半导体器件制造技术

一种半导体器件包括：衬底；第一有源图案和第二有源图案，位于衬底上，沿第一方向延伸，并沿第二方向间隔开；栅电极，位于第一有源图案和第二有源图案上并沿第二方向延伸；第一栅极分离结构，位于第一有源图案与第二有源图案之间，沿第一方向延伸，并分离栅电极；以及第一元件分离结构，位于栅电极之间，沿第二方向延伸，并分离第二有源图案，其中，距第一栅极分离结构的第一部分的第一边的距离小于距第一栅极分离结构的第二部分的第一边的距离，并且到第一部分的第二边的距离小于到第二部分的第二边的距离。二边的距离。二边的距离。

【技术实现步骤摘要】
半导体器件


[0001]示例实施例涉及半导体器件。

技术介绍

[0002]近年来，随着信息媒体的快速供给，半导体器件的功能也已经得到了快速发展。在最近的半导体产品的情况下，低成本可以确保竞争力，并且产品的高集成度可以有助于高质量。对于高集成度，半导体器件可以按比例缩小。

技术实现思路

[0003]实施例可以通过提供一种半导体器件来实现，该半导体器件包括：衬底；第一有源图案，在衬底上并且沿第一方向延伸；第二有源图案，位于所述衬底上，沿所述第一方向延伸，以及沿与所述第一方向相交的第二方向与所述第一有源图案间隔开；栅电极，位于第一有源图案和第二有源图案上并沿第二方向延伸以与第一有源图案和第二有源图案相交；第一栅极分离结构，位于第一有源图案与第二有源图案之间，该第一栅极分离结构沿第一方向延伸并将栅电极分离为单独的部分；以及第一元件分离结构，位于栅电极之间，该第一元件分离结构沿第二方向延伸并将第二有源图案分离为单独的部分，其中，第一栅极分离结构包括面对第二有源图案的第一边、以及与第一边相对的第二边，从平面视角来看，从第二有源图案到第一栅极分离结构的第一部分的第一边的距离小于从第二有源图案到第一栅极分离结构的第二部分的第一边的距离，并且从第二有源图案到第一部分的第二边的距离小于第二有源图案到第二部分的第二边的距离。
[0004]实施例可以通过提供一种半导体器件来实现，该半导体器件包括：衬底；第一有源图案，在衬底上并且沿第一方向延伸；第二有源图案，位于衬底上，第二有源图案沿第一方向延伸并沿与第一方向相交的第二方向与第一有源图案间隔开；栅电极，位于第一有源图案和第二有源图案上并沿第二方向延伸以与第一有源图案和第二有源图案相交；栅极分离结构，位于第一有源图案与第二有源图案之间，该栅极分离结构沿第一方向延伸并将栅电极分离为单独的部分；以及元件分离结构，位于栅电极之间，该元件分离结构沿第二方向延伸并将第二有源图案完全分离为两个单独的部分，其中栅极分离结构的底边的至少一部分在与第一方向和第二方向相交的第三方向上与第一有源图案重叠。
[0005]实施例可以通过提供一种半导体器件来实现，该半导体器件包括：衬底；第一有源图案、第二有源图案、第三有源图案和第四有源图案，位于衬底上，第一有源图案至第四有源图案沿第一方向延伸并且在与第一方向相交的第二方向上彼此间隔开；栅电极，位于第一有源图案至第四有源图案上并沿第二方向延伸以与第一有源图案至第四有源图案相交；第一栅极分离结构，位于第一有源图案与第二有源图案之间，该第一栅极分离结构沿第一方向延伸并将栅电极中的对应栅电极分离为单独的部分；第二栅极分离结构，位于第三有源图案与第四有源图案之间，该第二栅极分离结构沿第一方向延伸并将栅电极中的对应栅电极分离为单独的部分；以及元件分离结构，位于栅电极之间，该元件分离结构沿第二方向
延伸并将第二有源图案和第三有源图案中的每一个分离为单独的部分，其中，该第一栅极分离结构包括面对第二有源图案的第一边以及与第一边相对的第二边，该第二栅极分离结构包括面对第四有源图案的第三边以及与第三边相对的第四边，从平面视角来看，从第二有源图案到第一栅极分离结构的第一部分的第一边的距离小于从第二有源图案到第一栅极分离结构的第二部分的第一边的距离，从第二有源图案到第一栅极分离结构的第一部分的第二边的距离小于从第二有源图案到第一栅极分离结构的第二部分的第二边的距离，从第四有源图案到第二栅极分离结构的第一部分的第三边的距离大于从第四有源图案到第二栅极分离结构的第二部分的第三边的距离，以及从第四有源图案到第二栅极分离结构的第一部分的第四边的距离大于从第四有源图案到第二栅极分离结构的第二部分的第四边的距离，以及元件分离结构位于第一栅极分离结构的第二部分与第二栅极分离结构的第二部分之间。
附图说明
[0006]通过参考附图详细描述示例性实施例，特征对于本领域技术人员将是显而易见的，在附图中：
[0007]图1是根据一些实施例的半导体器件的布局图。
[0008]图2是沿图1的A
‑
A'截取的截面图。
[0009]图3是沿图1的B
‑
B截取的截面图。
[0010]图4A和图4B是沿图1的C
‑
C
’
截取的截面图。
[0011]图5是沿图1的D
‑
D
’
截取的截面图。
[0012]图6是沿图1的E
‑
E
’
截取的截面图。
[0013]图7是根据一些实施例的半导体器件的图。
[0014]图8是沿图7的F
‑
F
′
截取的截面图。
[0015]图9是根据一些实施例的半导体器件的图。
[0016]图10是根据一些实施例的半导体器件的图。
[0017]图11是根据一些实施例的半导体器件的图。
[0018]图12是根据一些实施例的半导体器件的图。
[0019]图13是根据一些实施例的半导体器件的图。
[0020]图14是根据一些实施例的半导体器件的图。
[0021]图15是根据一些实施例的半导体器件的图。
[0022]图16是根据一些实施例的半导体器件的布局图。
