一种防止石墨坩埚变形导致漏硅的装置及石墨坩埚制造方法及图纸

技术编号:36418951 阅读:13 留言:0更新日期:2023-01-20 22:25
本实用新型专利技术提供一种防止石墨坩埚变形导致漏硅的装置及石墨坩埚,包括第一配合部、第二配合部和连接部,其中,第一配合部与第二配合部分别与连接部连接,且第一配合部与第二配合部分别位于连接部的两侧;第一配合部与石墨坩埚的任一瓣坩埚连接,第二配合部与石墨坩埚的任一瓣坩埚相邻的另一瓣坩埚连接,以使得相邻坩埚之间的间隙得到限制。本实用新型专利技术的有益效果是装置对相邻的两瓣坩埚施加作用力,阻止相邻两瓣坩埚之间的间隙增大,防止石墨坩埚变形,避免由于间隙增大而造成石英坩埚变形漏硅现象的发生,能够增加单炉次运行时间,增加投料量,降低成本投入,降低由于石墨坩埚变形导致漏硅的风险,减少经济损失。减少经济损失。减少经济损失。

【技术实现步骤摘要】
一种防止石墨坩埚变形导致漏硅的装置及石墨坩埚


[0001]本技术属于直拉单晶
,尤其是涉及一种防止石墨坩埚变形导致漏硅的装置及石墨坩埚。

技术介绍

[0002]随着成本压力越来越大,要求单炉次运行时间越来越长,而运行时间越长石墨坩埚由于熔硅长时间的压力作用,坩埚间隙越来越大,进而导致石英坩埚变形造成漏硅。

技术实现思路

[0003]鉴于上述问题,本技术提供一种防止石墨坩埚变形导致漏硅的装置及石墨坩埚,以解决现有技术存在的以上或者其他前者问题。
[0004]为解决上述技术问题,本技术采用的技术方案是:一种防止石墨坩埚变形导致漏硅的装置,包括第一配合部、第二配合部和连接部,其中,
[0005]第一配合部与第二配合部分别与连接部连接,且第一配合部与第二配合部分别位于连接部的两侧;
[0006]第一配合部与石墨坩埚的任一瓣坩埚连接,第二配合部与石墨坩埚的任一瓣坩埚相邻的另一瓣坩埚连接,以使得相邻坩埚之间的间隙得到限制。
[0007]进一步的,连接部的面向石墨坩埚的一侧面为曲面结构,且与石墨坩埚的形状相适应;或,
[0008]连接部的面向石墨坩埚的一侧面为平面结构。
[0009]进一步的,第一配合部与第二配合部均包括插入部,插入部与石墨坩埚插接配合,插入部的截面形状为直线或曲线。
[0010]进一步的,第一配合部与第二配合部均还包括卡合部,卡合部与插入部连接,卡合部与石墨坩埚插接配合,卡合部的截面形状为直线或曲线。
[0011]进一步的,插入部与卡合部相交设置,卡合部的一端与插入部连接,构造出L型结构的第一配合部或第二配合部,第一配合部的卡合部与第二配合部的卡合部相对靠近设置,以便于对石墨坩埚的相邻坩埚之间的间隙得到限制。
[0012]进一步的,插入部与卡合部相交设置,插入部与卡合部的两端之间的任一部位连接,构造出T型结构的第一配合部与第二配合部。
[0013]进一步的,插入部与连接部垂直设置,且第一配合部与第二配合设于连接部的同一侧。
[0014]一种石墨坩埚,包括石墨坩埚和设于石墨坩埚上的如上述的防止石墨坩埚变形导致漏硅的装置,其中,
[0015]石墨坩埚的每一瓣坩埚的外侧面上设置有卡槽,卡槽设于每一瓣坩埚的靠近两侧边缘处;
[0016]装置与卡槽插接,且每一个装置与石墨坩埚的相邻两瓣坩埚的相互邻近的卡槽插
接配合,以使得装置对石墨坩埚的相邻两瓣坩埚之间的间隙进行限制。
[0017]进一步的,每一瓣坩埚上的两侧边上的卡槽位于同一高度的圆周上,且相邻两瓣坩埚上的相邻的两个卡槽位于同一高度的圆周上。
[0018]进一步的,任一瓣坩埚的位于一侧边处的卡槽的数量为多个,沿着石墨坩埚的高度方向依次设置;或,
[0019]任一瓣坩埚的位于一侧边处的卡槽的数量为一个,卡槽从任一瓣坩埚的进口端向另一端方向延伸设置。
[0020]由于采用上述技术方案,防止石墨坩埚变形导致漏硅的装置的结构简单,使用方便,具有第一配合部和第二配合部,第一配合部与第二配合部分别与石墨坩埚的相邻两瓣坩埚相插接,将相邻两瓣坩埚连接起来,使得石墨坩埚在单晶拉制过程中,随着时间的增长,第一配合部与第二配合部分别对相邻的两瓣坩埚施加作用力,阻止相邻两瓣坩埚之间的间隙增大,防止石墨坩埚变形,避免由于间隙增大而造成石英坩埚变形漏硅现象的发生,能够增加单炉次运行时间,增加投料量,降低成本投入,降低由于石墨坩埚变形导致漏硅的风险,减少经济损失。
附图说明
[0021]图1是本技术的一实施例的安装有防止石墨坩埚变形导致漏硅的装置的石墨坩埚的俯视结构示意图;
[0022]图2是本技术的一实施例的防止石墨坩埚变形导致漏硅的装置的一种结构示意图;
[0023]图3是本技术的一实施例的防止石墨坩埚变形导致漏硅的装置的另一种结构示意图;
[0024]图4是本技术的一实施例的防止石墨坩埚变形导致漏硅的装置的再一种结构示意图;
[0025]图5是本技术的一实施例的安装有防止石墨坩埚变形导致漏硅的装置的石墨坩埚的一种结构的示意图;
[0026]图6是本技术的一实施例的安装有防止石墨坩埚变形导致漏硅的装置的石墨坩埚的另一种结构的示意图。
[0027]图中:
[0028]1、石墨坩埚2、防止石墨坩埚变形3、间隙导致漏硅的装置
[0029]20、连接部21、插入部22、卡合部
具体实施方式
[0030]下面结合附图和具体实施例对本技术作进一步的说明。
[0031]图1示出了本技术的一实施例的结构,本技术的一实施例涉及一种防止石墨坩埚变形导致漏硅的装置及石墨坩埚,该装置安装在石墨坩埚上,对石墨坩埚中的相邻的两瓣坩埚之间的间隙进行限制,使得石墨坩埚在使用过程中,石墨坩埚不会由于熔硅长时间的压力作用而使得相邻两瓣坩埚之间的间隙变大,避免石墨坩埚产生变形,避免石英坩埚变形而造成漏硅。
[0032]一种防止石墨坩埚变形导致漏硅的装置2,安装在石墨坩埚1上,如图1

