本发明专利技术提供了一种用于处理基板的装置和用于处理基板的方法。具体地，用于处理基板的装置可以包括：液体处理腔室，该液体处理腔室配置为液体处理基板；和控制器，该控制器配置为控制液体处理腔室，其中，液体处理腔室包括：处理容器，在处理容器中具有处理空间；支承单元，该支承单元配置为在处理空间中支承并旋转基板；液体供应单元，该液体供应单元配置为将液体供应至基板上；以及升降单元，该升降单元配置为调整处理容器与支承单元之间的相对高度，并且控制器控制升降单元，以便在通过在旋转基板的情况下将液体供应至基板上进行基板处理时，根据支承在支承单元上的基板的翘曲状态调整处理容器与支承单元之间的相对高度。态调整处理容器与支承单元之间的相对高度。态调整处理容器与支承单元之间的相对高度。
【技术实现步骤摘要】
用于处理基板的装置和用于处理基板的方法
[0001]相关申请的交叉引用
[0002]本申请要求于2021年7月8日提交韩国知识产权局的、申请号为10
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2021
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0089960的韩国专利申请的优先权和权益，该韩国专利申请的全部内容通过引用结合在本申请中。
[0003]本专利技术涉及一种用于处理基板的装置，更具体地涉及一种用于通过对旋转的基板进行液体处理来处理基板的装置和方法
技术介绍
[0004]为了制造半导体设备，执行了诸如清洁、沉积、光刻(photolithography)、蚀刻、和离子注入的各种工艺。在这些工艺中，光刻工艺包括：涂覆工艺，该涂覆工艺通过将感光液体(诸如，光刻胶)涂覆至基板的表面上来形成膜；曝光工艺，该曝光工艺将电路图案转移至形成在基板上的膜；以及显影工艺，该显影工艺选择性地去除曝光处理区域或与该曝光处理区域相反的区域中的基板上形成的膜。
[0005]近年来，在半导体基板中，已经实现了层叠电路层的多层化，已经实现了对电路图案进行精细化的精细图案化，并且基板变得更大。在基板的多层化、精细图案化和大型化的近来趋势中，在基板上出现了翘曲现象。举例来说，在蚀刻工艺中，由于在蚀刻具有不同蚀刻速率的图案目标膜或层叠材料的情况下引起的杂质相互吸引，导致了图案的线宽(临界尺寸(critical dimension，CD))的差异并且图案相互倾斜，从而导致基板上的翘曲现象。作为另一实施例，半导体基板是多层的，结果在各层之间产生压力差，这引起了基板的任一侧翘曲的现象。此外，由于基板上的各种预处理工艺(诸如，形成膜)的影响，会在基板上发生翘曲。当进行后续的单元工艺时，基板的翘曲现象增加了工艺缺陷率。
[0006]图1为示出了常规的基板处理装置的截面图。参考图1，基板处理装置8000包括：处理容器8200，该处理容器具有处理空间；支承单元8300，该支承单元支承和旋转基板W；以及液体供应单元8400，该液体供应单元将液体供应至基板W。在基板W翘曲的情况下执行液体处理工艺时，如果将液体排放至旋转的基板W，则液体可能会飞散至处理容器8200的倾斜部P。液体可以沉积在处理容器8200的倾斜部P上，该倾斜部是由回收处理介质的处理容器8200和支承单元8300形成的空间。
[0007]在基板上进行液体处理之后，可以执行处理容器8200的清洁处理。在这种情况下，液体沉积在处理容器8200的无意区域(unintentional region)的倾斜部P上，结果存在用于处理容器8200的清洁效率降低的问题。
[0008]由于没有去除在处理容器8200的倾斜部P处的液体，因此可能会增加在处理容器8200与支承单元8300之间形成的空间中气流速度。由于气流速度的增加，包括供应至支承单元8300的涂覆液体的各种液体可能会损失。此外，从液体供应单元8400供应的液体飞散在处理空间中，从而会污染经受后续液体处理工艺的后续基板W。
技术实现思路
