，在层压板上加工出需要进行树脂塞孔的通孔，进行第一次沉铜操作，使层与层之间导通，对通孔进行选择性树脂塞孔填充，对填充树脂后的通孔进行初固化，初固化后进行全板树脂塞孔填充，之后进行终固化，在终固化后对层压板表面进行研磨以除去其表面的树脂，对完成填充的树脂孔进行切片测量其凹陷度，依据凹陷度对层压板进行微蚀处理，对微蚀处理后的层压板直接第二次沉铜及电镀薄铜。2.根据权利要求1所述的异形树脂孔的填镀方法，其特征在于，当所要填充的树脂孔具有台阶结构时，则在第一次沉铜操作之后对通孔进行背钻，并对钻孔精度进行控制，在背钻操作时，依设计选择背钻刀的直径，对背钻的深度进行计算，当背钻刀直径小于背钻深度时则正常加工，当背钻刀直径大于背钻深度时则调整背钻刀与背钻深度的参数后进行加工，之后对加工出的首件进行切片测量，确认首件合格，对已背钻好的层压板进行蚀刻。3.根据权利要求2所述的异形树脂孔的填镀方法，其特征在于，异形树脂孔的填镀方法包括以下步骤：步骤A1，在层压板上加工出需要进行树脂塞孔的通孔；步骤A2，对层压板进行第一次沉铜操作，使通孔内壁表面附着金属层；步骤A3，对通孔进行选择性树脂塞孔填充；步骤A4，初固化处理，使树脂内外失去流动性的同时又保持粘度；步骤A5，对全板进行真空树脂塞孔填充；步骤A6，按常规生产参数进行终固化操作；步骤A7，采用的陶瓷机对层压板进行研磨，将板面的树脂研磨平整；步骤A 8，对树脂孔进行切片测量其凹陷度，依据凹陷度对层压板进行微蚀处理；步骤A9，对层压板直接第二次沉铜；步骤A10，采用垂直连续电镀线对层压板加镀5
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8μm的薄铜；步骤A11，按照正常生产流程进行钻孔及后续常规流程。4.根据权利要求3所述的异形树脂孔的填镀方法，其特征在于，在步骤A3中，采用选择性树脂塞孔机进行第一次填充，在制作塞孔铝片时，当通孔孔径小于等于0.4mm，则塞孔铝片上圆孔的孔径比通孔孔径大0.1mm，当通孔孔径大于0.4mm，则塞孔铝片上圆孔的孔...
【专利技术属性】
技术研发人员：聂兴培，谢军，樊廷慧，
申请(专利权)人：惠州市金百泽电路科技有限公司，
类型：发明
国别省市：
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