4所示,包括第一配合部、第二配合部和连接部20,其中,第一配合部与第二配合部分别与连接部20连接,且第一配合部与第二配合部分别位于连接部20的两侧,构造出装置2的整体结构;第一配合部与石墨坩埚1的任一瓣坩埚连接,第二配合部与石墨坩埚1的该任一瓣坩埚相邻的另一瓣坩埚连接,以使得相邻坩埚之间的间隙3得到限制。
[0033]该石墨坩埚1为三瓣坩埚,由三部分坩埚拼接而成,相邻两瓣坩埚之间具有间隙3,将装置2安装在石墨坩埚1上,且装置2的第一配合部和第二配合部分别与相邻的两瓣坩埚连接,将石墨坩埚1相邻的两瓣坩埚连接的在一起,对相邻两瓣坩埚之间的间隙3进行限制,以使得在直拉单晶过程中石墨坩埚1在熔硅长时间压力作用下产生变形时装置2对相邻两瓣坩埚施加阻力,使得相邻两瓣坩埚之间的间隙3不会变大,对相邻两瓣坩埚之间的间隙3的变大趋势进行阻挡,避免位于石墨坩埚1内的石英坩埚由于变形而导致漏硅现象的发生,增加单炉次运行时间,增加投料量,降低成本投入。
[0034]具体地,如图2

4所示,上述的连接部20为板状结构,连接部20的设置,便于第一配合部与第二配合部的安装,第一配合部与第二配合部分别用于与相邻的两瓣坩埚连接,以使得该装置2能够安装在石墨坩埚1上,且与石墨坩埚1两瓣相邻的坩埚连接,对相邻两瓣坩埚之间的间隙3进行限制,避免该间隙3在拉晶过程中变大而造成石英坩埚漏硅。
[0035]该装置2安装在石墨坩埚1上时,可以与石墨坩埚1的外侧面接触,也可以不和石墨坩埚1的外侧面接触,为了延长石墨坩埚1的使用寿命,根据实际需求进行选择,这里不做具体要求。该连接部20为板状结构,其截面形状可以是直线,即,连接部20的面向石墨坩埚1的一侧面为平面结构,该连接部20为平板结构;也可以是曲线结构,其形状与石墨坩埚1的外表面的形状相适应,即,该本文档来自技高网
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【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种防止石墨坩埚变形导致漏硅的装置,其特征在于:包括第一配合部、第二配合部和连接部,其中,所述第一配合部与所述第二配合部分别与所述连接部连接,且所述第一配合部与所述第二配合部分别位于所述连接部的两侧;所述第一配合部与石墨坩埚的任一瓣坩埚连接,所述第二配合部与所述石墨坩埚的任一瓣坩埚相邻的另一瓣坩埚连接,以使得相邻坩埚之间的间隙得到限制。2.根据权利要求1所述的防止石墨坩埚变形导致漏硅的装置,其特征在于:所述连接部的面向所述石墨坩埚的一侧面为曲面结构,且与石墨坩埚的形状相适应;或,所述连接部的面向所述石墨坩埚的一侧面为平面结构。3.根据权利要求1或2所述的防止石墨坩埚变形导致漏硅的装置,其特征在于:所述第一配合部与所述第二配合部均包括插入部,所述插入部与所述石墨坩埚插接配合,所述插入部的截面形状为直线或曲线。4.根据权利要求3所述的防止石墨坩埚变形导致漏硅的装置,其特征在于:所述第一配合部与所述第二配合部均还包括卡合部,所述卡合部与所述插入部连接,所述卡合部与所述石墨坩埚插接配合,所述卡合部的截面形状为直线或曲线。5.根据权利要求4所述的防止石墨坩埚变形导致漏硅的装置,其特征在于:所述插入部与所述卡合部相交设置,所述卡合部的一端与所述插入部连接,构造出L型结构的所述第一配合部或所述第二配合部,所述第一配合部的卡合部与所述第二配合部的卡合部相对靠近设置,以便于对所述石墨坩埚的相邻坩埚之间...

【专利技术属性】
技术研发人员:王胜利武志军张文霞康学兵巩名扬
申请(专利权)人:内蒙古中环晶体材料有限公司
类型:新型
国别省市:

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