一种针对互容式电容薄膜的检测电路制造技术

本实用新型专利技术提供了一种针对互容式电容薄膜的检测电路，其可有效检测电容薄膜的性能，可靠性高；其包括输入模块，用于接入电容薄膜；振荡模块，与所述输入模块相连接，用于根据接入的所述电容薄膜的特性，以周期性的振荡输出信号；输出模块，与所述振荡模块相连接，用于接收所述振荡模块的振荡输出信号，判断所述电容薄膜的性能好坏，并进行直观显示。并进行直观显示。并进行直观显示。

【技术实现步骤摘要】
一种针对互容式电容薄膜的检测电路


[0001]本技术涉及汽车开关控制面板
，具体为一种针对互容式电容薄膜的检测电路。

技术介绍

[0002]随着电容触摸技术的发展，汽车上的很多中控面板开关都采用了电容薄膜的方案，电容薄膜主要是通过检测触摸时和没有触摸时的电容的变化量来判断开关是否被有效触发，而电容薄膜作为汽车中控面板最关键的组成部分，它的性能直接影响了整个产品功能的稳定性，所以针对电容薄膜的检测显得至关重要，但电容薄膜由于其本身的特性，很难用普通的仪器直接去测量它的参数来判断它的性能，而电容薄膜的性能不良有可能无法及时反应在产品的功能上，也就会出现出厂时开关产品功能正常，但是时间一长之后就会出现功能不良的现象。

