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本公开涉及真延时移相器结构和集成电路装置。示例性真延时移相器结构包括：布置在所述结构的第一层上的信号传导线；第一可切换接地面，包括布置在所述结构的第二层上的第一导电平面；第二可切换接地面，包括布置在所述结构的第三层上的第二导电平面，其中所述...
该专利属于美国亚德诺半导体公司所有，仅供学习研究参考，未经过美国亚德诺半导体公司授权不得商用。

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