半导体结构制造技术

一种半导体结构，包括装置区域以及围绕装置区域的密封结构。密封结构包括围绕装置区域的外环以及设置在外环与装置区域之间的缓冲区域。缓冲区域包括具有沿第一方向纵向延伸的多个第一栅极结构的第一部分和具有沿第一方向纵向延伸的多个第二栅极结构的第二部分。缓冲区域的第二部分设置在缓冲区域的第一部分与外环之间。沿着大致垂直于第一方向的第二方向，每个第一栅极结构的宽度大于每个第二栅极结构的宽度。结构的宽度。结构的宽度。

【技术实现步骤摘要】
半导体结构


[0001]本技术实施例涉及一种半导体结构，尤其涉及一种在装置区域与密封环区域之间包括缓冲区域的半导体结构。

技术介绍

[0002]在半导体技术中，半导体晶片通过各种制造步骤加工以形成集成电路(integrated circuits，IC)。通常，在同一个半导体晶片上制造了多个功能集成电路。然后将晶片切割成裸片，每个裸片都包含一个功能集成电路。为了保护功能集成电路中的半导体装置免受湿气降解、离子污染和切割工艺的影响，在每个功能集成电路周围形成了密封结构。此密封结构是在制造一多层结构期间形成的，多层结构包括半导体装置和在半导体装置之间路由电信号的互连结构。制造过程通常包括前段(front
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line，FEOL)处理和后段(back
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line，BEOL)处理。前段处理包括在半导体基板上形成例如晶体管、电容器、二极管及/或电阻器等半导体装置。后段处理包括形成包括金属线和接触通孔(contact vias)的互连结构。虽然现有的密封结构通常足以满足其预期目的，但它们仍无法在所有方面都令人满意。

