过孔结构及其制备方法以及过孔结构的阻抗的调节方法技术

本公开实施例公开了一种过孔结构及其制备方法以及过孔结构的阻抗的调节方法。其中，所述过孔结构包括：第一过孔、第二过孔以及第一连接通孔；所述第一连接通孔位于所述第一过孔和所述第二过孔之间，且覆盖部分所述第一过孔和部分所述第二过孔；分别位于所述第一过孔内和所述第二过孔内的第一金属层和第二金属层，且所述第一金属层与所述第二金属层分别覆盖所述第一过孔与所述第二过孔的侧壁；其中，所述第一金属层与所述第二金属层被所述第一连接通孔隔开。连接通孔隔开。连接通孔隔开。

【技术实现步骤摘要】
过孔结构及其制备方法以及过孔结构的阻抗的调节方法


[0001]本公开涉及半导体封装
，尤其涉及一种过孔结构及其制备方法以及过孔结构的阻抗的调节方法。

技术介绍

[0002]过孔是通常通过多层印刷电路板而且在印刷电路板的层之间提供电连接的电互连。通常，过孔使印刷电路板的一层中的迹线与印刷电路板的另一层中的迹线连接。依次地，迹线又连接到电路、电设备、接触焊盘、连接器等。目前，如何对过孔的阻抗进行有效控制成为重要研究方向。

技术实现思路

[0003]有鉴于此，本公开实施例提供一种过孔结构及其制备方法以及过孔结构的阻抗的调节方法。
[0004]根据本公开实施例的第一方面，提供了一种过孔结构，所述过孔结构包括：第一过孔、第二过孔以及第一连接通孔；
[0005]所述第一连接通孔位于所述第一过孔和所述第二过孔之间，且覆盖部分所述第一过孔和部分所述第二过孔；
[0006]分别位于所述第一过孔内和所述第二过孔内的第一金属层和第二金属层，且所述第一金属层与所述第二金属层分别覆盖所述第一过孔与所述第二过孔的侧壁；其中，所本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种过孔结构，其特征在于，包括：第一过孔、第二过孔以及第一连接通孔；所述第一连接通孔位于所述第一过孔和所述第二过孔之间，且覆盖部分所述第一过孔和部分所述第二过孔；分别位于所述第一过孔内和所述第二过孔内的第一金属层和第二金属层，且所述第一金属层与所述第二金属层分别覆盖所述第一过孔与所述第二过孔的侧壁；其中，所述第一金属层与所述第二金属层被所述第一连接通孔隔开。2.根据权利要求1所述的过孔结构，其特征在于，所述第一过孔、所述第二过孔和所述第一连接通孔内填充有介质材料。3.根据权利要求1所述的过孔结构，其特征在于，所述第一过孔的半径与所述第二过孔的半径相等，且所述第一金属层的厚度与所述第二金属层的厚度相等。4.根据权利要求1所述的过孔结构，其特征在于，所述第一过孔与所述第二过孔部分重叠。5.根据权利要求4所述的过孔结构，其特征在于，D3<2*R1，其中，R1表征所述第一连接通孔的半径，D3表征沿垂直于所述第一过孔的圆心和所述第二过孔的圆心的连接线的方向，所述第一过孔与所述第二过孔的重叠部分的最长距离。6.根据权利要求1所述的过孔结构，其特征在于，所述第一连接通孔的圆心为所述第一过孔的圆心与所述第二过孔的圆心的连接线的中点，所述第一连接通孔覆盖相等面积的第一过孔和第二过孔，以使所述第一金属层和所述第二金属层的面积相等。7.一种过孔结构，其特征在于，包括：第一过孔、第一连接通孔和第二连接通孔；所述第一连接通孔和所述第二连接通孔分别位于所述第一过孔的两侧，且覆盖部分所述第一过孔；位于所述第一过孔中的第一金属层与第二金属层；其中，所述第一金属层与所述第二金属层覆盖所述第一过孔的侧壁且被所述第一连接通孔与所述第二连接通孔隔开。8.根据权利要求7所述的过孔结构，其特征在于，所述第一过孔、所述第一连接通孔和所述第二连接通孔内填充有介质材料。9.一种过孔结构的制备方法，其特征在于，所述方法包括：形成第一过孔和第二过孔；形成第一预金属层与第二预金属层，所述第一预金属层与所述第二预金属层分别覆盖所述第一过孔与所述第二过孔的侧壁；形成第一连接通孔，所述第一连接通孔位于所述第一过孔和所述第二过孔之间，且覆盖部分所述第一过孔和部分所述第二过孔，从而去除所述第一预金属层和所述第二预金属层分别被所述第一连接通孔覆盖的部分，分别形成第一金属层与第二金属层，所述第一金属层与所述第二金属层被所述第一连接通孔隔开。10.根据权利要求9所述的方法，其特征在于，所述方法还包括：
在形成第一连接通孔后，在所述第一...

【专利技术属性】
技术研发人员：方亚德，
申请(专利权)人：长鑫存储技术有限公司，
类型：发明
国别省市：