集成有硅穿孔的静电放电保护单元和天线制造技术

本申请涉及集成有硅穿孔的静电放电保护单元和天线。一种半导体器件，包括：硅穿孔(TSV)，在衬底中的TSV区域中，并且TSV延伸穿过衬底；ESD单元，靠近TSV的第一端并与TSV区域接触，ESD单元包括彼此并联电连接的一组二极管；天线焊盘，电连接到TSV的第二端；以及天线，电连接到天线焊盘并在第一方向中延伸，第一方向平行于TSV的长轴。半导体器件包括：导电柱，在衬底的与天线焊盘相同的一侧平行于TSV延伸，其中，导电柱的第一端电连接到天线焊盘，并且导电柱的第二端电连接到ESD单元的该组二极管。管。管。

【技术实现步骤摘要】
集成有硅穿孔的静电放电保护单元和天线


[0001]本公开涉及集成有硅穿孔的静电放电保护单元和天线。

技术介绍

[0002]半导体器件中的静电放电(electrostatic discharge，ESD)与操作半导体器件中故障率的增加以及制造过程中缺陷水平的增加和制造成本的增加相关联。半导体器件包括ESD保护器件，用于降低瞬态大电压对半导体器件中的晶体管或其他电路元件造成损坏的可能性。
[0003]半导体器件被制造有集成天线以向其他器件发送和接收射频(radio frequency，RF)信号。在半导体器件被封装并粘合到电路板上之前，天线引线(其跨半导体器件的表面延伸)是一些制造过程中静电积聚和ESD的来源。
[0004]在一些半导体器件中，ESD保护器件和集成天线引线在半导体器件的表面上的相邻区域中跨半导体器件的表面延伸。

技术实现思路

[0005]根据本公开的第一方面，提供了一种半导体器件，包括：硅穿孔(TSV)，在衬底中的TSV区域中，其中，所述TSV延伸穿过所述衬底；ESD单元，靠近所述TSV的第一端并与所本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种半导体器件，包括：硅穿孔(TSV)，在衬底中的TSV区域中，其中，所述TSV延伸穿过所述衬底；ESD单元，靠近所述TSV的第一端并与所述TSV区域接触，所述ESD单元包括彼此并联电连接的一组二极管；天线焊盘，电连接到所述TSV的第二端；天线，电连接到所述天线焊盘并在第一方向上延伸，其中，所述第一方向平行于所述TSV的长轴；以及导电柱，在所述衬底的与所述天线焊盘相同的一侧、在所述第一方向上平行于所述TSV延伸，其中，所述导电柱的第一端电连接到所述天线焊盘，并且所述导电柱的第二端电连接到所述ESD单元的该一组二极管。2.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，所述天线焊盘与所述TSV的第二端直接接触。3.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，所述天线与所述TSV相距第一间隔距离，所述导电柱与所述TSV相距第二间隔距离，并且所述第二间隔距离大于所述第一间隔距离。4.根据权利要求3所述的半导体器件，还包括：一组天线线路，在与所述TSV相距所述第一间隔距离处平行于所述TSV延伸并且围绕所述TSV的圆周分布，其中，所述第一间隔距离小于所述TSV与所述TSV区域的周界之间的最小距离。5.根据权利要求1所述的半导体器件，还包括：一组ESD单元，靠近所述TSV的第一端，其中，该组ESD单元沿着所述TSV区域的周界布置并且围绕所述TSV区域延伸。6.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，每个ESD单元中的二极管的数量不少于2且不多于20。7.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，所述导电柱包括一组过孔和线路段。8.根据权利要求1所述的半...

【专利技术属性】
技术研发人员：余和哲，张丰愿，王新泳，陈志良，张子恒，
申请(专利权)人：台积电中国有限公司，
类型：发明
国别省市：