【技术实现步骤摘要】
本申请涉及电路领域，特别涉及一种晶体振荡器电路。
技术介绍
1、随着汽车智能化技术的推进，尤其例如adas(高级驾驶辅助系统，advanceddriving assistance system)等uwb(超宽带，ultra wide band)的应用场景，对于产生芯片参考时钟的晶体振荡器在启动时间和功耗方面提出了更多的新要求。
2、相较于失效安全的基本要求，失效后可操作要求车规晶体振荡器不能再是简单地启动唤醒产生时钟信号，还需要更多的启动设计来实现启动更快速和功耗更低的要求。
3、在相关技术中，一般是通过在晶体振荡器电路中增加辅助的环形振荡器帮助主体振荡器快速起振，但是这种加速起振方法中环形振荡器和晶体振荡器的振荡频率存在偏差，加速起振效果不好，并且功耗较高。
4、因此，如何加快晶体振荡器电路的起振速度，降低功耗，是本领域需要解决的技术问题。
技术实现思路
1、有鉴于此，提供该
技术实现思路
部分以便以简要的形式介绍构思，这些构思将在后面的具体实施方式部分被详细描述。该
技术实现思路
部分并不旨在标识要求保护的技术方案的关键特征或必要特征，也不旨在用于限制所要求的保护的技术方案的范围。
2、本申请的目的在于提供一种晶体振荡器电路，可以加快晶体振荡器电路的起振速度，降低功耗。
3、为实现上述目的，本申请有如下技术方案：
4、第一方面，本申请实施例提供了一种晶体振荡器电路，包括：低噪声电源电路、负阻增强电路和自动幅值控制电
5、所述低噪声电源电路与所述负阻增强电路连接；所述低噪声电源电路用于为所述晶体振荡器电路提供噪声小于预设值的电流；
6、所述负阻增强电路与所述自动幅值控制电路连接；所述负阻增强电路用于在不同模式下为所述晶体振荡器电路提供不同的负阻；
7、所述自动幅值控制电路用于产生翻转的控制信号。
8、在一种可能的实现方式中，所述低噪声电源电路，包括：带隙基准电路和线性稳压器电路；
9、所述带隙基准电路包括自偏置高摆幅共源共栅电流源和第一基准电路；所述自偏置高摆幅共源共栅电流源用于产生所述第一基准电路的偏置电压；所述第一基准电路包括折叠共源共栅放大器，用于提高增益；
10、所述线性稳压器电路包括源跟随器；所述线性稳压器电路用于提高所述折叠共源共栅放大器的电流驱动能力。
11、在一种可能的实现方式中，所述负阻增强电路，包括：第一反相器电路和总控制开关；
12、所述总控制开关用于控制所述第一反相器电路中各支路的导通和关断。
13、在一种可能的实现方式中，所述第一反相器电路，包括：五个相同大小的初始pmos管和五个相同大小的初始nmos管；
14、所述初始pmos管的源极均与电源电压连接，所述初始pmos管的栅极均与所述负阻增强电路的输入端连接，所述初始pmos管的漏极均与所述负阻增强电路的输出端连接；
15、所述初始nmos管的源极均与地连接，所述初始nmos管的栅极均与所述负阻增强电路的输入端连接，所述初始nmos管的漏极均与所述负阻增强电路的输出端连接。
16、在一种可能的实现方式中，所述总控制开关，包括：第一控制开关和第二控制开关；
17、所述第一控制开关设置在所述负阻增强电路的输入端和四个所述初始pmos管的栅极之间，用于控制四个所述初始pmos管的开关；
18、所述第二控制开关设置在所述负阻增强电路的输入端和四个所述初始nmos管的栅极之间，用于控制四个所述初始nmos管的开关。
19、在一种可能的实现方式中，所述自动幅值控制电路，包括：包络检波器、比较器、第二反相器和第三反相器；
20、所述包络检波器的输入端与所述负阻增强电路的输出端连接；
21、所述包络检波器的输出端与所述比较器的输入端连接；
22、所述比较器的输出端与所述第二反相器的输入端连接；
23、所述第二反相器的输出端与所述第三反相器输入端连接。
24、在一种可能的实现方式中，所述包络检波器，包括：第一nmos管、第一pmos管、第一电阻、第二电阻、第一电容和第二电容；
25、所述第一nmos管的漏极和所述第一pmos管的源极连接；所述第一nmos管的源极和所述第一pmos管的漏极连接；所述第一nmos管的栅极连接所述负阻增强电路的输入端；所述第一pmos管的栅极连接所述负阻增强电路的输出端；
26、所述第一电阻、所述第二电阻和所述第一电容的一端分别连接所述第一nmos管的源极和所述第一pmos管的漏极；所述第一电阻的另一端与所述第二电容的一端连接；所述第一电容、所述第二电阻和所述第二电容的另一端之间互相连接。