[0009]本专利技术致力于提供一种用于处理基板的装置和一种用于处理基板的方法，该装置和方法可以提高液体处理工艺的效率。
[0010]本专利技术还致力于提供一种用于处理基板的装置和一种用于处理基板的方法，该装置和方法可以防止在旋转基板的情况下、执行液体处理工艺时液体沉积在处理容器的无意区域上。
[0011]本专利技术还致力于提供一种用于处理基板的装置和一种用于处理基板的方法，该装置和方法可以在执行液体处理工艺之后，有效执行处理容器的清洁。
[0012]本专利技术还致力于提供一种用于处理基板的装置和一种用于处理基板的方法，该装置和方法可以防止在对先前基板执行液体处理工艺之后、对后面基板的反向污染。
[0013]本专利技术所要解决的问题不限于上述问题，并且本领域技术人员将从说明书和附图中清楚地理解未提及的问题。
[0014]本专利技术的示例性实施方案提供一种用于处理基板的装置。用于处理基板的装置可以包括：液体处理腔室，该液体处理腔室配置为对基板进行液体处理；以及控制器，该控制器配置为控制液体处理腔室，其中，液体处理腔室可以包括：处理容器，在该处理容器中具有处理空间；支承单元，该支承单元配置为在处理空间中支承并旋转基板；液体供应单元，该液体供应单元配置为将液体供应至基板上；以及升降单元，该升降单元配置为调整处理容器与支承单元之间的相对高度，并且控制器可以控制升降单元，以便在通过在旋转基板的情况下、将液体供应至基板上而进行基板处理时，根据支承在支承单元上的基板的翘曲状态来调整处理容器与支承单元之间的相对高度。
[0015]根据示例性实施方案，控制器可以控制升降单元，使得当基板相对于地表面处于平坦状态时、支承单元的顶表面以参考高度布置在处理容器的上端的下方，并且当基板相对于地表面、在向下方向上(in the lower direction)处于凸出状态时、支承单元的顶表面布置在处理容器的上端处的参考高度的下方。
[0016]根据示例性实施方案，该装置还可以包括热处理腔室，该热处理腔室配置为对基板进行热处理，并且基板的翘曲状态可以是在热处理腔室中测量的。
[0017]根据示例性实施方案，热处理腔室可以包括：加热板，基板放置在加热板上；传感器，该传感器配置为测量放置在加热板上的基板的各区域特异性温度参数；以及检测器，该检测器配置为基于由传感器测量的温度参数的值来确定基板的翘曲状态。
[0018]根据示例性实施方案，热处理腔室可以包括：第一加热器，该第一加热器配置为对加热板的中心区域进行加热；第二加热器，该第二加热器配置为对加热板的边缘区域进行加热；第一电源线，该第一电源线配置为将功率施用至第一加热器；以及第二电源线，该第二电源线配置为将功率施用至第二加热器，并且传感器可以包括：第一传感器，该第一传感器配置为测量供应至第一电源线的功率；以及第二传感器，该第二传感器配置为测量供应至第二电源线的功率。
[0019]根据示例性实施方案，在由第一传感器测量的第一电源线的功率值被测量为高于由第二传感器测量的第二电源线的功率值时，检测器可以确定基板处于翘曲状态。
[0020]根据示例性实施方案，在将基板安置在加热板上之后，传感器可以立即测量功率。
[0021]根据示例性实施方案，该液体可以是光刻胶。
[0022]根据示例性实施方案，液体处理腔室还可以包括清洁喷嘴，该清洁喷嘴配置为排放用于清洁处理容器的清洁液，并且控制器可以控制升降单元，使得当基板处于平坦状态时、供应到基板的清洁液通过离心力到达处理容器的位置，与当基板相对于地表面、在向下方向上处于凸出状态时、供应到基板的清洁液通过离心力到达处理容器的位置彼此相同。