[0023]图17是沿图16的G
‑
G
′
截取的截面图。
[0024]图18是沿图16的H
‑
H
′
截取的截面图。
[0025]图19至图30是根据一些实施例的制造半导体器件的方法中的各阶段。
具体实施方式
[0026]尽管根据一些实施例的半导体器件的附图可以示出包括鳍型图案形状的沟道区的鳍型晶体管(FinFET)、包括纳米线或纳米片的晶体管、以及MBCFET
TM
(多桥沟道场效应晶体管)为例，但实施例不限于此。根据一些实施例的半导体器件当然可以包括隧穿晶体管
(隧穿FET)或三维(3D)晶体管。根据一些实施例的半导体器件当然可以包括平面晶体管。此外，本公开的技术思想可以应用于基于二维材料的晶体管(基于2D材料的FET)及其异质结构。
[0027]此外，根据一些实施例的半导体器件还可以包括双极结型晶体管、横向扩散金属氧化物半导体晶体管(LDMOS)等。
[0028]在下文中，将参考图1至图18描述根据一些实施例的半导体器件。
[0029]图1是根据一些实施例的半导体器件的布局图。图2是沿图1的A
‑
A'截取的截面图。图3是沿图1的B
‑
B截取的截面图。图4A和图4B是沿图1的C
‑
C
’
截取的截面图。图5是沿图1的D
‑
D
’
截取的截面图。图6是沿图1的E
‑
E
’
截取的截面图。
[0030]参考图1至图6，根据一些实施例的半导本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种半导体器件，包括：衬底；第一有源图案，在所述衬底上并且沿第一方向延伸；第二有源图案，位于所述衬底上，沿所述第一方向延伸，以及沿与所述第一方向相交的第二方向与所述第一有源图案间隔开；栅电极，位于所述第一有源图案和所述第二有源图案上，并沿所述第二方向延伸以与所述第一有源图案和所述第二有源图案相交；第一栅极分离结构，位于所述第一有源图案与所述第二有源图案之间，所述第一栅极分离结构沿所述第一方向延伸并将所述栅电极分离为单独的部分；以及第一元件分离结构，位于所述栅电极之间，所述第一元件分离结构沿所述第二方向延伸并将所述第二有源图案分离为单独的部分，其中：所述第一栅极分离结构包括面对所述第二有源图案的第一边、以及与所述第一边相对的第二边，从平面视角来看，从所述第二有源图案到所述第一栅极分离结构的第一部分的第一边的距离小于从所述第二有源图案到所述第一栅极分离结构的第二部分的第一边的距离，以及从所述第二有源图案到所述第一部分的第二边的距离小于从所述第二有源图案到所述第二部分的第二边的距离。2.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，所述第一元件分离结构在所述第二方向上与所述第一栅极分离结构的第二部分重叠。3.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，所述第一栅极分离结构还包括连接所述第一部分和所述第二部分的连接部分。4.根据权利要求3所述的半导体器件，其中，所述连接部分在所述第二方向上的宽度从所述第一部分朝向所述第二部分逐渐减小。5.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，所述第一栅极分离结构的第一部分在所述第一方向上与所述第一元件分离结构的至少一部分重叠。6.根据权利要求1所述的半导体器件，其中：所述第一栅极分离结构还包括第三部分，所述第一部分在所述第二部分与所述第三部分之间，从平面视角来看，从所述第二有源图案到所述第三部分的第一边的距离小于从所述第二有源图案到所述第一部分的第一边的距离，以及从所述第二有源图案到所述第三部分的第二边的距离小于从所述第二有源图案到所述第一部分的第二边的距离。7.根据权利要求6所述的半导体器件，还包括位于所述栅电极之间的第二元件分离结构，所述第二元件分离结构沿所述第二方向延伸并将所述第一有源图案分离为单独的部分，其中，所述第二元件分离结构在所述第二方向上与所述第一栅极分离结构的第三部分重叠。
8.根据权利要求6所述的半导体器件，其中，从平面视角来看，从所述第二有源图案到所述第三部分的第二边的距离小于从所述第二有源图案到所述第二部分的第一边的距离。9.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，所述第一部分在所述第二方向上的宽度与所述第二部分在所述第二方向上的宽度相同。10.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，所述第一部分在所述第二方向上的宽度大于所述第二部分在所述第二方向上的宽度。11.根据权利要求1所述的半导体器件，还包括：第三有源图案和第四有源图案，沿所述第一方向延伸并在所述第二方向上与所述第二有源图案间隔开，其中：所述第三有源图案位于所述第二有源图案与所述第四有源图案之间，并且在所述第三有源图案与所述第四有源图案之间还包括沿所述第一方向延伸的第二栅极分离结构。12.根据权利要求11所述的半导体器件，其中，所述第一元件分离结构位于所述第一栅极分离结构与所述第二栅极分离结构之间，并且将所述第三有源图案分离为单独的部分。13.一种半导体器件，包括：衬底；第一有源图案，在所述衬底上并且沿第一方向延伸；第二有源图案，位于所述衬底上，所述第二有源图案沿所述第一方向延伸并沿与所述第一方向相交的第二方向与所述...

【专利技术属性】
技术研发人员：高明东，千健龙，金洞院，金贤锡，李尚炫，李炯锡，
申请(专利权)人：三星电子株式会社，
类型：发明
国别省市：