目标版图图形的形成方法技术

本发明专利技术提供了一种目标版图图形的形成方法，包括：获取集成电路的版图布局数据，依据最小器件和最小特征图形匹配规则进行数据重构获得第一数据；在第一数据的版图布局数据中，根据存储区数据、逻辑区数据和固定IP进行动态切割成多个初始版图布局图形块；根据补偿规则分别对存储区数据、逻辑区数据和固定IP进行调整，以得到每个版图布局图形块的目标图形；对每个版图布局图形块的目标图形分别进行OPC处理，并将所有经过OPC处理后的版图布局图形块进行拼接；使用逻辑回归模型从拼接后的版图布局图形中提取掩模板数据。本发明专利技术提高了版图布局图形块位置划分的准确度。局图形块位置划分的准确度。局图形块位置划分的准确度。

【技术实现步骤摘要】
目标版图图形的形成方法


[0001]本专利技术涉及半导体
，尤其是涉及一种目标版图图形的形成方法。

技术介绍

[0002]大规模集成电路普遍采用光刻系统进行制造。光刻系统主要分为：照明系统、掩膜、投影系统及硅片四个系统。照明系统发出的光线经过聚光镜聚焦后入射至掩膜版，掩膜的开口部分透光；经过掩膜后，光线经投影系统入射至涂有光刻胶的硅片上，这样掩膜图形就复制在晶片上。当集成电路的最小特征尺寸和间距减小到光刻机所用光源的波长以下时，由于光的干涉和衍射，以及显影等问题导致曝在晶片上的图形严重失真，我们称之为光学邻近效应(OPE,Optical proximity effect)失真。这些失真引起的偏差可以达到20％，甚至更高，那么对最终的良率会有很大的杀伤。那么为了是光刻结果更符合版图的设计，解决问题的办法就是引入分辨率增强技术(RET,Resolution enhancement technology)。这种技术主要采用光学邻近效应校正(OPC,Optical proximity correction),移相掩膜技术(PSM,Phase Shift Mask)和离轴照明(OAI,Off axis illumination)等方法，以减少光学邻近效应对集成电路成品率的影响。
[0003]现有技术的应用于OPC层次化结构的处理方法，主要是将同一个版图单元的所有实例周围的图形环境进行比较归类，将环境相同的实例归类为同一版图单元，环境不同的实例则分化成新的版图单元。为了更加有效的进行比较归类,之前往往还要对版图的层次结构进行合并、切分和集群，二层化等修改.上述传统的层次化结构处理方法主要存在以下缺点：1)层次结构不清晰,利用效率低；2)运算复杂度较高，运行时间较久；3)对版图的层次结构修改较多，造成层次信息丢失或者错乱,不利于后续的排错处理。
[0004]然而，随着集成电路制造的关键尺寸不断减小，在进入28纳米工艺节点后，客户设计越来越复杂，其中对于后段金属层标准静态存储器(SRAM)来说，标准SRAM种类已超过5种，并行不同产品间SRAM边缘并不固定。为了满足工艺要求，往往要对不同种类标准SRAM进行特殊尺寸调整，常用的方法是通过图形线宽(width)、间距(space)、长度(length)等特征分别挑选出不同类型的SRAM，再进行不同的调整。但传统方法在遇到SRAM边缘发生变化时，传统挑选方式会出现匹配度低的情况，从而导致特殊调整失效。而且进行OPC处理之前的初始版图一般是由较多的层次结构，同一版图单元可以被调用很多次,由于不同的版图单元的周围环境图形不同，其OPC的结果也不相同。
[0005]在对包含特定重复图形的版图做常规OPC的时候，OPC修正后在特定重复图形区域可能会存在不同地方修正结果不一样的问题。另外一个常见的问题是计算OPC时，电子设计自动化(EDA)软件在产生目标图形过程中将版图分成若干区块，若区块位置分布不好，就可能看到不正确的几何图形本身的宽度和长度以及它和邻近几何图形的距离，导致生成的目标版图图形与OPC补偿规则不符。

