灵敏放大器的版图形成方法及灵敏放大器的版图技术

本申请涉及一种灵敏放大器的版图形成方法及灵敏放大器的版图，所述方法包括：提供第一有源区图形层，第一有源区图形层包括桥接图形，及沿第一方向间隔且沿桥接图形的中心轴对称设置的第一有源区图形区域、第二有源区图形区域；第一有源区图形区域包括用于限定第一存储单元结构的第一下拉晶体管的第一有源区图形；第二有源区图形区域包括用于限定第二存储单元结构的第二下拉晶体管的第一对称有源区图形；第一有源区图形与第一对称有源区图形相邻且经由所述桥接图形连通，以使得第一下拉晶体管的源极与第二下拉晶体管的源极经由所述桥接图形电连接。本申请减小了相邻器件的有源区之间隔离空间的面积，提高版图上图案形状的均一性。均一性。均一性。

【技术实现步骤摘要】
灵敏放大器的版图形成方法及灵敏放大器的版图


[0001]本专利技术涉及半导体制造
，特别是涉及灵敏放大器的版图形成方法及灵敏放大器的版图。

技术介绍

[0002]随着集成电路制程的快速发展，对半导体产品的集成度的要求越来越高。而随着半导体产品的集成化，要求单个半导体器件的尺寸及相邻器件的有源区之间隔离空间的面积不断地减小，以确保集成电路产品的体积满足应用需求。
[0003]然而，传统的集成电路产品中，相邻器件的有源区之间隔离空间较大，容易引入较大的干扰因素，导致单原胞面积及阵列区的面积变大；多层工艺复杂程度较高，对各层版图的设计规则要求较高；且版图上图案形状不均一，导致光刻工艺复杂程度较高。