[0023]进一步地，本专利技术的另一示例性实施方案提供一种用于处理基板的装置。用于处理基板的装置可以包括：索引模块，该索引模块具有装载端口，在装载端口中放置有储存基板的容器；以及处理模块，该处理模块执行处理基板的工艺，并且处理模块可以包括：缓冲腔室，该缓冲腔室配置为临时保持基本文档来自技高网...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种用于处理基板的装置，所述装置包括：液体处理腔室，所述液体处理腔室配置为对基板进行液体处理；以及控制器，所述控制器配置为控制所述液体处理腔室，其中，所述液体处理腔室包括：处理容器，在所述处理容器中具有处理空间；支承单元，所述支承单元配置为在所述处理空间中支承并旋转所述基板；液体供应单元，所述液体供应单元配置为将液体供应至所述基板上；以及升降单元，所述升降单元配置为调整所述处理容器与所述支承单元之间的相对高度，并且所述控制器控制所述升降单元，以便在通过在旋转所述基板的情况下、将所述液体供应至所述基板上而进行基板处理时，根据支承在所述支承单元上的所述基板的翘曲状态来调整所述处理容器与所述支承单元之间的相对高度。2.根据权利要求1所述的装置，其中，所述控制器控制所述升降单元，使得当所述基板相对于地表面处于平坦状态时、所述支承单元的顶表面以参考高度布置在所述处理容器的上端的下方，并且当所述基板相对于所述地表面在向下方向上处于凸出状态时、所述支承单元的所述顶表面布置在所述处理容器的上端处的所述参考高度的下方。3.根据权利要求2所述的装置，所述装置还包括：热处理腔室，所述热处理腔室配置为对所述基板进行热处理；其中，所述基板的所述翘曲状态是在所述热处理腔室中测量的。4.根据权利要求3所述的装置，其中，所述热处理腔室包括：加热板，所述基板放置在所述加热板上；传感器，所述传感器配置为测量放置在所述加热板上的所述基板的各区域特异性温度参数；以及检测器，所述检测器配置为基于由所述传感器测量的所述温度参数的值确定所述基板的所述翘曲状态。5.根据权利要求4所述的装置，其中，所述热处理腔室包括：第一加热器，所述第一加热器配置为对所述加热板的中心区域进行加热；第二加热器，所述第二加热器配置为对所述加热板的边缘区域进行加热；第一电源线，所述第一电源线配置为将功率施用至所述第一加热器；以及第二电源线，所述第二电源线配置为将功率施用至所述第二加热器；并且所述传感器包括：第一传感器，所述第一传感器配置为测量供应至所述第一电源线的所述功率；以及第二传感器，所述第二传感器配置为测量供应至所述第二电源线的所述功率。6.根据权利要求5所述的装置，其中，当由所述第一传感器测量的所述第一电源线的功率值被测量为高于由所述第二传感器测量的所述第二电源线的功率值时，所述检测器确定所述基板处于翘曲状态。7.根据权利要求6所述的装置，其中，在将所述基板安置在所述加热板上之后，所述传感器立即测量所述功率。8.根据权利要求7所述的装置，其中，所述液体为光刻胶。
9.根据权利要求2至8中任一项所述的装置，其中，所述液体处理腔室还包括清洁喷嘴，所述清洁喷嘴配置为排放用于清洁所述处理容器的清洁液，并且所述控制器控制所述升降单元，使得当所述基板处于平坦状态时、供应至所述基板的所述清洁液通过离心力到达所述处理容器的位置，与当所述基板相对于所述地表面在向下方向上处于凸出状态时、供应至所述基板的所述清洁液通过所述离心力到达所述处理容器的位置彼此相同。10.一种用于处理基板的装置，所述装置包括：索引模块，所述索引模块具有装载端口，在所述装载端口中放置有储存基板的容器；以及处理模块，所述处理模块执行处理所述基板的工艺，其中，所述处理模块包括：缓冲腔室，所述缓冲腔室配置为临时保持所述基板；传送腔室，所述传送腔室配置为在所述缓冲腔室与所述处理模块之间传送所述基板；热处理腔室，所述热处理腔室配置为加热或冷却所述基板；液体处理腔室，所述液体处理腔室配置为将涂覆液或显影液供应至所述基板；以及控制器，所述控制器配置为控制所述液体处理腔室，所述液体处理腔室包括：处理容器，在所述处理容器中具有处理空间；支承单元，所述支承单元配置为在所述处理空间中支承并旋转所述基板...
【专利技术属性】
技术研发人员：卢尚垠，朴恩雨，
申请(专利权)人：细美事有限公司，
类型：发明
国别省市：
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