真延时移相器结构和集成电路装置制造方法及图纸

本公开涉及真延时移相器结构和集成电路装置。示例性真延时移相器结构包括：布置在所述结构的第一层上的信号传导线；第一可切换接地面，包括布置在所述结构的第二层上的第一导电平面；第二可切换接地面，包括布置在所述结构的第三层上的第二导电平面，其中所述第一层、第二层和第三层是所述结构的分离层；耦合在所述第一可切换接地面和第一接地元件之间的第一开关，所述第一接地元件布置在所述第二层上；和耦合在所述第二可切换接地面和第二接地元件之间的第二开关，所述第二接地元件布置在所述第三层上。在所述第三层上。在所述第三层上。

【技术实现步骤摘要】
真延时移相器结构和集成电路装置
[0001]相关应用的交叉引用
[0002]本申请要求于2021年1月15日提交的题为“低损耗真延时移相器”的美国临时专利申请第63/137918号的优先权和利益，其全部内容以引用方式并入，如下文充分说明和适用于所有适用目的。


[0003]本公开一般涉及电子学，更具体地说，涉及低损耗真延时(TDD)移相器(例如，在相控阵系统中)。

技术介绍

[0004]移相器通常用于高频系统，尤其是毫米波段，用于信号调整和/或波束形成。利用移相器的一些示例系统和/或设备可包括无线通信系统，例如长期演进(LTE)和第五代(5G)，其在约3千赫兹(kHz)到300千兆赫兹 (GHz)的射频(RF)范围内以电磁波的形式发送和接收信号。例如，无线通信系统可利用相控阵天线系统(其也可被称为电可控阵列(ESA))进行无线发射和接收。相控阵天线系统可包括天线单元阵列(例如，约64、 128、256、1024或更多)。相控阵天线系统的方向性可以通过调整不同天线单元发送或接收的信号之间的相对相位来实现。这些天线元件可以将发射或接收本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种真延时移相器结构，其特征在于，包括：布置在所述结构的第一层上的信号传导线；第一可切换接地面，包括布置在所述结构的第二层上的第一导电平面；第二可切换接地面，包括布置在所述结构的第三层上的第二导电平面，其中所述第一层、第二层和第三层是所述结构的分离层；耦合在所述第一可切换接地面和第一接地元件之间的第一开关，所述第一接地元件布置在所述第二层上；和耦合在所述第二可切换接地面和第二接地元件之间的第二开关，所述第二接地元件布置在所述第三层上。2.根据权利要求1所述的真延时移相器结构，其特征在于：所述第一可切换接地面位于所述信号传导线和所述第二可切换接地面之间；和所述第一可切换接地面的第一导电平面包括：耦合到所述第一开关的第一细长导电段；第二细长导电段；和彼此间隔开的多个细长导电段，其中所述多个细长导电段中的每个的相对端分别连接到所述第一细长导电段或所述第二细长导电段中的不同的一个。3.根据权利要求2所述的真延时移相器结构，其特征在于，所述信号传导线的信号传播轴与所述第一可切换接地面的多个细长导电段的信号传播轴不平行。4.根据权利要求1所述的真延时移相器结构，其特征在于，所述第二可切换接地面的第二导电平面包括带孔的导电材料层。5.根据权利要求1所述的真延时移相器结构，其特征在于，还包括：一个或多个导电层，在所述第一可切换接地面和所述第二可切换接地面之间。6.根据权利要求1所述的真延时移相器结构，其特征在于，所述第一开关处于关闭状态以将所述第一导电平面切换到接地状态，同时所述第二开关处于打开状态以将所述第二导电平面切换到浮动状态。7.根据权利要求1所述的真延时移相器结构，其特征在于，所述第一开关处于打开状态以将所述第一导电平面切换到浮动状态，同时所述第二开关处于关闭状态以将所述第二导电平面切换到接地状态。8.根据权利要求1所述的真延时移相器结构，其特征在于，耦合在所述第一可切换接地面和所述第一接地元件之间的第一开关与耦合在所述第二可切换接地面和所述第二接地元件之间的第二开关具有不同的尺寸。9.根据权利要求1所述的真延时移相器结构，其特征在于：所述第二可切换接地面与所述信号传导线间隔开的距离大于与所述第一可切换接地面的距离；耦合在所述第二可切换接地面和所述第二接...

【专利技术属性】
技术研发人员：HC，
申请(专利权)人：美国亚德诺半导体公司，
类型：新型
国别省市：