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本申请涉及集成有硅穿孔的静电放电保护单元和天线。一种半导体器件，包括：硅穿孔(TSV)，在衬底中的TSV区域中，并且TSV延伸穿过衬底；ESD单元，靠近TSV的第一端并与TSV区域接触，ESD单元包括彼此并联电连接的一组二极管；天线焊盘，电...
该专利属于台积电（中国）有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过台积电（中国）有限公司授权不得商用。

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