一种芯片失效分析方法及装置制造方法及图纸

本申请公开了一种芯片失效分析方法及装置，可以去除所述芯片的第一面的部分封装材料，以露出至少一部分晶片；接着，将所述芯片第二面中与焊盘位置对应的区域的封装材料去除，以露出所述焊盘；再接着，将电路板与所述第一面的引脚相连，可通过所述电路板给所述晶片供电；然后，将所述焊盘的引脚与探针连接，可通过所述探针给所述焊盘供电；再然后，观测所述晶片的运行状态，确定所述芯片的失效模块。本申请一方面无需将整个晶片从芯片封装结构中取出，且可保持芯片第一面的引脚，便于供电；另一方面，无需对芯片引脚进行重新焊线，可采用电路板给晶片供电，方法简单，且适用于复杂芯片。且适用于复杂芯片。且适用于复杂芯片。

【技术实现步骤摘要】
一种芯片失效分析方法及装置


[0001]本申请涉及芯片失效分析的
，尤其涉及一种芯片失效分析方法及装置。

技术介绍

[0002]失效分析是半导体芯片产品发现问题并反馈至生产流程解决问题的过程。适当的失效分析方法是芯片产品研发过程中对芯片产品进行快速有效改善的关键的。随着半导体行业的不断发展，芯片自身结构越来越复杂，对失效分析方法的高效性、便捷性、成功率的要求越来越高。
[0003]在微光显微镜观察的相关失效分析案例中，失效位置通常需要在芯片工作的过程中进行晶片背面观察的方法才能确认。然而对于复杂的封装芯片，芯片引脚一般与晶片背面区域存在重合，去除芯片背面的封装体后常常无法满足供电需求。目前的失效分析方法，一般采用将晶片整体取出，粘贴至专用的电路板，重新焊线后进行供电的方案。但是该方法对于复杂芯片局限性较强。

技术实现思路

[0004]本申请提供一种芯片失效分析方法及装置，可以去除所述芯片的第一面的部分封装材料，以露出至少一部分晶片；接着，将所述芯片第二面中与焊盘位置对应的区域的封装材料去除，以露出所述焊盘；再接着，本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种芯片失效分析方法，应用于封装后的芯片，其特征在于，包括：去除所述芯片的第一面的部分封装材料，以露出至少一部分晶片；将所述芯片第二面中与焊盘位置对应的区域的封装材料去除，以露出所述焊盘；将电路板与所述第一面的引脚相连，可通过所述电路板给所述晶片供电；将所述焊盘的引脚与探针连接，可通过所述探针给所述焊盘供电；观测所述晶片的运行状态，确定所述芯片的失效模块；其中，所述第一面与所述第二面为所述芯片相对的两面。2.如权利要求1所述的芯片失效分析方法，其特征在于，所述去除所述芯片的第一面的部分封装材料，以露出至少一部分晶片，包括：采用酸性液体对所述第一面的封装材料进行腐蚀，以露出至少一部分所述晶片。3.如权利要求2所述的芯片失效分析方法，其特征在于，所述采用酸性液体对所述第一面的封装材料进行腐蚀，以露出至少一部分所述晶片，包括：采用质量分数大于60%
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80%的硫酸溶液、或质量分数大于60%
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80%的硝酸溶液、或质量分数大于60%
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80%的硫酸溶液与质量分数大于60%
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80%的硝酸溶液的混合液，对所述第一面中与所述晶片位置对应的区域的封装材料进行腐蚀，直至露出所述晶片的整个背面。4.如权利要求1所述的芯片失效分析方法，其特征在于，所述将所述芯片第二面中与焊盘位置对应的区域的封装材料去除，以露出所述焊盘，包括：采用酸性液体对所述第二面中与所述焊盘位置对应的区域的封装材料进行腐蚀，以露出所述焊盘。5.如权利要求4所述的芯片失效分析方法，其特征在于，所述采用酸性液体对所述第二面中与所述焊盘位置对应的区域的封装材料进行腐蚀，以露出所述焊盘，包括：采用质量分数大于60%
‑
80%的硫酸溶液、或质量分数大于60%

【专利技术属性】
技术研发人员：黄钧，
申请(专利权)人：北京紫光芯能科技有限公司，
类型：发明
国别省市：