技术实现思路

[0006]本专利技术的目的在于提供一种目标版图图形的形成方法，可以提高版图布局图形块位置划分的准确度，从而使得目标版图图形与OPC补偿规则相符。
[0007]为了达到上述目的，本专利技术提供了一种目标版图图形的形成方法，包括：
[0008]获取集成电路的版图布局图形，依据最小器件和最小特征图形匹配规则进行数据重构，以获得第一数据，所述第一数据为层次化的数据结构，第一层数据为最小器件或者最小特征图形，对第一层数据进行初始切块划分；
[0009]根据存储区数据、逻辑区数据和固定IP对所述第一数据进行动态切割，以形成存储区数据版图布局图形块、逻辑区数据版图布局图形块和固定IP版图布局图形块，每个版图布局图形块均为层次化的数据结构；
[0010]根据OPC算法的补偿规则分别对存储区数据版图布局图形块、逻辑区数据版图布局图形块和固定IP版图布局图形块进行OPC调整，以得到存储区数据版图布局图形块和固定IP版图布局图形块的目标图形；
[0011]在调整后的所述逻辑区数据版图布局图形块中，平滑处理冗余图形和工艺辅助图形，以得到逻辑区数据版图布局图形块的目标图形，其中，非固定图形根据所述初始切块的划分形成目标图形；
[0012]分别对每个版图布局图形块的目标图形分别进行OPC处理，并将所有经过OPC处理后的版图布局图形块进行拼接；以及
[0013]使用逻辑回归模型从拼接后的版图布局图形中提取掩模板数据。
[0014]可选的，在所述的目标版图图形的形成方法中，第二层数据为所述第一层数据的离散二维相关函数构建的局部特征图形向量集合；第三层数据为所述第二层数据的线性局部自相关函数构建的最小器件集合或最小特征图形集合；第四层数据为所述第三层数据的高阶局部自相关函数特征图形集合；第五层数据为预留层级；第六层数据为非前四层数据的构建的低阶图形集合；第七层数据为第六层数据的高阶局部自相关函数图形集合；第八层数据为第一层数据至第七层数据的特征图形集合。
[0015]可选的，在所述的目标版图图形的形成方法中，通过数据库和初始数据标识层来区分存储区数据、逻辑区数据和固定IP。
[0016]可选的，在所述的目标版图图形的形成方法中，根据存储区数据、逻辑区数据和固定IP对所述第一数据进行动态切割的方法包括：根据各个层的数据结构对每层的版图布局图形块进行调整。
[0017]可选的，在所述的目标版图图形的形成方法中，根据各个层的数据结构对每层的版图布局图形块进行调整的方法包括：
[0018]该层数据中，和数据库中图形一致的局部图形，直接进行目标图形和局部区域的数据结构替换；
[0019]该层数据中，和数据库中图形不一致的几何图形，部分所述几何图形进行第一次一级线性分割，剩余的所述几何图形进行第二次一级线性切割。
[0020]可选的，在所述的目标版图图形的形成方法中，所述第二次一级线性切割的分割区域的长度和宽度分别是第一次一级线性分割的4倍。
[0021]可选的，在所述的目标版图图形的形成方法中，所述OPC算法的补偿规则包括：如
果第一层数据是数据库内的数据，则直接调用数据库内的数据，如果不是数据库内的数据，则分别计算所述第六层数据中的几何图形的宽度、长度以及与其最近的几何图形之间的距离和所述第七层数据的几何图形的宽度和长度以及与其最近的几何图形之间的距离作为第一层数据。
[0022]可选的，在所述的目标版图图形的形成方法中，将所有经过OPC处理后的版图布局图形块进行拼接的方法包括：版图布局图形块中的图形与数据库中的图形一致，直接使用数据库中的图形的OPC结果和拼接结果替换OPC处理后的版图布局图形块；如果不一致，则将该图形的邻近图形进行拼接。
[0023]可选的，在所述的目标版图图形的形成方法中，所述逻辑回归模型以光学模型建立时所用的图形密度参数作为中心值训练而得的系统本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种目标版图图形的形成方法，其特征在于，包括：获取集成电路的版图布局图形，依据最小器件和最小特征图形匹配规则进行数据重构，以获得第一数据，所述第一数据为层次化的数据结构，第一层数据为最小器件或者最小特征图形，对第一层数据进行初始切块划分；根据存储区数据、逻辑区数据和固定IP对所述第一数据进行动态切割，以形成存储区数据版图布局图形块、逻辑区数据版图布局图形块和固定IP版图布局图形块，每个版图布局图形块均为层次化的数据结构；根据OPC算法的补偿规则分别对存储区数据版图布局图形块、逻辑区数据版图布局图形块和固定IP版图布局图形块进行OPC调整，以得到存储区数据版图布局图形块和固定IP版图布局图形块的目标图形；在调整后的所述逻辑区数据版图布局图形块中，平滑处理冗余图形和工艺辅助图形，以得到逻辑区数据版图布局图形块的目标图形，其中，非固定图形根据所述初始切块的划分形成目标图形；分别对每个版图布局图形块的目标图形分别进行OPC处理，并将所有经过OPC处理后的版图布局图形块进行拼接；以及使用逻辑回归模型从拼接后的版图布局图形中提取掩模板数据。2.如权利要求1所述的目标版图图形的形成方法，其特征在于，第二层数据为所述第一层数据的离散二维相关函数构建的局部特征图形向量集合；第三层数据为所述第二层数据的线性局部自相关函数构建的最小器件集合或最小特征图形集合；第四层数据为所述第三层数据的高阶局部自相关函数特征图形集合；第五层数据为预留层级；第六层数据为非前四层数据的构建的低阶图形集合；第七层数据为第六层数据的高阶局部自相关函数图形集合；第八层数据为第一层数据至第七层数据的特征图形集合。3.如权利要求1所述的目标版图图形的形成方法，其特征在于，通过数据库和初始数据标识层来区分存储区数据、逻辑区数据和固定IP。4.如权利要求2所述的目...

【专利技术属性】
技术研发人员：孟鸿林，张辰明，魏芳，
申请(专利权)人：上海华力微电子有限公司，
类型：发明
国别省市：