半导体制程的控制方法、装置、设备及存储介质制造方法及图纸

本公开提供一种半导体制程的控制方法、装置、设备及存储介质。该方法包括：解析晶圆批次信息，确定当前产品的当前产品批次；获取设定期内的历史量测数据；在确定所述历史量测数据不包括当前产品批次的第一量测数据的情况下，若根据预设配置信息，确定历史量测数据包括目标产品批次的第二量测数据，则根据预设配置信息以及第二量测数据，确定目标调控数据；根据目标调控数据控制当前产品的生产参数。在本公开中，当历史量测数据不包括当前产品批次的第一量测数据时，可以根据其它产品的第二量测数据来确定目标调控数据，然后根据目标调控数据控制当前产品的生产参数，以提高整个控制方法的智能性，可一定程度提升产能。可一定程度提升产能。可一定程度提升产能。

【技术实现步骤摘要】
半导体制程的控制方法、装置、设备及存储介质


[0001]本公开涉及半导体
，尤其涉及一种半导体制程的控制方法、装置、设备及存储介质。

技术介绍

[0002]批次控制(Run
‑
to
‑
run控制或简记为R2R控制)，又称为批对批控制，是半导体制程中反馈控制的一种。Run
‑
to
‑
Run(RtR,R2R)控制是一种针对间歇过程的优化控制方法，其根据历史批次信息的反馈评估与分析，更新过程模型并调整制程方案，从而降低批次间的产品差异。