技术实现思路

[0003]本公开的目的在于提出一种半导体结构，以解决上述至少一个问题。
[0004]本公开一些实施例提供一种半导体结构，包括：装置区域，包括具有第一栅极间距的多个第一栅极结构；缓冲区域，与装置区域相邻设置，缓冲区域包括：第一部分，包括具有第二栅极间距的多个第二栅极结构；以及第二部分，通过第一部分与装置区域间隔开，第二部分包括具有第三栅极间距的多个第三栅极结构；以及环区域，围绕装置区域并且通过缓冲区域与装置区域间隔开，环区域包括具有第四栅极间距的多个第四栅极结构，其中第一栅极间距与第二栅极间距的差异小于第一栅极间距与第四栅极间距的差异。
[0005]根据本公开其中的一个实施方式，该第三栅极间距小于该第二栅极间距。
[0006]根据本公开其中的一个实施方式，多个所述第二栅极结构中的每一者和多个所述第三栅极结构中的每一者沿一第一方向纵向延伸，其中多个所述第二栅极结构中的每一者具有沿该第一方向的一第一长度，其中多个所述第三栅极结构中的每一者具有沿该第一方向的一第二长度，该第二长度小于该第一长度，其中多个所述第二栅极结构中的每一者具有沿垂直于该第一方向的一第二方向的一第一宽度，其中多个所述第三栅极结构中的每一者具有沿该第二方向的一第二宽度，该第二宽度小于该第一宽度。
[0007]根据本公开其中的一个实施方式，多个所述第四栅极结构中的每一者具有沿该第二方向的一第三宽度，该第二宽度小于该第三宽度。
[0008]本公开一些实施例提供一种半导体结构，包括：装置区域，具有沿第一方向纵向延伸的第一侧边；以及密封结构，围绕装置区域，密封结构包括：第一内部区域，包括与装置区域的第一侧边相邻设置的第一部分，第一内部区域的第一部分包括沿第一方向纵向延伸的
第一多个第一栅极结构(first plurality of first gate structures)，其中第一多个第一栅极结构中的每一者具有沿大致垂直于第一方向的第二方向的第一宽度；以及第二内部区域，通过第一内部区域与装置区域间隔开，其中第二内部区域的第一部分包括沿第一方向纵向延伸的第一多个第二栅极结构(first plurality of second gate structures)，且第一多个第二栅极结构中的每一者具有沿第二方向的第二宽度，其中第二宽度小于第一宽度。
[0009]根据本公开其中的一个实施方式，该第一内部区域的该第一部分还包括第二多个第一栅极结构，多个所述第二多个第一栅极结构沿该第一方向与多个所述第一多个第一栅极结构对齐，其中多个所述第二多个第一栅极结构与多个所述第一多个第一栅极结构间隔开一第一间距，其中该第二内部区域的该第一部分还包括第二多个第二栅极结构，多个所述第二多个第二栅极结构沿该第一方向与多个所述第一多个第二栅极结构对齐，其中多个所述第二多个第二栅极结构与多个所述第一多个第二栅极结构间隔开一第二间距，该第一间距小于该第二间距。
[0010]根据本公开其中的一个实施方式，该第一内部区域还包括一第二部分，与该装置区域的一第二侧边相邻设置，该第一内部区域的该第二部分包括沿该第二方向纵向延伸的第二多个第一栅极结构，多个所述第二多个第一栅极结构与多个所述第一多个第一栅极结构间隔开，其中该第二内部区域还包括一第二部分，通过该第一内部区域的该第二部分与该装置区域间隔开，该第二内部区域的该第二部分包括沿该第二方向纵向延伸的第二多个第二栅极结构，其中多个所述第二多个第二栅极结构与多个所述第一多个第二栅极结构间隔开。
[0011]根据本公开其中的一个实施方式，该密封结构还包括：一内角区域，包括一第一内角，其中多个所述第二多个第一栅极结构通过该第一内角与多个所述第一多个第一栅极结构间隔开，且多个所述第二多个第二栅极结构通过该第一内角与多个所述第一多个第二栅极结构间隔开，其中该第一内角包括沿该第一方向纵向延伸的多个第三栅极结构，其中多个所述第三栅极结构中的每一者沿该第一方向的一长度小于多个所述第一多个第一栅极结构中的每一者沿该第一方向的一长度。
[0012]根据本公开其中的一个实施方式，还包括：一外环，围绕该装置区域，其中该外环通过该内角区域或该第一内部区域和该第二内部区域的一组合与该装置区域间隔开，其中该外环包括多个第四栅极结构，其中多个所述第四栅极结构中的每一者沿该第二内部区域和该内角区域连续延伸，其中该第一宽度小于多个所述第四栅极结构中的每一者沿该第二方向的一宽度。
[0013]本公开一些实施例提供一种半导体结构，包括：装置区域；以及密封结构，围绕装置区域，密封结构包括：第一内部区域，包括沿第一方向纵向延伸的多个第一栅极结构；第二内部区域，通过第一内部区域与装置区域间隔开，第二内部区域包括沿第一方向纵向延伸的多个第二栅极结构；以及外环区域，包括多个第三栅极结构，其中外环区域的一部分通过第二内部区域与第一内部区域间隔开，其中第一栅极结构的栅极间距小于第三栅极结构的栅极间距。
附图说明
[0014]根据以下的详细说明并配合所附附图做完整公开。须强调的是，根据本产业的一般作业，图示并未按照比例绘制。事实上，可能任意的放大或缩小元件的尺寸，以做清楚的说明。
[0015]图1示出根据本公开的一或多个实施例，一示例性半导体结构的俯视图，其包括装置区域和围绕装置区域的密封结构。
[0016]图2示出根据本公开的一或多个实施例，图1中的半导体结构的装置区域的放大局部俯视图。
[0017]图3示出根据本公开的一或多个实施例，图1中的半导体结构的装置区域中的半导体装置的局部截面图。
[0018]图4示出根据本公开的一或多个实施例，图1中的半导体结构的密封结构的外环的放大局部俯视图。
[0019]图5示出根据本公开本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种半导体结构，其特征在于，包括：一装置区域，包括多个第一栅极结构，多个所述第一栅极结构具有一第一栅极间距；一缓冲区域，与该装置区域相邻设置，该缓冲区域包括：一第一部分，包括多个第二栅极结构，多个所述第二栅极结构具有一第二栅极间距；以及一第二部分，通过该第一部分与该装置区域间隔开，该第二部分包括多个第三栅极结构，多个所述第三栅极结构具有一第三栅极间距；以及一环区域，围绕该装置区域并且通过该缓冲区域与该装置区域间隔开，该环区域包括多个第四栅极结构，多个所述第四栅极结构具有一第四栅极间距，其中该第一栅极间距与该第二栅极间距的差异小于该第一栅极间距与该第四栅极间距的差异。2.如权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，该第三栅极间距小于该第二栅极间距。3.如权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，多个所述第二栅极结构中的每一者和多个所述第三栅极结构中的每一者沿一第一方向纵向延伸，其中多个所述第二栅极结构中的每一者具有沿该第一方向的一第一长度，其中多个所述第三栅极结构中的每一者具有沿该第一方向的一第二长度，该第二长度小于该第一长度，其中多个所述第二栅极结构中的每一者具有沿垂直于该第一方向的一第二方向的一第一宽度，其中多个所述第三栅极结构中的每一者具有沿该第二方向的一第二宽度，该第二宽度小于该第一宽度。4.如权利要求3所述的半导体结构，其特征在于，多个所述第四栅极结构中的每一者具有沿该第二方向的一第三宽度，该第二宽度小于该第三宽度。5.一种半导体结构，其特征在于，包括：一装置区域，具有沿一第一方向纵向延伸的一第一侧边；以及一密封结构，围绕该装置区域，该密封结构包括：一第一内部区域，包括与该装置区域的该第一侧边相邻设置的一第一部分，该第一内部区域的该第一部分包括沿该第一方向纵向延伸的第一多个第一栅极结构，其中多个所述第一多个第一栅极结构中的每一者具有沿垂直于该第一方向的一第二方向的一第一宽度；以及一第二内部区域，通过该第一内部区域与该装置区域间隔开，其中该第二内部区域的一第一部分包括沿该第一方向纵向延伸的第一多个第二栅极结构，且多个所述第一多个第二栅极结构中的每一者具有沿该第二方向的一第二宽度，其中该第二宽度小于该第一宽度。6.如权利要求5所述的半导体结构，其特征在于，该第一内部区域的该第一部分还包括第二多个第一栅极结构，多个所述第二多个第一栅极结构沿该第一方向与多个所述第一多个第一栅极结构对齐，其中多个所述...

【专利技术属性】
技术研发人员：赖彦良，陈春宇，
申请(专利权)人：台湾积体电路制造股份有限公司，
类型：新型
国别省市：