技术实现思路

[0004]基于此，有必要针对上述
技术介绍
中的问题，提供一种灵敏放大器的版图形成方法及灵敏放大器的版图，将相邻两个存储单元结构的下拉晶体管的源极经由有源区连接，减小相邻器件的有源区之间隔离空间的面积，提高版图上图案形状的均一性，降低对各层版图的设计规则要求，并降低光刻工艺的复杂程度，以提高制成半导体产品的良率及可本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种灵敏放大器的版图形成方法，其特征在于，包括：提供第一有源区图形层，所述第一有源区图形层包括桥接图形，及沿第一方向间隔且沿所述桥接图形的中心轴对称设置的第一有源区图形区域、第二有源区图形区域；所述第一有源区图形区域用于限定第一存储单元结构，所述第一有源区图形区域包括用于限定所述第一存储单元结构的第一下拉晶体管的第一有源区图形；所述第二有源区图形区域用于限定第二存储单元结构，所述第二有源区图形区域包括用于限定所述第二存储单元结构的第二下拉晶体管的第一对称有源区图形；其中，所述第一有源区图形与所述第一对称有源区图形相邻且经由所述桥接图形连通，以使得所述第一下拉晶体管的源极与所述第二下拉晶体管的源极经由所述桥接图形电连接。2.根据权利要求1所述的灵敏放大器的版图形成方法，其特征在于，还包括：于所述第一有源区图形层上形成连接孔图形层；于所述连接孔图形层远离所述第一有源区图形层的表面形成栅条图形层，其中，所述栅条图形层与所述第一有源区图形层部分交叠并用于形成所述第一下拉晶体管及所述第二下拉晶体管。3.根据权利要求2所述的灵敏放大器的版图形成方法，其特征在于，所述第一有源区图形区域还包括沿所述第一方向依次间隔设置的第二有源区图形、第三有源区图形及第四有源区图形，其中，所述第二有源区图形与所述第一有源区图形相邻；所述栅条图形层包括第一栅条图形、第二栅条图形、第三栅条图形及第四栅条图形；其中，所述第一栅条图形和第三栅条图形沿第一方向依次间隔设置，所述第二栅条图形和第四栅条图形沿所述第一方向依次间隔设置；所述第一栅条图形和所述第二栅条图形沿第二方向依次间隔设置，所述第三栅条图形和所述第四栅条图形沿所述第二方向依次间隔设置；所述第一有源区图形与所述第三栅条图形和所述第四栅条图形分别交叠，所述第二有源区图形与所述第一栅条图形及所述第四栅条图形分别交叠，所述第三有源区图形与所述第一栅条图形及所述第四栅条图形分别交叠，所述第四有源区图形与所述第一栅条图形及所述第二栅条图形分别交叠。4.根据权利要求3所述的灵敏放大器的版图形成方法，其特征在于，所述第一栅条图形和沿所述第二方向位于其两侧的第四有源区图形用于形成第五MOS管，所述第二栅条图形和沿所述第二方向位于其两侧的第四有源区图形用于形成第一MOS管，所述第一栅条图形和沿所述第二方向位于其两侧的第三有源区图形用于形成第三MOS管，所述第四栅条图形和沿所述第二方向位于其两侧的第二有源区图形用于形成第四MOS管，所述第三栅条图形和沿所述第二方向位于其两侧的第一有源区图形用于形成第二MOS管，所述第四栅条图形和沿所述第二方向位于其两侧的第一有源区图形用于形成第六MOS管。5.根据权利要求4所述的灵敏放大器的版图形成方法，其特征在于，所述连接孔图形层包括第一连接孔图形、第二连接孔图形、第三连接孔图形、第四连接孔图形、第五连接孔图形、第六连接孔图形、第七连接孔图形、第八连接孔图形、第九连接孔图形及第十连接孔图形；所述第一连接孔图形位于所述第三栅条图形远离所述第四栅条图形一侧的第一有源
区图形内；所述第二连接孔图形位于所述第三栅条图形与所述第四栅条图形之间的第一有源区图形内；所述第二有源区图形与所述第一栅条图形交叠并形成第一重叠区域，所述第三连接孔图形覆盖所述第一重叠区域；所述第四连接孔图形位于所述第四栅条图形远离所述第一栅条图形一侧的第二有源区图形内；所述第五连接孔图形位于所述第一栅条图形远离所述第四栅条图形一侧的第三有源区图形内；所述第三有源区图形与所述第四栅条图形交叠并形成第二重叠区域，所述第六连接孔图形覆盖所述第二重叠区域；所述第七连接孔图形位于所述第一栅条图形远离所述第二栅条图形一侧的第四有源区图形内；所述第八连接孔图形位于所述第一栅条图形与所述第二栅条图形之间的第四有源区图形内；所述第九连接孔图形位于所述第二栅条图形远离所述第一栅条图形一侧的第四有源区图形内；所述第十连接孔图形位于所述第一有源区图形与所述第一对称有源区图形之间的所述第三栅条图形内。6.根据权利要求5所述的灵敏放大器的版图形成方法，其特征在于，还包括：于所述栅条图形层远离所述第一有源区图形层的表面形成金属图形层；所述金属图形层包括第一金属图形、第二金属图形、第三金属图形、第四金属图形、第五金属图形、第六金属图形、第七金属图形及第八金属图形；所述第一金属图形覆盖所述第一连接孔图形；所述第二金属图形覆盖所述第二连接孔图形及部分所述第三连接孔图形；所述第三金属图形覆盖所述第四连接孔图形；所述第四金属图形覆盖所述第五连接孔图形；所述第五金属图形覆盖部分所述第六连接孔图形及所述第八连接孔图形；所述第六金属图形覆盖所述第七连接孔图形；所述第七金属图形覆盖所述第九连接孔图形；所述第八金属图形覆盖所述第十连接孔图形。7.根据权利要求6所述的灵敏放大器的版图形成方法，其特征在于，所述第二有源区图形区域包括第五栅条图形、第六栅条图形、第七栅条图形及第八栅条图形；所述第五栅条图形与所述第一栅条图形沿所述第一方向对称设置，且对称轴为所述第一有源区图形区域及所述第二有源区图形区域沿所述第一方向对称的对称轴；所述第六栅条图形与所述第二栅条图形沿所述第一方向对称设置；所述第七栅条图形与所述第三栅条图形沿所述第一方向对称设置；所述第八栅条图形与所述第四栅条图形沿所述第一方向对称设置。8.根据权利要求1
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7任一项所述的灵敏放大器的版图形成方法，其特征在于，所述桥接
图形的形状为矩形。9.根据权利要求8所述的灵敏放大器的版图形成方法，其特征在于，所述桥接图形沿所述第一方向延伸。10.根据权利要求8所述的灵敏放大器的版图形成方法，其特征在于，所述桥接图形沿第二方向的长度大于或等于预设宽度阈值。11.根据权利要求1
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7任一项所述的灵敏放大器的版图形成方法，其特征在于，还包括：提供第一对称有源区图形层，所述第一对称有源区图形层与所述第一有源区图形层沿第二方向间隔且对称设置，所...

【专利技术属性】
技术研发人员：李宗翰，刘志拯，
申请(专利权)人：长鑫存储技术有限公司，
类型：发明
国别省市：