技术实现思路

[0003]以下是对本公开详细描述的主题的概述。本概述并非是为了限制权利要求的保护范围。
[0004]本公开提供一种半导体制程的控制方法、装置、设备及存储介质。
[0005]根据本公开实施例的第一方面，提供一种半导体制程的控制方法，所述方法包括：
[0006]解析晶圆批次信息，确定当前产品的当前产品批次；
[0007]获取设定期内的历史量测数据；
[0008]在确定所述历史量测数据不包括所述当前产品批次的第一量测数据的情况下，若根据预设配置信息，确定所述历史量测数据包括目标产品批次的第二量测数据，则根据所述预设配置信息以及所述第二量测数据，确定目标调控数据；
[0009]根据所述目标调控数据控制所述当前产品的生产参数。
[0010]根据本公开的一些实施例，所述预设配置信息中，所述当前产品批次对应至少一个参考产品批次，
[0011]所述根据预设配置信息，确定所述历史量测数据包括目标产品批次的第二量测数据，包括：
[0012]根据所述至少一个参考产品批次中每个参考产品批次的优先级，依次从所述历史量测数据中查找参考产品批次的量测数据；
[0013]将查找到的参考产品批次的量测数据，确定为所述目标产品批次的所述第二量测数据。
[0014]根据本公开的一些实施例，当所述至少一个参考产品批次中每个参考产品批次对应一个偏移数据时，所述偏移数据表征与其对应的参考产品批次的参考调控数据与所述目标调控数据的转换关系；
[0015]所述根据所述预设配置信息以及所述第二量测数据，确定目标调控数据，包括：
[0016]根据所述第二量测数据确定参考调控数据；
[0017]将所述预设配置信息中，与所述目标产品批次对应的偏移数据，确定为目标偏移数据；
[0018]根据所述目标偏移数据以及所述参考调控数据，确定所述目标调控数据。
[0019]根据本公开的一些实施例，当所述至少一个参考产品批次中每个参考产品批次对应至少一个传感器生命周期范围，且每个传感器生命周期范围对应一个偏移数据时，所述偏移数据表征与其对应的参考产品批次的参考调控数据与所述目标调控数据的转换关系；
[0020]所述根据所述预设配置信息以及所述第二量测数据，确定目标调控数据，包括：
[0021]获取半导体生产设备的传感器的当前传感器生命周期；
[0022]将所述当前传感器生命周期所属的传感器生命周期范围，确定为当前生命周期范围；
[0023]将所述预设配置信息中，同时与所述目标产品批次和所述当前生命周期范围对应的偏移数据，确定为所述目标偏移数据；
[0024]根据所述第二量测数据确定参考调控数据；
[0025]根据所述目标偏移数据以及所述参考调控数据，确定所述目标调控数据。
[0026]根据本公开的一些实施例，所述获取设定期内的历史量测数据，包括：
[0027]确定所述当前产品的当前调控层；
[0028]获取与所述当前调控层对应的设定期内的历史量测数据。
[0029]根据本公开的一些实施例，在确定所述历史量测数据不包括当前产品批次的第一量测数据的情况下，所述方法还包括：
[0030]若根据所述预设配置信息，确定所述历史量测数据不包括目标产品批次的第二量测数据，则禁止加工所述当前产品的所述当前调控层。
[0031]根据本公开的一些实施例，所述至少一个参考产品批次中每个参考产品批次的优先级，通过以下方法确定：
[0032]获取所述当前调控层的历史调控数据；
[0033]根据历史调控数据中，所述至少一个参考产品批次中每个参考产品批次的调控数据量，确定所述至少一个参考产品批次中每个参考产品批次的优先级。
[0034]根据本公开的一些实施例，所述历史调控数据包括，所述当前产品批次的多个第一子调控数据，以及所述至少一个参考产品批次中每个参考产品批次的多个第二子调控数据，
[0035]所述方法还包括：
[0036]根据所述多个第一子调控数据以及所述多个第二子调控数据，以设定方式确定所述至少一个参考产品批次中每个参考产品批次对应的偏移数据。
[0037]根据本公开的一些实施例，所述多个第一子调控数据为设定生命周期范围内多个传感器生命周期对应的第一子调控数据，所述多个第二子调控数据为所述多个传感器生命周期对应的第二子调控数据，所述多个第一子调控数据、所述多个第二子调控数据和所述多个传感器生命周期一一对应；
[0038]所述根据所述多个第一子调控数据以及所述多个第二子调控数据，以设定方式确定所述至少一个参考产品批次中每个参考产品批次对应的偏移数据，包括：
[0039]确定所述多个传感器生命周期中，每个传感器生命周期对应的子偏移数据，所述子偏移数据表征所述每个传感器生命周期对应的第一子调控数据与第二子调控数据的转换关系；
[0040]将所述多个传感器生命周期对应的多个子偏移数据中的众数，确定为所述至少一个参考产品批次中每个参考产品批次对应的偏移数据。
[0041]本公开的第二方面提供一种半导体制程的控制装置，所述装置包括：
[0042]第一确定模块，被配置为解析晶圆批次信息，确定当前产品的当前产品批次；
[0043]第一获取模块，被配置为获取设定期内的历史量测数据；
[0044]所述第一确定模块，还被配置为在确定所述历史量测数据不包括所述当前产品批次的第一量测数据的情况下，若根据预设配置信息，确定所述历史量测数据包括目标产品批次的第二量测数据，则根据所述预设配置信息以及所述第二量测数据，确定目标调控数据；