27、在一种可能的实现方式中，所述比较器，包括：第二pmos管、第三pmos管、第四pmos管、第二nmos管、第三nmos管、第四nmos管、第五nmos管和第六nmos管；
28、所述第二pmos管、所述第三pmos管和所述第四pmos管的源极之间互相连接；所述第二pmos管的栅极和所述第三pmos管的栅极连接；所述第二pmos管的漏极分别与所述第二nmos管的漏极和所述第二pmos管的栅极连接；
29、所述第三pmos管的漏极分别与所述第四pmos管的栅极和所述第三nmos管的漏极连接；所述第四pmos管的栅极与所述第四nmos管的栅极连接；所述第四pmos管的漏极与所述第四nmos管的漏极连接；
30、所述第二nmos管的栅极与所述第二电容的一端连接；所述第二nmos管的源极与所述第三nmos管的源极连接；所述第三nmos管的栅极与所述低噪声电源电路连接；所述第二nmos管的源极与所述第三nmos管的源极连接后与所述第六nmos管的漏极连接；
31、所述第五nmos管的栅极与所述第五nmos管的漏极连接；所述第五nmos管的栅极与所述第六nmos管的栅极连接；所述第四nmos管、所述第五nmos管和所述第六nmos管的源极之间互相连接。
32、在一种可能的实现方式中，还包括：与所述低噪声电源电路、所述负阻增强电路和所述自动幅值控制电路并联设置的第三电阻和晶体谐振器。
33、在一种可能的实现方式中，还包括：一端与所述晶体谐振器的一端连接，另一端接地的第一电容；
34、一端与所述晶体谐振器的另一端连接，另一端接地的第二电容。
35、与现有技术相比，本申请实施例具有以下有益效果：
36、本申请实施例提供了一种晶体振荡器电路，包括：低噪声电源电路、负阻增强电路和自动幅值控制电路；低噪声电源电路与负阻增强电路连接；低噪声电源电路用于为晶体振荡器电路提供噪声小于预设值的电流；负阻增强电路与自动幅值控制电路连接；负阻增强电路用于在不同模式下为晶体振荡器电路提供不同的负阻；自动幅值控制电路用于产生翻转的控本文档来自技高网...
【技术保护点】
1.一种晶体振荡器电路，其特征在于，包括：低噪声电源电路、负阻增强电路和自动幅值控制电路；
2.根据权利要求1所述的电路，其特征在于，所述低噪声电源电路，包括：带隙基准电路和线性稳压器电路；
3.根据权利要求1所述的电路，其特征在于，所述负阻增强电路，包括：第一反相器电路和总控制开关；
4.根据权利要求3所述的电路，其特征在于，所述第一反相器电路，包括：五个相同大小的初始PMOS管和五个相同大小的初始NMOS管；
5.根据权利要求1所述的电路，其特征在于，所述总控制开关，包括：第一控制开关和第二控制开关；
6.根据权利要求1所述的电路，其特征在于，所述自动幅值控制电路，包括：包络检波器、比较器、第二反相器和第三反相器；
7.根据权利要求1所述的电路，其特征在于，所述包络检波器，包括：第一NMOS管、第一PMOS管、第一电阻、第二电阻、第一电容和第二电容；
8.根据权利要求7所述的电路，其特征在于，所述比较器，包括：第二PMOS管、第三PMOS管、第四PMOS管、第二NMOS管、第三NMOS管、第四
9.根据权利要求1所述的电路，其特征在于，还包括：与所述低噪声电源电路、所述负阻增强电路和所述自动幅值控制电路并联设置的第三电阻和晶体谐振器。
10.根据权利要求9所述的电路，其特征在于，还包括：一端与所述晶体谐振器的一端连接，另一端接地的第三电容；
...【技术特征摘要】
1.一种晶体振荡器电路，其特征在于，包括：低噪声电源电路、负阻增强电路和自动幅值控制电路；
2.根据权利要求1所述的电路，其特征在于，所述低噪声电源电路，包括：带隙基准电路和线性稳压器电路；
3.根据权利要求1所述的电路，其特征在于，所述负阻增强电路，包括：第一反相器电路和总控制开关；
4.根据权利要求3所述的电路，其特征在于，所述第一反相器电路，包括：五个相同大小的初始pmos管和五个相同大小的初始nmos管；
5.根据权利要求1所述的电路，其特征在于，所述总控制开关，包括：第一控制开关和第二控制开关；
6.根据权利要求1所述的电路，其特征在于，所述自动幅值控制电路，包括：包络检波器、比较...
【专利技术属性】
技术研发人员：朱富，黄钧，
申请(专利权)人：北京紫光芯能科技有限公司，
类型：发明
国别省市：
还没有人留言评论。发表了对其他浏览者有用的留言会获得科技券。