技术实现思路

[0003]针对上述问题，本技术提供了一种针对互容式电容薄膜的检测电路，其可有效检测电容薄膜的性能，可靠性高。
[0004]其技术方案是这样的：一种针对互容式电容薄膜的检测电路，其特征在于：其包括输入模块，用于接入电容薄膜；
[0005]振荡模块，与所述输入模块相连接，用于根据接入的所述电容薄膜的特性，以周期性的振荡输出信号；
[0006]输出模块，与所述振荡模块相连接，用于接收所述振荡模块的振荡输出信号，判断所述电容薄膜的性能好坏，并进行直观显示。
[0007]其进一步特征在于：
[0008]所述输入模块包括接口P1、电阻H01～H016、电阻H11～H16、电阻E01～E08，所述接口P1采用的是具有16个插针的插座，所述接口P1的1～16脚依次与所述电阻H01～H016、电阻H11～H16的一端均对应连接，所述电阻H01～H016的另一端相连后接地，所述电阻E01的一端接于所述接口P1的1脚，所述电阻E02、E03的一端相连后接于所述接口P1的2脚，所述电阻E04的一端接于所述接口P1的3脚，所述电阻E05的一端接于所述接口P1的14脚，所述电阻E06、E07的一端相连后接于所述接口P1的15脚，所述电阻E08的一端接于所述接口P1的16脚，所述电阻E01、E02的另一端相连的连接点作为测试点TP1，所述电阻E03、E04、E05、E06的另一端相连接，所述电阻E07、E08的另一端相连后接地；
[0009]所述振荡模块包括接口P2、电阻R1～R10、电容C1～C4、开关S1、稳压管D1、与门IC1A、IC1B、或非门IC2A、IC2B、IC2C、三极管QP1～QP4、MOS管QN1、QN2、滑动变阻器RZ1，所述接口P2采用的是具有4个插针的插座，所述电阻R1、R3的一端与所述三极管QP1、QP2的基极相连后均接于所述测试点TP1，所述三极管QP2的发射极接供电电源VBAT，所述三极管QP2的集电极与所述电阻R4的一端、与门IC1B的一个输入端均相连接，所述电阻R3、R4的另一端均
接地，所述电阻R1的另一端与所述三极管QP1的发射极相连后接所述供电电源VBAT，所述与门IC1B的另一个输入端与所述或非门IC2A的一个输入端、或非门IC2 B的输出端、MOS管QN1的栅极均相连接，所述三极管QP1的集电极与所述开关S1的一端连接，所述开关S1的另一端与所述电阻R6、电容C4的一端、与门IC1A的一个输入端均相连接，所述电阻R6、电容C4的另一端均接地，所述电阻R5的一端与所述与门IC1A的另一个输入端、MOS管QN1的漏极均相连接，所述MOS管QN1的源极接地，所述电阻R5的另一端接所述供电电源VBAT，所述与门IC1A的输出端接于所述或非门IC2A的另一个输入端，所述或非门IC2A的输出端与所述或非门IC2B的一个输入端、MOS管QN2的栅极均相连接，所述MOS管QN2的源极接地，所述与门IC1B的输出端接于所述或非门IC2C的一个输入端，所述或非门IC2C的另一个输入端接地，所述或非门IC2C的输出端与所述三极管QP3的基极相连接，且该连接点作为测试点TP2，所述三极管QP3的集电极端作为电源输出端VCC，所述三极管QP3的发射极与所述电阻R2的一端、稳压管D1的负极、三极管QP4的发射极均相连后接于所述供电电源VBAT，所述稳压管D1的正极接于所述接口P2的1脚，所述接口P2的3、4脚相连后接地，所述电阻R2的另一端与所述三极管QP4的基极相连后经所述电容C1后接地，所述三极管QP4的集电极与所述电阻R7、R8的一端、电容C2、C3的一端、或非门IC2B的另一个输入端均相连接，所述电容C2、C3的另一端均接地，所述电阻R8的另一端与所述滑动变阻器RZ1的一端相连接，所述滑动变阻器RZ1的另一端与所述电阻R9相连后接地，所述滑动变阻器RZ1的滑动端与所述电阻R10相连后接所述供电电源VBAT；
[0010]所述输出模块包括电阻R11～R28、电容C5、蜂鸣器BZ、比较器U1A、三极管QP5、三极管QN3、QN4、QN5、发光二极管LED1～LED4，所述发光二极管LED1～LED3均为绿色发光二极管、所述发光二极管LED4为红色发光二极管，所述电阻R22、R23、R28的一端均相连接，所述电阻R23的另一端接地，所述电阻R22的另一端接所述电源输出端VCC，所述电阻R11、R12的一端相连后接所述电源输出端VCC，所述电阻H11～H16的另一端均相连后与所述电阻R11、R12的另一端、电阻R13、R24的一端均相连接，所述电阻R13的另一端与所述电阻R14、R15、R16、R17依次串联连接后接所述电源输出端VCC，所述电阻R24、R28的另一端分别对应连接所述比较器U1A的正、负输入端，所述比较器U1A的输出端与所述电阻R18的一端、三极管QP5的基极、三极管QN5的基极均相连接，所述电阻R18的另一端与所述三极管QP5的发射极相连后接所述电源输出端VCC，所述三极管QN5的发射极接地，所述三极管QP5的集电极经所述电阻R19后与所述电容C5的一端、三极管QN5的集电极、三极管QN4的基极、电阻R25的一端均相连接，所述电容C5的另一端接地，所述三极管QN3、QN4的发射极均接地，所述电阻R25的另一端接于所述三极管QN3的基极，所述三极管QN4的集电极与所述发光二极管LED1、LED3的负极均相连接，所述发光二极管LED1、LED3的正极相连后经所述电阻R20后接所述电源输出端VCC，所述发光二极管LED2、LED4的正极相连后经所述电阻R21后接所述电源输出端VCC，所述发光二极管LED2、LED4的负极相连后接地，所述三极管QN3的集电极与所述电阻R27的一端连接，所述电阻R27的另一端与所述电阻R26的一端、蜂鸣器BZ的一端均相连接，所述电阻R26的另一端与所述蜂鸣器BZ的另一端相连后接于所述电源输出端VCC。
[0011]本技术的有益效果是，电容薄膜在通过输入模块接入检测电路中后，根据接入的电容薄膜的特性，通过振荡模块周期性的振荡输出信号，把电容薄膜的特性通过阻值的方式反映出来，输出模块在接收振荡模块的振荡输出信号后，可判断所述电容薄膜的性
能好坏，并进行直观显示，这样产线员工可以直观的判断本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种针对互容式电容薄膜的检测电路，其特征在于：其包括输入模块，用于接入电容薄膜；振荡模块，与所述输入模块相连接，用于根据接入的所述电容薄膜的特性，以周期性的振荡输出信号；输出模块，与所述振荡模块相连接，用于接收所述振荡模块的振荡输出信号，判断所述电容薄膜的性能好坏，并进行直观显示。2.根据权利要求1所述的一种针对互容式电容薄膜的检测电路，其特征在于：所述输入模块包括接口P1、电阻H01～H016、电阻H11～H16、电阻E01～E08，所述接口P1采用的是具有16个插针的插座，所述接口P1的1～16脚依次与所述电阻H01～H016、电阻H11～H16的一端均对应连接，所述电阻H01～H016的另一端相连后接地，所述电阻E01的一端接于所述接口P1的1脚，所述电阻E02、E03的一端相连后接于所述接口P1的2脚，所述电阻E04的一端接于所述接口P1的3脚，所述电阻E05的一端接于所述接口P1的14脚，所述电阻E06、E07的一端相连后接于所述接口P1的15脚，所述电阻E08的一端接于所述接口P1的16脚，所述电阻E01、E02的另一端相连的连接点作为测试点TP1，所述电阻E03、E04、E05、E06的另一端相连接，所述电阻E07、E08的另一端相连后接地。3.根据权利要求2所述的一种针对互容式电容薄膜的检测电路，其特征在于：所述振荡模块包括接口P2、电阻R1～R10、电容C1～C4、开关S1、稳压管D1、与门IC1A、IC1B、或非门IC2A、IC2B、IC2C、三极管QP1～QP4、MOS管QN1、QN2、滑动变阻器RZ1，所述接口P2采用的是具有4个插针的插座，所述电阻R1、R3的一端与所述三极管QP1、QP2的基极相连后均接于所述测试点TP1，所述三极管QP2的发射极接供电电源VBAT，所述三极管QP2的集电极与所述电阻R4的一端、与门IC1B的一个输入端均相连接，所述电阻R3、R4的另一端均接地，所述电阻R1的另一端与所述三极管QP1的发射极相连后接所述供电电源VBAT，所述与门IC1B的另一个输入端与所述或非门IC2A的一个输入端、或非门IC2 B的输出端、MOS管QN1的栅极均相连接，所述三极管QP1的集电极与所述开关S1的一端连接，所述开关S1的另一端与所述电阻R6、电容C4的一端、与门IC1A的一个输入端均相连接，所述电阻R6、电容C4的另一端均接地，所述电阻R5的一端与所述与门IC1A的另一个输入端、MOS管QN1的漏极均相连接，所述MOS管QN1的源极接地，所述电阻R5的另一端接所述供电电源VBAT，所述与门IC1A的输出端接于所述或非门IC2A的另一个输入端，所述或非门IC2A的输出端与所述或非门IC2B的一个输入端、MOS管QN2的栅极均相连接，所述MOS管QN2的源极接地，所述与门IC1B的输出端接于所述或非门IC2C的一个输入端，所述或非门IC2C的另一个输入端接地，所述或非门IC2...

【专利技术属性】
技术研发人员：姬翔宇，王克新，宋广富，
申请(专利权)人：立胜汽车科技苏州有限公司，
类型：新型
国别省市：