[0045]控制模块，被配置为根据所述目标调控数据控制所述当前产品的生产参数。
[0046]根据本公开的一些实施例，所述预设配置信息中，所述当前产品批次对应至少一个参考产品批次，所述第一确定模块，还被配置为：
[0047]根据所述至少一个参考产品批次中每个参考产品批次的优先级，依次从所述历史量测数据中查找参考产品批次的量测数据；
[0048]将查找到的参考产品批次的量测数据，确定为所述目标产品批次的所述第二量测数据。
[0049]根据本公开的一些实施例，当所述至少一个参考产品批次中每个参考产品批次对应一个偏移数据时，所述偏移数据表征与其对应的本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种半导体制程的控制方法，其特征在于，所述方法包括：解析晶圆批次信息，确定当前产品的当前产品批次；获取设定期内的历史量测数据；在确定所述历史量测数据不包括所述当前产品批次的第一量测数据的情况下，若根据预设配置信息，确定所述历史量测数据包括目标产品批次的第二量测数据，则根据所述预设配置信息以及所述第二量测数据，确定目标调控数据；根据所述目标调控数据控制所述当前产品的生产参数。2.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述预设配置信息中，所述当前产品批次对应至少一个参考产品批次，所述根据预设配置信息，确定所述历史量测数据包括目标产品批次的第二量测数据，包括：根据所述至少一个参考产品批次中每个参考产品批次的优先级，依次从所述历史量测数据中查找参考产品批次的量测数据；将查找到的参考产品批次的量测数据，确定为所述目标产品批次的所述第二量测数据。3.如权利要求2所述的方法，其特征在于，当所述至少一个参考产品批次中每个参考产品批次对应一个偏移数据时，所述偏移数据表征与其对应的参考产品批次的参考调控数据与所述目标调控数据的转换关系；所述根据所述预设配置信息以及所述第二量测数据，确定目标调控数据，包括：根据所述第二量测数据确定参考调控数据；将所述预设配置信息中，与所述目标产品批次对应的偏移数据，确定为目标偏移数据；根据所述目标偏移数据以及所述参考调控数据，确定所述目标调控数据。4.如权利要求2所述的方法，其特征在于，当所述至少一个参考产品批次中每个参考产品批次对应至少一个传感器生命周期范围，且每个传感器生命周期范围对应一个偏移数据时，所述偏移数据表征与其对应的参考产品批次的参考调控数据与所述目标调控数据的转换关系；所述根据所述预设配置信息以及所述第二量测数据，确定目标调控数据，包括：获取半导体生产设备的传感器的当前传感器生命周期；将所述当前传感器生命周期所属的传感器生命周期范围，确定为当前生命周期范围；将所述预设配置信息中，同时与所述目标产品批次和所述当前生命周期范围对应的偏移数据，确定为所述目标偏移数据；根据所述第二量测数据确定参考调控数据；根据所述目标偏移数据以及所述参考调控数据，确定所述目标调控数据。5.如权利要求3或4所述的方法，其特征在于，所述获取设定期内的历史量测数据，包括：确定所述当前产品的当前调控层；获取与所述当前调控层对应的设定期内的历史量测数据。6.如权利要求5所述的方法，其特征在于，在确定所述历史量测数据不包括当前产品批次的第一量测数据的情况下，所述方法还包括：
若根据所述预设配置信息，确定所述历史量测数据不包括目标产品批次的第二量测数据，则禁止加工所述当前产品的所述当前调控层。7.如权利要求5所述的方法，其特征在于，所述至少一个参考产品批次中每个参考产品批次的优先级，通过以下方法确定：获取所述当前调控层的历史调控数据；根据历史调控数据中，所述至少一个参考产品批次中每个参考产品批次的调控数据量，确定所述至少一个参考产品批次中每个参考产品批次的优先级。8.如权利要求7所述的方法，其特征在于，所述历史调控数据包括，所述当前产品批次的多个第一子调控数据，以及所述至少一个参考产品批次中每个参考产品批次的多个第二子调控数据，所述方法还包括：根据所述多个第一子调控数据以及所述多个第二子调控数据，以设定方式确定所述至少一个参考产品批次中每个参考产品批次对应的偏移数据。9.如权利要求8所述的方法，其特征在于，所述多个第一子调控数据为设定生命周期范围内多个传感器生命周期对应的第一子调控数据，所述多个第二子调控数据为所述多个传感器生命周期对应的第二子调控数据，所述多个第一子调控数据、所述多个第二子调控数据和所述多个传感器生命周期一一对应；所述根据所述多个第一子调控数据以及所述多个第二子调控数据，以设定方式确定所述至少一个参考产品批次中每个参考产品批次对应的偏移数据，包括：确定所述多个传感器生命周期中，每个传感器生命周期对应的子偏移数据，所述子偏移数据表征所述每个传感器生命周期对应的第一子调控数据与第二子调控数据的转换关系；将所述多个传感器生命周期对应的多个子偏移数据中的众数，确定为所述至少一个参考产品批次中每个参考产品批次对应的偏移数据。10.一种半导体制程的控制装置，其特征在于，所述装置包括：第一确定模块，被配置为解析晶圆批次信息，确定当前产品的当前产品批次；第一获取模块，被配置为获取设定期内的历史量测数据；所述第一确定模块，还被...

【专利技术属性】
技术研发人员：王毓涵，
申请(专利权)人：长鑫存储技术有限公司，
类型：发明
国别省市：